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碳化硅JFET双向开关寄生振荡的分析与建模
Analysis and Modeling of SiC JFET Bi-Directional Switches Parasitic Oscillation
Lina Wang · Junyi Yang · Haobo Ma · Zeyuan Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
基于碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）的双向开关在矩阵变换器、多电平变换器及固态断路器等电力电子电路中应用潜力巨大。然而，其寄生振荡现象直接影响电路的稳定性和可靠性。本文针对该寄生振荡进行建模与分析，旨在为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。
解读: SiC器件是提升阳光电源逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该研究针对SiC JFET双向开关的寄生振荡建模，对公司开发高频、高效率的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器具有重要参考价值。通过掌握寄生振荡机理，研发团队可优化驱动电路设计与PCB布局，从而降低电磁干扰（EMI），提...
一种基于功率优化器的单相并网光伏逆变器开路故障检测策略
A Simple Open-Circuit Detection Strategy for a Single-Phase Grid-Connected PV Inverter Fed From Power Optimizers
Mi Dong · Hui Dong · Lina Wang · Jian Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月
本文提出了一种针对由串联功率优化器供电的单相并网光伏逆变器的实时开路故障（OCF）检测方法。通过功率优化器控制器定期监测输出电压变化并计算残差，在优化器侧实现对逆变器开路故障的快速识别。
解读: 该技术对阳光电源的户用及工商业光伏产品线具有重要参考价值。随着阳光电源在组件级电力电子（MLPE）领域的布局，该故障诊断策略可有效提升组串式逆变器与功率优化器协同系统的运维效率。通过在优化器侧集成该算法，无需额外传感器即可实现逆变器故障的精准定位，显著降低售后运维成本，提升iSolarCloud智能...
用于HERIC逆变器的混合UP-PWM方案以提高电能质量和效率
Hybrid UP-PWM Scheme for HERIC Inverter to Improve Power Quality and Efficiency
Zhongting Tang · Mei Su · Yao Sun · Bin Cheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
HERIC逆变器因其低漏电流和高效率，成为无变压器光伏系统的理想选择。然而，现有调制方法难以在保持高效率的同时兼顾电能质量和无功功率注入。本文提出了一种混合UP-PWM方案，旨在优化HERIC逆变器的性能，解决效率与并网控制能力之间的矛盾。
解读: HERIC拓扑是阳光电源户用及部分工商业组串式逆变器的核心技术之一。该文献提出的混合UP-PWM调制方案，直接针对无变压器逆变器在提升效率与实现无功补偿（如夜间SVG功能）之间的平衡问题。对于阳光电源而言，该技术可优化现有户用逆变器产品在弱电网环境下的电能质量表现，并提升在复杂电网条件下的无功支撑能...
SiC MOSFET瞬态解析建模方法综述：原理、现状与参数建模
A Brief Review of SiC MOSFET Transient Analytical Modeling Methods: Principles, Current Status, and Parameters Modeling
Lina Wang · Zezhuo Yuan · Junming Chang · Zaiqia Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文综述了SiC MOSFET开关瞬态的解析建模方法。相比硅基器件，SiC器件具有更高的开关速度，但也带来了更复杂的电磁干扰和应力问题。解析模型因其简洁、直观和实用性，在评估和优化功率器件开关性能方面受到广泛关注，对于提升电力电子系统的功率密度和效率具有重要意义。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度的核心技术路径。该文献提出的瞬态解析建模方法，可直接应用于阳光电源组串式逆变器（如SG系列）及PowerTitan/PowerStack储能系统的功率模块设计中。通过更精确的开关瞬态建模，研发团队能有效优化驱动电路参数，在提升开关频率以减小磁性元件体...
碳化硅MOSFET瞬态解析建模方法简要综述
A Brief Review of SiC MOSFET Transient Analytical Modeling Methods: Principles, Current Status, and Parameters Modeling
Lina Wang · Zezhuo Yuan · Junming Chang · Zaiqia Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
在评估和优化半导体器件开关瞬态性能领域，解析建模方法因其简单、直观和实际适用性等优点而受到越来越多的关注。与相同功率等级的硅基功率器件相比，碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关速度更快，这使得其开关瞬态过程对电路中寄生参数的影响极为敏感。这导致出现更复杂的瞬态特性，给 SiC MOSFET 开关瞬态的解析建模带来了挑战。本文综述了现有的用于分析 SiC MOSFET 与二极管对开关瞬态的解析建模方法。介绍了解析建模过程中采用的几种简化措施，并根据简化程度...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于SiC MOSFET开关瞬态分析建模方法的综述论文具有重要的战略参考价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，阳光电源正处于功率半导体技术从硅基向碳化硅转型的关键阶段，而精确的瞬态建模能力直接关系到产品性能优化和市场竞争力提升。 该论文系统梳理的分段线性模型...