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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

并联SiC MOSFET在第三象限运行下的浪涌电流分布

Surge Current Distribution in Paralleled SiC MOSFETs Under Third-Quadrant Operation

Man Zhang · Helong Li · Zhiqing Yang · Shuang Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

本文研究了并联SiC MOSFET在第一和第三象限运行时的浪涌电流承受能力。针对第三象限运行模式下浪涌电流分布缺乏深入研究的问题,文章建立了一个SiC MOSFET源漏电阻模型,分析了并联器件间的电流不平衡机制,为提升功率模块的鲁棒性提供了理论依据。

解读: 该研究对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向高功率密度、高效率演进,SiC MOSFET被广泛采用。第三象限运行常出现在逆变器死区时间或双向DC-DC变换器中,浪涌电流分布不均直接影响功率模块的可靠性与寿命。建议研发团队利用该模型优化并联驱动电路设计...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 2.0

一种用于车载电磁探测发射机的注入式阻抗匹配变换器及其折中控制方法

An Injection Circuit Coupling Impedance Matching Converter and Its Compromised Control Method of Automobile-Based Electromagnetic Prospecting Transmitters for Energy Utilization Enhancement

Ying Pang · Yanju Ji · Xinhao Zhang · Yongji Zhu 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

针对车载电磁探测发射机电源容量受限的问题,本文提出了一种注入式阻抗匹配变换器及其控制方法。该方法通过解决非线性方波电压下的无功功率问题,有效提升了能量利用率,填补了该领域在非线性工况下阻抗匹配技术研究的空白。

解读: 该文献探讨的阻抗匹配技术与非线性负载下的功率变换控制,在基础拓扑层面与阳光电源的电力电子变换技术有一定共性。虽然其应用场景(电磁探测)与阳光电源主营的光伏、储能及充电桩业务差异较大,但其核心的阻抗匹配与能量利用率提升思路,可为阳光电源在极端工况下的功率变换器效率优化提供参考。建议研发团队关注其在非线...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

平面栅SiC MOSFET MOS沟道与体二极管耦合导通机制对第三象限浪涌电流能力的影响

Influence of Coupling Conduction Mechanism Between MOS-Channel and Body Diode on 3rd Quadrant Surge Current Capability of Planar-Gate SiC MOSFETs

Man Zhang · Helong Li · Qiang Chen · Haoran Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文研究了平面栅SiC MOSFET中MOS沟道与体二极管之间的耦合导通机制,及其对第三象限浪涌电流能力的影响。研究发现,当MOS沟道开启时,MOS沟道与体二极管并非独立的电流路径,MOS沟道会抑制体二极管的导通能力,从而影响器件在浪涌工况下的可靠性。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)中SiC功率模块的选型与可靠性设计。在光储系统中,逆变器常处于双向功率流动状态,SiC MOSFET的第三象限导通特性对提升系统效率和应对电网浪涌冲击至关重要。建议研发团队在设计高功率密度模块...

拓扑与电路 光伏逆变器 并网逆变器 MPPT ★ 5.0

一种用于大规模光伏有功注入的多能量转换通道融合并网逆变器,旨在防止因MPP光伏电压不足导致的功率损耗

A Multiple Energy Conversion Channels Fusion Grid-Connected Inverter for Large-Scale PV Active Power Injection Preventing Power Loss Caused by Insufficient MPP PV Voltage

Ying Pang · Hao Yang · Yanju Ji · Xinhao Zhang 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

针对大规模光伏发电中,现有电感式逆变器损耗高及电容式逆变器运行范围受限的问题,本文提出了一种多能量转换通道融合的并网逆变器。该拓扑通过优化能量转换路径,有效解决了光伏电压在最大功率点(MPP)不足时导致的功率损耗问题,提升了光伏系统的并网效率与运行灵活性。

