参数误差识别用于逆变器型资源动态模型的验证与校准

Parameter Error Identification for Validation and Calibration of Dynamic Models of Inverter-Based Resources

Nitish Sharma · Yuzhang Lin · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年8月

摘要：随着可再生能源的发展，基于逆变器的电源（IBR）的精确动态模型对于电力系统的运行和规划至关重要。在实际应用中，由于 IBR 模型参数众多，各种情况都可能导致模型参数出现误差，且难以准确定位。本文提出了一个利用终端测量数据检测、识别和估计 IBR 模型参数误差的框架。此前用于稳态模型（代数方程）校准的最大归一化拉格朗日乘数法，通过将其集成到卡尔曼滤波框架中，被扩展应用于 IBR 动态模型。该方法无需同时估计所有参数，就能准确找出需要校准的错误参数，还能区分模型参数误差和传感器测量误差。本文给...

解读: 该参数误差辨识技术对阳光电源IBR产品的电网适应性提升具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器的GFM/GFL控制策略开发中，可通过实测数据快速校准电流环、电压环及功率控制参数，确保并网动态响应符合电网规范要求。对PowerTitan大型储能系统，该方法能验证多机并联场景下的控制参数一致性，减...

基于栅极偏压调控MoSe2场效应晶体管中TCR的高灵敏度热传感器设计

Highly Sensitive Thermal Sensor Design Using a Gate-Bias-Controlled TCR in MoSe2 FET

Shubham Saxena · Sumit Sharma · Biswajit Khan · Nitish Kumar 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

电阻温度系数（TCR）是热传感器设计中的关键参数。本文研究了通过栅极电压调控层状半导体材料二硒化钼（MoSe2）的TCR可调性。利用原子力显微镜和拉曼光谱表征MoSe2薄片，其TCR值约为MoS2的两倍、金属薄膜的五倍（通常为0.5% K⁻¹）。在7 V栅压范围内，15 nm厚样品的TCR可提升至2.75% K⁻¹，调谐范围达两倍；65 nm样品的调谐范围更达4.5倍。器件TCR平均相对不确定度分别为3.8%（65 nm）和4.6%（15 nm），展现出优异的热敏性能。

解读: 该MoSe2场效应晶体管热传感技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。其2.75% K⁻¹的高TCR灵敏度和栅压可调特性，可应用于：1）SiC/GaN功率模块的精密温度监测，实现芯片级热管理优化；2）ST储能变流器和SG光伏逆变器的IGBT/MOSFET结温实时监控，提升过载保护精度；3）电动汽...