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一种用于高dv/dt高频功率器件的创新栅极驱动器及电源架构表征与分析
Characterization and Analysis of an Innovative Gate Driver and Power Supplies Architecture for HF Power Devices With High dv/dt
Van-Sang Nguyen · Lyubomir Kerachev · Pierre Lefranc · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月
本文提出了一种适用于高开关频率及高切换速度功率器件的低侧/高侧栅极驱动器架构。通过优化电路设计，改变功率侧与控制侧之间传输路径的寄生电容，有效实现了电磁干扰（EMI）的抑制。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式SG系列）和储能系统（如PowerTitan）中广泛应用SiC等宽禁带半导体器件，高频化和高dv/dt带来的EMI挑战日益严峻。该研究提出的栅极驱动架构及寄生参数优化方法，对于提升功率模块的电磁兼容性、减小滤波器体积及提高系统功率密度具有直接参考价值。建议研发团队将...
一种集成死区控制的栅极驱动器
A Gate Driver With Integrated Deadtime Controller
Romain Grezaud · Francois Ayel · Nicolas Rouger · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月
本文提出了一种集成死区控制的栅极驱动器。在半桥功率变换器中，死区时间对于防止上下管直通至关重要，但过长的死区会增加续流损耗。针对传统隔离变换器中因数字输入传播延迟失配导致无法安全缩短死区的问题，该驱动器通过特定机制实现了死区的精确优化与控制，从而提升变换效率。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，开关频率不断提升，对死区时间的精度要求极高。集成死区控制的驱动器能有效降低开关损耗，提升系统整体转换效率。建议研发团队关注该芯片级集...
模块化变换器中差模传导电磁兼容
EMC）的处理
Theo Lamorelle · Yves Lembeye · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
本文分析并探讨了由标准转换单元组成的模块化变换器中差模传导电磁干扰（EMI）的管理方法。研究重点在于输入串联-输出并联（ISOP）及输入并联-输出串联（ISOS）两种配置，旨在定义一种独立于转换单元数量的通用EMI管理技术，以优化电力电子系统的电磁兼容性能。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源产品向高功率密度和模块化架构演进，多单元并联或串联带来的EMI问题日益突出。本文提出的通用EMI管理技术，有助于优化产品内部的电磁兼容设计，减少滤波器体积，提升系统集成度。建议研发团队在...
用于多功率器件串联连接中抑制共模传导EMI的栅极驱动器供电架构
Gate Driver Supply Architectures for Common Mode Conducted EMI Reduction in Series Connection of Multiple Power Devices
Van-Sang Nguyen · Pierre Lefranc · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月
本文研究了多个功率器件串联连接时的栅极驱动电路实现方案。重点分析了在高开关速度下，通过栅极驱动电路的寄生电流传播路径，并探讨了不同配置下抑制共模电流产生的优化方法。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC等宽禁带半导体器件的应用日益广泛，EMI问题成为系统设计的核心挑战。该研究提出的串联器件驱动架构及共模电流抑制技术，对于优化高压大功率变换器的电磁兼容性设计具有重要参考价值。建议研发团队在后续高压组串式...
高集成度双有源桥微型变换器的设计与实现
Design and Implementation of a Highly Integrated Dual Active Bridge Microconverter
Lyubomir Kerachev · Trung Hieu Trinh · Yves Lembeye · Jean-Christophe Crebier · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月
本文研究了一种隔离式、高集成度的低压小功率微型变换器。采用双有源桥（DAB）拓扑以减少无源元件数量。通过设计集成功率逆变桥臂及其驱动电路的“功率芯片（power die）”，实现了高集成度设计，并探讨了其在功率密度提升方面的优势。
解读: 该研究关注的DAB拓扑是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）中DC-DC变换环节的核心技术。通过“功率芯片”实现驱动与功率器件的高度集成，是提升逆变器和PCS功率密度的关键路径。建议研发团队关注该集成封装技术，以优化阳光电源户用及工商业储能产品的体积与散热性能，降低系...