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提高IGBT短路可靠性：如何抑制振荡
Improving the Short-Circuit Reliability in IGBTs: How to Mitigate Oscillations
Paula Diaz Reigosa · Francesco Iannuzzo · Munaf Rahimo · Chiara Corvasce 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
本文通过电路与器件分析，研究了限制绝缘栅双极型晶体管（IGBT）鲁棒性的振荡机制。文章采用时域分析方法，对比了沟槽栅和平面栅两种IGBT单元结构，揭示了振荡周期内的二维效应，旨在为提升功率器件在短路工况下的可靠性提供理论支撑。
解读: IGBT作为阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的核心功率开关器件，其短路可靠性直接决定了产品的整机寿命与安全性。该研究揭示的振荡抑制机制，对于优化逆变器驱动电路设计、提升功率模块在极端电网故障或短路工况下的鲁棒性具有重要参考价值。建议研...
光伏逆变器中IGBT键合线疲劳的长期运行预测
Prediction of Bond Wire Fatigue of IGBTs in a PV Inverter Under a Long-Term Operation
Paula Diaz Reigosa · Huai Wang · Yongheng Yang · Frede Blaabjerg · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
键合线疲劳是IGBT模块在循环应力下的主要失效机制之一。然而，在实际现场运行中实现真实的键合线寿命预测仍面临巨大挑战。本文提出了一种基于蒙特卡洛分析的方法，用于预测光伏逆变器中IGBT模块键合线的寿命损耗。
解读: 该研究直接关联阳光电源核心产品——光伏逆变器（组串式及集中式）的长期可靠性。IGBT作为逆变器的核心功率器件，其键合线失效是导致设备早期故障的关键因素。通过引入蒙特卡洛寿命预测方法，研发团队可更精准地评估不同工况（如高温、高湿、电网波动）下的器件寿命，从而优化逆变器的散热设计与功率循环控制策略。建议...
功率循环老化对1.2kV SiC MOSFET短路鲁棒性的影响
Implications of Ageing Through Power Cycling on the Short-Circuit Robustness of 1.2-kV SiC mosfets
Paula Diaz Reigosa · Haoze Luo · Francesco Iannuzzo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
本文通过加速功率循环测试与短路测试相结合的方法，研究了1.2kV碳化硅（SiC）功率MOSFET模块的可靠性。重点分析了在不同程度的老化退化条件下，SiC MOSFET短路耐受能力的演变规律，为宽禁带半导体器件在电力电子系统中的长期可靠性评估提供了重要参考。
解读: 该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器（如SG系列）和大型储能系统（如PowerTitan）中大规模应用SiC器件以提升功率密度和转换效率，器件在复杂工况下的可靠性是产品生命周期的关键。研究揭示的功率循环与短路鲁棒性之间的关联，可直接指导研发团队在逆变器及PCS设计中优化驱动...