解读: 该研究提出的多通道融合拓扑对阳光电源的组串式逆变器(如SG系列)具有重要的技术参考价值。在光伏组件老化或弱光环境下,MPP电压波动常导致逆变器效率下降,该技术通过优化电路拓扑,能有效拓宽逆变器在低压侧的MPPT工作范围,减少功率损耗。建议研发团队评估该拓扑在下一代高功率密度组串式逆变器中的应用潜力,...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 2.0

一种12/24V输入、高低压隔离的混合开关电容负载点

PoL)变换器

Xiongjie Zhang · Qiaobo Ma · Anyang Zhao · Yang Jiang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

本文提出了一种用于12/24V输入应用的高功率密度负载点(PoL)DC-DC变换器,采用高低压分离的混合开关电容(SC)拓扑。通过在HV/LV域的SC网络间引入电感,该设计在小电压转换比下降低了电感直流电流,优化了开关和导通损耗,实现了355 mW/mm³的功率密度。

解读: 该文献研究的混合开关电容PoL变换器主要针对低压、高功率密度的板级电源管理,属于功率电子基础拓扑研究。对于阳光电源而言,该技术可作为iSolarCloud智能运维平台中嵌入式控制板卡或通信模块的电源设计参考,有助于缩小辅助电源体积并提升能效。但由于其主要应用于低压PoL领域,与阳光电源核心的组串式/...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

一种用于提高功率放大器容量利用率的非线性地质勘探电磁法多频谱阻抗匹配方法

A Multiple Frequency Spectrum Impedance Matching Method of Nonlinear Geological Surveying Electromagnetic Method for Power Amplifier Capacity Utilization Enhancement

Ying Pang · Xinhao Zhang · Gang Li · Man-Chung Wong 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年7月

本文提出一种多频谱阻抗匹配方法,将阻抗匹配技术的应用范围从线性正弦电压拓展至地质勘探电磁法中的非线性电压环境。首先分析发射机、天线与负载的阻抗特性;其次,基于不同匹配连接方式的影响,提出适用于非线性功率放大器的非线性多频谱阻抗匹配拓扑(NMIM);进而设计优化参数及基于负载识别的控制策略以提升匹配性能;最后通过动态硬件实验验证了该方法及其控制策略的有效性。结果表明,NMIM可动态匹配天线与负载阻抗,使放大器发射电流幅值提升逾21%,功率容量利用率平均提高37%以上,较传统方法至少提升12%。

解读: 该多频谱阻抗匹配技术对阳光电源功率变换系统具有重要借鉴价值。其核心思想可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率级优化:通过动态阻抗匹配提升功率器件利用率,降低过设计冗余。特别是在储能系统多工况运行(充放电切换、功率因数调节)和光伏逆变器宽输入电压范围工作时,该方法的负载识别与动态匹配策略可提升功...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

集成高K栅介质与分裂栅的4H-SiC超级结MOSFET

4H-SiC superjunction MOSFET with integrated high-K gate dielectric and split gate

Jiafei Yao1Zhengfei Yang1Yuxuan Dai1Ziwei Hu1Man Li2Kemeng Yang2Jing Chen2Maolin Zhang2Jun Zhang2Yufeng Guo2 · 半导体学报 · 2025年8月 · Vol.46

本文提出一种集成高K(HK)栅介质与分裂栅(SG)的4H-SiC超级结MOSFET(HKSG-SJMOS)。该器件采用高K介质作为包围源极连接分裂栅与金属栅的栅介质,优化漂移区电场分布,形成低阻导电通道,提升击穿电压(BV)并降低比导通电阻(Ron,sp)。分裂栅结构结合高K介质有效减小栅-漏电容(Cgd)与栅-漏电荷(Qgd),改善开关特性。仿真结果表明,相较于传统器件,HKSG-SJMOS的优值(FOM=BV²/Ron,sp)提升110.5%,高频优值(Ron,sp·Cgd)降低93.6%,...

解读: 该HKSG-SJMOS技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其110.5%的FOM提升和93.6%的Ron,sp·Cgd降低,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC功率模块设计,显著降低导通损耗和开关损耗(开通/关断损耗分别减少38.3%/31.6%)。高K介质与分裂栅结构有效...