找到 16 条结果
10 kV E模式GaN HEMT：击穿电压提升的物理机制
10 kV E-mode GaN HEMT: Physics for breakdown voltage upscaling
Yijin Guo · Yuan Qin · Matthew Porter · Zineng Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
本文报道了一种实现10 kV高击穿电压的增强型（E-mode）GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）。通过优化器件结构与材料生长工艺，结合电场调制技术，有效提升了器件的耐压能力。研究系统分析了影响击穿电压的关键物理机制，包括二维电子气分布、缓冲层设计及表面电场调控。实验结果表明，该器件在保持低导通电阻的同时实现了超过10 kV的击穿电压，为高压功率电子器件的应用提供了可行方案。
解读: 该10kV E模式GaN HEMT技术对阳光电源的高压产品线具有重要应用价值。高击穿电压特性可显著提升ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率密度,有助于实现1500V以上高压系统设计。低导通电阻特性可降低PowerTitan等大功率产品的开关损耗,提高系统效率。此外,该GaN器件的电场调制技术...
通过多物理场发光成像显微技术实现氮化镓微米级发光二极管侧壁缺陷的高分辨率可视化
High-resolution visualization of sidewall defects in gallium nitride micro light-emitting diode via multi-physical field luminescence imaging microscopy
Jinjian Yan · Zhuoying Jiang · Linjue Zhang · Mengyu Chen · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127
本研究提出一种基于多物理场耦合的发光成像显微技术，实现了氮化镓微米级发光二极管（μLED）侧壁缺陷的高分辨率可视化。通过结合电致发光、阴极发光及应变场分布成像，精确识别了刻蚀过程中引入的非辐射复合中心与晶格损伤区域。该方法可有效关联器件局域电学与光学特性退化与侧壁缺陷的分布特征，为空间分辨缺陷表征提供了新途径，并为提升μLED器件性能与可靠性提供了重要依据。
解读: 该μLED缺陷表征技术对阳光电源GaN功率器件的质量控制和可靠性提升具有重要参考价值。通过多物理场发光成像显微技术，可以精确识别GaN器件制造过程中的缺陷，这对提升SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN功率模块的性能至关重要。特别是在高频化设计和高功率密度应用场景下，该技术有助于优化GaN器件的...
基于变斜率的感应电机零频穿越时转矩脉动抑制方法
Variable-Slope-Based Ripple Reduction Method for Speed-Sensorless Induction Motor During Zero Frequency Crossing With Optimized Boundaries
Cheng Luo · Yujie Wang · Kai Yang · Fei Xiong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
针对无速度传感器感应电机驱动（SSIMD）在零频穿越（ZFC）时，励磁电流参考值快速变化导致的转矩脉动问题，本文提出了一种基于变斜率的脉动抑制方法，通过优化边界条件，有效提升了低速下的速度观测性能与运行稳定性。
解读: 该研究聚焦于电机驱动控制算法的优化，特别是针对零频穿越时的稳定性提升。阳光电源在风电变流器及大型储能系统的电机驱动控制（如压缩机或泵类负载）中，面临类似的低速运行稳定性挑战。此算法可优化变流器在低频段的控制策略，减少电流谐波与转矩脉动，提升风电变流器及工业驱动系统的运行可靠性。建议研发团队关注该变斜...
基于相位补偿因子的负载变化下无传感器感应电机驱动低频穿越方法
Phase Compensation Factor-Based Low Frequency Crossing for Sensorless Induction Motor Drives With Changing Loads
Ruhan Li · Kai Yang · Cheng Luo · Yi Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文研究了无传感器感应电机驱动（SIMD）的转速观测方法，重点解决了在零定子频率附近转速可观测性差的问题。针对现有方法仅适用于恒定负载的局限性，提出了一种基于相位补偿因子的新方法，实现了在负载动态变化条件下的零频穿越，提升了电机驱动系统的鲁棒性与控制精度。
解读: 该技术主要应用于电机驱动控制算法领域。虽然阳光电源的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，但该研究中涉及的“零频穿越”及“无传感器观测”控制策略，在风电变流器（如双馈或直驱风机控制）以及储能系统中的辅助电机驱动应用中具有一定的参考价值。建议研发团队关注其相位补偿算法在处理低频工况下的稳定...
