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一种用于相腿配置中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET的改进型串扰抑制驱动拓扑
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
随着SiC MOSFET在高功率转换器中的广泛应用，其高速开关特性带来的栅源极串扰电压问题日益突出，易导致误导通及桥臂直通故障。本文提出了一种改进的驱动拓扑，旨在有效抑制串扰电压，提升高频开关下功率转换系统的可靠性与稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。该驱动拓扑能有效解决高频开关下的串扰问题，直接提升逆变器和PCS的功率密度与转换效率，同时降低因误导通导致的故障风险，显著增强产品的可...
考虑死区效应和开关损耗以降低共模电压的改进单边调制技术
Modified Single-Edge Modulation to Decrease Common-Mode Voltage With Considering Deadtime Effects and Switching Losses for Three-Phase VSIs
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
随着功率半导体开关频率的提高，抑制电压源逆变器（VSI）产生的共模电压（CMV）至关重要，以减少电磁干扰（EMI）及电机轴电流等危害。本文提出了一种基于单边载波形式的改进调制技术，在考虑死区效应和开关损耗的前提下，有效降低了系统的共模电压。
解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有重要参考价值。随着逆变器功率密度提升，EMI问题日益突出，该调制策略在优化共模电压的同时兼顾了死区效应和损耗，有助于提升逆变器在高频化趋势下的电磁兼容性（EMC）表现。建议研发团队将其应用于新一代高频化逆变器平台的控制算法优化中，以降低滤波器体积，...
基于辅助换相谐振极的超低THD直流-交流变换器及其在平面驱动系统中的SiC器件应用
Auxiliary Commutated Resonant Pole-Based DC–AC Converter With Ultralow THD for Planar Actuation System With SiC Devices
Sihang Cui · Mingyi Wang · Jiaxing Ye · Mengcui Bi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
针对平面驱动系统对超低总谐波失真（THD）的需求，本文提出了一种基于辅助换相谐振极的DC-AC变换器。该拓扑解决了传统交错半桥变换器在零交叉失真和死区效应方面的局限性，克服了硬开关和开关频率变化带来的性能瓶颈，并利用SiC器件提升了系统效率与功率密度。
解读: 该文献探讨的辅助换相谐振极技术及SiC器件的高频应用，对阳光电源的逆变器技术演进具有参考价值。虽然其应用场景为平面驱动，但其核心的软开关技术可优化组串式逆变器或储能变流器（PCS）的功率模块设计，有助于进一步降低THD并提升转换效率。建议研发团队关注该拓扑在提升高功率密度逆变器性能方面的潜力，特别是...
共源共栅GaN HEMT短路失效机理研究
Exploring Short-Circuit Failure Mechanism of Cascode GaN HEMT
Sheng Li · Qinhan Wang · Weihao Lu · Leke Wu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文通过仿真分析与实验验证，深入揭示了共源共栅（Cascode）氮化镓器件在单脉冲短路事件下的失效机理。研究发现了一种独特的“恢复”失效现象，并明确了器件内部两个主要的烧毁区域：栅极指状结构包围的漏极拐角处及其他关键区域。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的Cascode GaN短路失效机理及“恢复”现象，对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、短路保护策略及热管理方案具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频化产品设计中，重点关注GaN器件在极端工况...
基于双栅器件技术的p-GaN功率HEMT单片集成双向栅极ESD保护方案
Monolithically Integrated Bidirectional Gate ESD Protection Scheme of p-GaN Power HEMT by Dual-Gate Device Technology
Yanfeng Ma · Sheng Li · Mingfei Li · Weihao Lu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
本文提出了一种用于p-GaN功率高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片集成双向栅极静电放电（ESD）保护方案。设计采用双栅HEMT作为放电管，在几乎不牺牲器件性能的前提下，将正向/反向传输线脉冲失效电流从0.156 A/0.08 A显著提升至1.36 A/5.26 A。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器领域对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用日益广泛。该研究提出的单片集成ESD保护方案有效解决了GaN器件栅极脆弱的痛点，显著提升了器件在复杂工况下的静电耐受能力和可靠性。建议研发团队关注该双栅结构在提升功率模块鲁棒性方面的潜力，特别是在高频化、小型化的...
一种改进的串扰抑制驱动拓扑用于相腿结构中具有快速开关瞬态的SiC MOSFET
An Improved Crosstalk Suppression Driver Topology for SiC MOSFET With Fast Switching Transient in the Phase-Leg Configuration
Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
由具有快速开关瞬态特性的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）构成的功率变换器，在高性能、高功率应用中得到了广泛使用。驱动电路中具有高开关频率的宽禁带半导体器件在快速开关瞬态过程中极易受到栅 - 源极串扰电压的影响，这可能会导致互补桥臂出现误导通和直通现象。本文提出了一种基于晶体管和无源元件的改进型串扰抑制栅 - 源极驱动拓扑，以有效抑制电压源逆变器的串扰问题。该拓扑通过在必要时将辅助电路接入或移出栅 - 源极驱动电路，在不影响碳化硅功率器件性能的前提下，确保其正常运行。此...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对SiC MOSFET相桥臂配置的改进型串扰抑制驱动拓扑技术具有重要的战略价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，我们的产品正面临着功率密度提升和效率优化的双重挑战，而SiC器件的应用是实现这一目标的关键路径。 该技术直击SiC MOSFET在高频开关应用中...