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基于双极扩散方程指数解的平面注入增强型IGBT紧凑模型及其在鲁棒功率变换器设计中的应用
Exponential ADE Solution Based Compact Model of Planar Injection Enhanced IGBT Dedicated to Robust Power Converter Design
Petar Igic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年4月
本文提出了一种基于双极扩散方程（ADE）指数解的注入增强型IGBT（IEGT）紧凑模型。该模型采用指数形状函数描述等离子体载流子分布，在稳态正向偏置下，载流子浓度呈现悬链线分布，仅需两个指数基函数即可实现高精度建模，为功率变换器的鲁棒性设计提供了理论支撑。
解读: IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的核心功率器件。该紧凑模型能更精确地模拟IEGT在复杂工况下的动态特性，有助于提升逆变器在高频、高功率密度设计下的损耗计算精度与热管理水平。建议研发团队将其集成至仿真平台，以优化功率模块的驱动电...
一种风电集成多端高压直流系统的改进自适应协调控制
An Improved Adaptive Coordination Control of Wind Integrated Multi-Terminal HVdc System
Qingqing Yang · Jun Shen · Jianwei Li · Hongwen He 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
随着可再生能源渗透率提升及电力电子设备广泛接入，系统惯量降低，对多端高压直流（MTdc）系统的稳定性构成挑战。本文提出一种改进的自适应预测控制策略，通过多目标优化协调直流电压、交流频率及各终端间的功率分配，有效提升系统稳定性。
解读: 该研究关注高比例可再生能源接入下的系统稳定性与多目标协调控制，与阳光电源的风电变流器及大型储能系统（如PowerTitan）业务高度契合。随着电网惯量降低，阳光电源的变流器需具备更强的弱电网支撑能力。建议将该自适应预测控制算法应用于风电变流器及大型储能PCS的控制策略优化中，提升在多端直流输电场景下...
肖特基型p-GaN栅HEMT的阈值电压
Vth）不稳定性对开关行为的影响
Xuyang Lu · Arnaud Videt · Soroush Faramehr · Ke Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
肖特基型p-GaN栅GaN HEMT存在阈值电压（Vth）不稳定性问题。在电压偏置下，器件会出现Vth的正向或负向漂移，但该现象对开关行为的影响研究尚不充分。本文深入探讨了Vth漂移对器件动态开关特性的影响机制。
解读: GaN作为第三代半导体，在阳光电源的高频、高功率密度产品（如户用光伏逆变器、微型逆变器及小型充电桩）中具有巨大应用潜力。p-GaN栅HEMT的Vth不稳定性直接关系到驱动电路设计的可靠性与开关损耗的稳定性。建议研发团队在评估GaN器件选型时，重点关注该类器件在长期高压偏置下的Vth漂移特性，并优化驱...