基于参数优化嵌入式离散时间重复ADRC的IPMSM驱动多扰动抑制
Multiple Disturbance Suppression of IPMSM Drives Based on Embedded Discrete-Time Repetitive ADRC With Optimized Parameter Selection
Cheng Luo · Zhijie Xu · Kai Yang · Wei Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
针对内置式永磁同步电机（IPMSM）驱动系统中电流环存在的周期性扰动及ADRC参数整定困难问题，本文提出了一种嵌入式离散时间重复ADRC控制策略。该方法通过引入重复控制增强了对特定频率扰动的抑制能力，并优化了控制器参数，有效提升了系统的动态性能与鲁棒性。
解读: 该技术主要针对电机驱动控制，与阳光电源的电动汽车充电桩（电机驱动相关控制）及风电变流器产品线具有技术同源性。ADRC（自抗扰控制）结合重复控制策略在处理周期性扰动方面表现优异，可提升变流器在复杂电网环境下的电流控制精度和抗干扰能力。建议研发团队关注该算法在风电变流器侧网侧电流环的应用，以优化弱电网下...
NPC逆变器驱动双三相交流电机的中点电压平衡策略
Neutral-Point Voltage-Balancing Strategies of NPC-Inverter Fed Dual Three-Phase AC Motors
Zhiqiang Dong · Chenchen Wang · Kai Cui · Qian Cheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文阐述了三电平中点钳位（NPC）逆变器驱动双三相交流电机的中点电位振荡机理。针对双三相电机驱动系统，NPC逆变器可作为六相系统或两个独立三相系统进行控制。文章在此基础上扩展了传统的控制策略，以实现中点电压的有效平衡。
解读: 该研究聚焦于三电平NPC拓扑的中点平衡控制，这与阳光电源核心产品线（如集中式光伏逆变器、大型储能PCS）中广泛使用的三电平技术高度契合。虽然本文针对的是电机驱动领域，但其提出的中点电压平衡算法对提升大功率逆变器在复杂负载下的输出电能质量、降低直流侧电容电压波动具有重要的参考价值。建议研发团队关注该平...
高阶无线电能传输系统的精确离散时间建模与边界分析
Accurate Discrete-Time Modeling and Boundary Analysis for High-Order Wireless Power Transfer Systems
Kai He · Xin Liu · Fei Gao · Xijun Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
传统频闪映射（SM）方法仅关注周期性时间点的行为，无法捕捉运行周期内多次状态变化的细节。本文提出了一种改进的全功率频闪映射（IFSM）模型，用于高阶无线电能传输（WPT）系统及DC-DC变换器的精确建模与边界特性分析。
解读: 该文章提出的IFSM建模方法主要针对高阶无线电能传输系统，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统及风电变流器核心业务关联度较低。但其核心思想——通过改进离散时间建模来提升DC-DC变换器在复杂动态下的分析精度，对阳光电源研发团队优化高频DC-DC变换器（如储能PCS中的双向DC-DC模块）的控制算法和...
一种降低共模电压幅值及三次谐波分量的虚拟空间矢量调制技术
A Virtual Space Vector Modulation Technique for the Reduction of Common-Mode Voltages in Both Magnitude and Third-Order Component
Kai Tian · Jiacheng Wang · Bin Wu · Zhongyuan Cheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月
本文提出了一种用于两电平电压源逆变器（VSI）的虚拟空间矢量调制技术。该方法通过构建虚拟空间矢量来执行调制，旨在同时降低共模电压（CMV）的幅值及其三次谐波分量，从而有效抑制漏电流，提升系统电磁兼容性。
解读: 共模电压（CMV）引起的漏电流是光伏逆变器设计中的核心痛点，尤其在组串式逆变器和户用光伏系统中，漏电流过大会导致保护误动作及电磁干扰。该虚拟空间矢量调制技术通过优化开关序列，从源头上抑制CMV，无需增加额外的硬件滤波器，有助于提升阳光电源组串式逆变器在复杂环境下的可靠性与电磁兼容性能。建议研发团队评...
一种嵌套中点钳位
NNPC）逆变器的电容电压平衡方法
Kai Tian · Bin Wu · Mehdi Narimani · Dewei Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年3月
本文提出了一种嵌套中点钳位（NNPC）逆变器的电容电压平衡方法。NNPC逆变器是一种新型四电平电压源逆变器，适用于2.4–7.2 kV中压应用，无需功率半导体串联即可实现宽电压范围运行，并具备高质量输出电压特性。
解读: NNPC拓扑作为一种高压多电平技术，对阳光电源的中压光伏逆变器及大型储能PCS产品具有重要参考价值。该技术无需器件串联即可实现高压输出，有助于提升系统功率密度和效率，降低对高压IGBT的依赖。建议研发团队关注该拓扑在大型地面光伏电站及高压储能系统中的应用潜力，重点评估其在复杂电网环境下的电容电压平衡...
