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功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

宽禁带功率半导体封装顶部互连技术综述

Review of Topside Interconnections for Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging

Lisheng Wang · Wenbo Wang · Raymond J. E. Hueting · Gert Rietveld 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

宽禁带(WBG)半导体凭借优异的材料特性,在高温、高频和高效率应用中表现卓越。然而,传统的铝线键合互连技术限制了其性能发挥,主要受限于寄生参数等问题。本文综述了针对WBG器件的先进顶部互连技术,旨在提升功率模块的整体性能与可靠性。

解读: 该技术直接影响阳光电源核心产品线的竞争力。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中加速导入SiC器件,传统的铝线键合已成为提升功率密度和开关频率的瓶颈。采用先进的顶部互连技术(如铜夹片、烧结技术等)可显著降低寄生电感,减小开关损耗,并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团...

拓扑与电路 三相逆变器 PWM控制 功率模块 ★ 3.0

一种低频LC谐振逆变器架构及其在无刷直流电机驱动中的应用演示

A Low-Frequency LC-Resonant Inverter Architecture and its Demonstration in BLDC Drive Application

Junhong Li · Zhiqi Wang · Xiao Liu · Da Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文提出了一种用于无刷直流(BLDC)电机驱动的低频LC谐振逆变器架构。该拓扑取消了传统的三相半桥结构,避免了高侧驱动的复杂性。通过仅使用低侧功率器件并利用LC谐振机制,该方案能直接从方波输入合成正弦绕组电流,简化了驱动电路设计并降低了系统成本。

解读: 该研究提出的低侧驱动拓扑在简化逆变器硬件设计、降低高侧驱动成本方面具有创新性。对于阳光电源而言,虽然目前核心业务聚焦于光伏和储能逆变器,但该拓扑中关于“简化驱动电路”和“谐振合成电流”的思路,可为未来电动汽车充电桩(EV Charger)的功率模块设计提供参考,特别是在降低辅助电源复杂度与提升功率密...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 ★ 5.0

陶瓷基板嵌入式SiC功率模块的设计与制造

Design and Fabrication of a Ceramic Substrate-Embedded SiC Power Module

Lisheng Wang · Junyun Deng · Keqiu Zeng · Haoguan Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年2月

摘要:与传统的引线键合技术相比,宽带隙(WBG)功率模块的嵌入式封装具有更低的寄生电感、更高的开关频率和更低的功率损耗。然而,目前的嵌入式技术存在激光钻孔工艺窗口较窄且可靠性未知的问题。本文提出了一种新的嵌入式封装技术,该技术可使热机械界面应力最小化,并放宽工艺窗口。为此,采用了预烧结芯片顶部系统(DTS)层,以改善激光钻孔工艺窗口,并使顶部互连处的界面应力最小化。为了设计和制造所提出的新型嵌入式功率模块,还研究了不同陶瓷与层压树脂之间的相互作用。此外,通过有限元多物理场模拟分析并比较了所提出的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于陶瓷基板的SiC功率模块嵌入式封装技术具有重要的战略价值。该技术通过预烧结顶层系统(DTS)实现了更低的寄生电感、更高的开关频率和更低的功率损耗,这直接契合了我们光伏逆变器和储能变流器向高功率密度、高效率方向发展的核心需求。 在技术价值层面,该嵌入式封装相比传统引...