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基于准Z源和升压拓扑的输入级高频SiC逆变器——实验对比
High-Frequency SiC-Based Inverters With Input Stages Based on Quasi-Z-Source and Boost Topologies—Experimental Comparison
Kornel Wolski · Mariusz Zdanowski · Jacek Rabkowski · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文对比了三种三相两电平逆变器拓扑：准Z源逆变器（qZSI）、带升压变换器的电压源逆变器以及带交错升压变换器的电压源逆变器。通过基于SiC MOSFET和肖特基二极管的6kW、100kHz实验样机，对各拓扑的性能进行了实测与分析。
解读: 该研究聚焦于高频SiC功率器件在不同升压拓扑中的应用，对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流趋势。qZSI拓扑在单级升压转换中具有独特优势，可简化系统结构，降低成本。建议研发团队关注高频化带来的EMI及热管理...
基于SiC功率器件的6-kVA准Z源逆变器设计流程
On the Design Process of a 6-kVA Quasi-Z-inverter Employing SiC Power Devices
Mariusz Zdanowski · Dimosthenis Peftitsis · Szymon Piasecki · Jacek Rabkowski · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文介绍了采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管构建的6-kVA准Z源逆变器的设计流程。研究重点在于平衡转换器的效率与功率密度，探讨了开关频率等关键参数对系统性能的影响，旨在实现最优化的系统设计。
解读: 准Z源逆变器（qZSI）具备单级升降压能力，在户用光伏逆变器领域具有应用潜力。阳光电源在户用组串式逆变器中已广泛应用SiC器件以提升效率和功率密度，该文献关于SiC器件在特定拓扑下的参数优化设计方法，对公司进一步优化户用逆变器体积、降低散热成本及提升整机转换效率具有重要的参考价值。建议研发团队关注该...