一种利用低压直流源的模块化多电平变换器预充电方法
A Simple and Cost-effective Precharge Method for Modular Multilevel Converters by Using a Low-Voltage DC Source
Kai Tian · Bin Wu · Sixing Du · Dewei Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年7月
本文提出了一种利用低压直流源对模块化多电平变换器（MMC）进行预充电的简单且经济的方法。MMC在启动时需将子模块电容预充至额定电压以确保正常运行。传统方法通常依赖电网侧或直流侧，且成本较高，本文方法有效降低了预充电环节的复杂性与硬件成本。
解读: 该研究针对MMC拓扑的预充电技术，对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在大功率储能变流器（PCS）中，MMC拓扑常用于高压直流接入场景，预充电环节的可靠性与成本直接影响系统启动效率。该低成本方案有助于优化PCS的硬件设计，简化启动逻辑，提升系统集成竞...
非死区期间的最优三次电流谐波及其用于提高DCM Buck PFC变换器功率因数的控制实现
Optimum Third Current Harmonic During Nondead Zone and Its Control Implementation to Improve PF for DCM Buck PFC Converter
Kai Yao · Xufeng Zhou · Fei Yang · Siwen Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月
Buck型功率因数校正（PFC）变换器因其在全电压范围下的高效率，广泛应用于小功率场景。然而，由于固有的死区问题，其输入功率因数（PF）受限。本文研究了断续导通模式（DCM）下的Buck PFC变换器，通过在工频周期内引入最优三次电流谐波控制策略，有效改善了输入电流波形，提升了系统的功率因数。
解读: 该研究针对Buck PFC变换器的死区补偿与谐波优化，对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有参考价值。在户用储能及充电桩的前级AC/DC变换环节，通过优化控制算法而非增加硬件成本来提升功率因数，有助于满足日益严格的电网谐波标准。建议研发团队关注该谐波注入控制策略在数字控制平台（如iSolarC...
一种用于RGB虚拟像素MicroLED显示器的高效动态补偿电源缓冲器，可减少73%的重影并实现四倍屏幕分辨率
A Dynamic Compensated and 95% High-Efficiency Supply Buffer in RGB Virtual Pixel MicroLED Display for Reducing Ghosting by 73% and Achieving Four Times Screen Resolution
Kai-Cheng Chung · Jia-Jyun Lee · Jia-Rui Huang · Yan-Jiun Lai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出了一种MicroLED虚拟像素阵列设计及驱动方案。通过优化像素排列，有效提升了像素密度并降低了寄生电容，从而缓解了重影效应。驱动电路中采用动态密勒补偿技术的推挽式电源缓冲器，实现了快速瞬态响应，显著提升了显示效率与性能。
解读: 该文献聚焦于微型显示驱动电路的动态补偿与高效电源缓冲技术，属于高频小功率电力电子应用。虽然与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）在功率等级和应用场景上存在较大差异，但其提出的“动态密勒补偿技术”在提升功率模块驱动电路的瞬态响应速度、降低开关损耗方面具有一定的参考价值。建议研发团队关注...
一种用于5G基站30厘米短距离供电的6.78 MHz、90%效率谐振无线供电技术及双电压/电流调谐电感
A 6.78 MHz and 90% Efficiency Resonant Wireless Power Supply Technique With the Dual Voltage/Current Tuning Inductance to Supply 30 cm Short-Distance Base Stations for 5G Communications
Hsuan-Yu Chen · Kai-Cheng Chung · Jia-Rui Huang · Shao-Qi Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
本文提出了一种双电压/电流（V/C）电感控制器，具备良好的阻抗跟踪能力且无高压应力问题。此外，所提出的双模锁相环（D-PLL）技术，通过快速跟踪PLL与精度改进型PLL，能有效检测天线电压与电流间的相位差，适用于感性和容性负载。
解读: 该技术主要针对高频无线电能传输，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务存在技术交叉点。虽然目前阳光电源充电桩以有线传导充电为主，但随着未来无线充电技术在电动汽车及工业移动机器人（AGV）领域的渗透，该研究中提出的高频谐振拓扑及双模锁相环（D-PLL）控制策略，可作为公司在无线充电前沿技术储备中的参考。建...
