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一种用于增强长轨道动态无线电能传输系统横向和旋转失调容忍度的多极耦合复合设计
A Multipolarity-Coupling Composite Design for Enhancing Lateral and Rotational Misalignment Tolerance of Long-Track DWPT Systems
Junhua Wang · Leke Wan · Changsong Cai · Ming Xue 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
针对长轨道动态无线电能传输（DWPT）系统中不可避免的横向及旋转失调导致的传输性能下降问题，本文提出了一种基于多极耦合复合设计的接收端（Rx）拓扑。该设计通过优化接收端组件结构，有效提升了系统在复杂失调工况下的抗干扰能力与传输效率。
解读: 该研究聚焦于无线电能传输（DWPT）的抗失调技术，虽然目前阳光电源的电动汽车充电桩业务主要集中在有线快充领域，但无线充电作为未来电动汽车补能的重要技术储备，具有长远的研究价值。该多极耦合复合设计方案可为公司未来布局高功率、高容错性的无线充电产品提供拓扑参考。建议研发团队关注其在提升耦合系数稳定性方面...
多路径移动接收器的鲁棒广域无线充电：耦合机制与简化配置策略
Robust Wide-Area Wireless Charging of Multipath Movable Receivers: A Coupling Mechanism and Simplified Configuration Strategy
Changsong Cai · Junhua Wang · Leke Wan · Xi Wu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种新型耦合机制及简化配置策略，旨在实现多路径移动接收器的鲁棒广域动态无线充电。通过在二维平面内非重叠布置多发射线圈，并集成简单平面线圈实现全向解耦，有效提升了动态充电的灵活性与稳定性。
解读: 该技术主要针对电动汽车动态无线充电领域，虽然目前阳光电源的充电桩业务以有线直流快充为主，但随着未来自动驾驶与智慧交通的发展，动态无线充电技术具有潜在的战略储备价值。该研究提出的多发射线圈解耦技术可为阳光电源未来探索“路面充电”或“自动泊车无线补能”方案提供技术参考。建议研发团队关注该耦合机制在功率密...
共源共栅GaN HEMT短路失效机理研究
Exploring Short-Circuit Failure Mechanism of Cascode GaN HEMT
Sheng Li · Qinhan Wang · Weihao Lu · Leke Wu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文通过仿真分析与实验验证，深入揭示了共源共栅（Cascode）氮化镓器件在单脉冲短路事件下的失效机理。研究发现了一种独特的“恢复”失效现象，并明确了器件内部两个主要的烧毁区域：栅极指状结构包围的漏极拐角处及其他关键区域。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的Cascode GaN短路失效机理及“恢复”现象，对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、短路保护策略及热管理方案具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频化产品设计中，重点关注GaN器件在极端工况...
一种基于双目标磁集成的无人机悬停充电无线电能传输链路及高分辨率动态位置检测
A Dual-Objective Magnetic Integration-Based WPT Link for UAV Hover Charging With High-Resolution Dynamic Position Detection
Changsong Cai · Yinfeng Du · Junhua Wang · Yufeng Jiang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种基于双目标磁集成的无线电能传输（WPT）链路，用于无人机（UAV）的悬停充电及动态位置检测。通过集成两对正交绕组，该方案实现了能量传输与位置感知的协同，提高了无人机在悬停状态下充电的灵活性与可靠性。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及电动汽车有线充电桩，但该研究中涉及的“磁集成技术”与“高精度位置检测”在未来电动汽车无线充电（EV Wireless Charging）及移动储能机器人领域具有潜在的技术储备价值。建议研发团队关注其磁路集...
具有纳秒级开关特性和鲁棒过压能力的1.2 kV/25 A增强型P-N结/AlGaN/GaN HEMT
1.2 kV/25 A Normally off P-N Junction/AlGaN/GaN HEMTs With Nanosecond Switching Characteristics and Robust Overvoltage Capability
Feng Zhou · Weizong Xu · Fangfang Ren · Yuanyang Xia 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
本文提出了一种基于P-N结栅极结构的1.2 kV/25 A增强型GaN HEMT。该器件具备18.2 V的栅极击穿电压和1.7 V的正阈值电压，提供了宽广的栅极偏置窗口。实验表明，该器件在10 V栅极驱动电压下表现出优异的纳秒级开关特性和极强的过压耐受能力，为高压功率转换应用提供了新方案。
解读: 该技术对阳光电源的功率电子产品线具有重要意义。1.2 kV/25 A的增强型GaN器件在高频化、小型化方面优势显著，特别适用于户用光伏逆变器及小型化储能变流器（PCS）的功率级设计。其高栅极击穿电压提升了驱动电路的可靠性，有助于降低系统损耗并提高功率密度。建议研发团队关注该器件在高频DC-DC变换器...