同时改善具有氧化合金状氮化铪界面层的Ge n/p-FinFET及反相器的电学特性
Simultaneously Improved Electrical Characteristics of Ge n/p-FinFETs and Inverter With Oxidized Alloy-Like Hafnium Nitride Interfacial Layer
Dun-Bao Ruan · Kuei-Shu Chang-Liao · Cheng-Han Li · Zefu Zhao 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
为了同时改善锗（Ge） n 沟道和 p 沟道场效应晶体管（FET）的电学特性，本文提出了一种在锗鳍式场效应晶体管（nFinFET）、p 型鳍式场效应晶体管（pFinFET）和互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器上采用氧化程度约为 10%的类合金界面层（IL）的界面层工程。得益于通过合适的氧化工艺在类合金和富氧界面层之间实现的权衡平衡，锗 nFinFET 和 pFinFET 均表现出更低的等效氧化层厚度（EOT）值、更低的泄漏电流、更少的边界陷阱、更低的界面态密度（DIT）值、更低的亚阈值摆幅（...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于锗（Ge）FinFET的界面层工程技术对我们的核心产品具有重要的潜在价值。该技术通过氧化类合金铪氮化物界面层同时改善n型和p型器件特性，实现了更低的等效氧化层厚度（EOT）、更低的漏电流和更高的开关电流比，这些特性直接对应着我们光伏逆变器和储能变流器中功率半导体器件...
多通道LE-HEMT实现创纪录最高亮度，面向微显示与片上高探测率光电探测器
Multi-Channel LE-HEMT With Highest Luminance in Record Toward Micro-Display and On-Chip High-Detectivity Photodetectors
Jijun Zhu · Fei Wang · Tianci Miao · Kai Cheng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
本研究制备了以不同数量的 InGaN 层作为多沟道（MCs）和多量子阱（MQWs）的 AlGaN/GaN 发光高电子迁移率晶体管（LE - HEMT），在 GaN HEMT 外延片上实现了有记录以来的最高亮度。所提出的结构通过将多量子阱与二维电子气沟道直接结合，实现了真正的外延单片集成。研究表明，尽管引入了多沟道，但该结构仍实现了出色的开关比（$I_{\text {on}}$/$I_{\text {off}} = 10^{{8}}$）。获得了高达$2.1 \times 10^{{5}}$ cd/...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于AlGaN/GaN异质结构的多通道发光-高电子迁移率晶体管（LE-HEMT）技术，虽然聚焦于微显示和光通信领域，但其底层的GaN功率器件技术与我司在光伏逆变器和储能变流器中的核心技术路线存在显著的协同价值。 该技术实现的108开关比和单片集成能力，展示了GaN器件...
基于多功能MoOx/TiON层的高存储、低变异性、低功耗读写后读取超晶格HfO2/ZrO2铁电场效应晶体管存储器件
High-Storage, Low-Variability, and Low-Power Read-After-Write Superlattice HfO2/ZrO2 FeFET Memory Device by Using a Multifunctional MoOx/TiON Layer
Zheng-Kai Chen · Miau-Hua Hsiung · Zi-Rong Huang · Sheng-Min Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中，我们提出了一种与现有商用半导体器件完全兼容的多功能栅极氧化物铁电晶体管技术。与单电极不同，该电极采用了 TiN/Mo（30 纳米）/TiN 阻挡层（BL - TiN）（2.5 纳米）结构，其绝缘体由埃级层叠的 HfO₂/ZrO₂ 结构组成，每层厚度为 6.5 埃。基于界面态密度（$D_{\text {it}}$）和 X 射线光电子能谱（XPS）结果，MoOx/TiOxNy 层的引入极大地抑制了金属 - 铁电体 - 绝缘体 - 半导体（MFIS）铁电场效应晶体管（FeFET）的电荷俘获...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于HfO2/ZrO2超晶格结构的铁电场效应晶体管（FeFET）存储技术虽然属于半导体存储领域，但其核心性能突破对我司光伏逆变器和储能系统的智能控制芯片具有重要的潜在应用价值。 该技术通过引入MoOx/TiOxNy多功能层实现的三大技术突破与我司产品需求高度契合：首先...