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碳化硅功率晶体管的栅极和基极驱动器：综述
Gate and Base Drivers for Silicon Carbide Power Transistors: An Overview
Dimosthenis Peftitsis · Jacek Rabkowski · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
碳化硅（SiC）功率晶体管在电力电子领域日益重要，作为硅基器件的替代方案，在追求高效率、高开关频率及高温运行的场景中展现出显著优势。本文综述了SiC功率晶体管驱动电路的设计挑战与技术方案。
解读: SiC器件是阳光电源提升产品功率密度和转换效率的核心技术路径。该文献深入探讨的驱动技术直接关系到公司组串式逆变器（如SG系列）及储能变流器（如PowerTitan系列）中SiC模块的可靠性与开关性能。通过优化驱动设计，可进一步降低开关损耗，减小散热器体积，从而提升产品在高温环境下的稳定性和整机效率。...
基于高频TCM-Q2L控制的中压飞跨电容DC-DC变换器
Medium Voltage Flying Capacitor DC–DC Converter With High-Frequency TCM-Q2L Control
Rafal Kopacz · Michal Harasimczuk · Przemyslaw Trochimiuk · Grzegorz Wrona 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
本文提出了一种用于中压范围的多电平飞跨电容DC-DC变换器的新型控制方法。准两电平（Q2L）调制技术使飞跨电容容量可降至1μF以下，而三角电流模式（TCM）控制器实现了宽工作范围内的零电压开关（ZVS），有效降低了功率损耗。
解读: 该技术对阳光电源的中压储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着储能系统向更高电压等级（1500V及以上）演进，多电平拓扑结合TCM-Q2L控制能显著减小被动元件体积，提升功率密度。建议研发团队评估该拓扑在大型储能PCS中的应用潜力，特别是利用其ZVS特性优化高频化设计，以进一步降...
串联SiC MOSFET的主动电压平衡技术以实现中压SRDAB在各种关断条件下的安全运行
Active Voltage Balancing of Series-Connected SiC MOSFETs Enabling Safe Operation Under Various Turn-Off of MV SRDAB Conditions
Przemysław Trochimiuk · Rafał Miśkiewicz · Shirin Askari · Dimosthenis Peftitsis 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文针对用于电池储能系统（BES）的中压双向串联谐振双主动桥（SRDAB）变换器，提出了一种串联SiC MOSFET的主动电压平衡方案。仿真研究表明，在BES充放电过程中，电池电压的变化会导致不同的关断条件，该技术能有效保障串联器件在动态工况下的电压均衡与安全运行。
解读: 该技术对阳光电源PowerTitan及ST系列大功率储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着储能系统向更高直流侧电压等级发展，采用SiC MOSFET串联技术可有效提升功率密度并降低损耗。该主动电压平衡方案能解决高压环境下器件动态均压难题，提升系统在宽电压范围（如电池SOC变化）下的可靠性。建议研...
基于准Z源和升压拓扑的输入级高频SiC逆变器——实验对比
High-Frequency SiC-Based Inverters With Input Stages Based on Quasi-Z-Source and Boost Topologies—Experimental Comparison
Kornel Wolski · Mariusz Zdanowski · Jacek Rabkowski · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文对比了三种三相两电平逆变器拓扑：准Z源逆变器（qZSI）、带升压变换器的电压源逆变器以及带交错升压变换器的电压源逆变器。通过基于SiC MOSFET和肖特基二极管的6kW、100kHz实验样机，对各拓扑的性能进行了实测与分析。
解读: 该研究聚焦于高频SiC功率器件在不同升压拓扑中的应用，对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流趋势。qZSI拓扑在单级升压转换中具有独特优势，可简化系统结构，降低成本。建议研发团队关注高频化带来的EMI及热管理...
三电平交错式DC-DC中压SiC变换器中的共腿耦合电感配置
Common-Leg Coupled Inductor Configuration in a Three-Level Interleaved DC–DC Medium Voltage SiC-Based Converter
Michał Harasimczuk · Rafał Kopacz · Rafał Miśkiewicz · Radosław Sobieski 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文提出了一种三电平交错式DC-DC变换器中的新型共腿耦合电感结构。研究分析了该结构的调制方法，重点探讨了其对电流纹波、功率损耗及共模噪声的影响。该概念通过基于SiC器件的中压双向变换器原型进行了验证。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率组串式逆变器具有重要参考价值。随着储能系统向更高电压等级（1500V及以上）演进，利用SiC器件配合三电平拓扑可显著提升功率密度和效率。文中提出的共腿耦合电感技术能有效优化电流纹波并抑制共模噪声，有助于降低滤波器体积，...
基于SiC功率器件的6-kVA准Z源逆变器设计流程
On the Design Process of a 6-kVA Quasi-Z-inverter Employing SiC Power Devices
Mariusz Zdanowski · Dimosthenis Peftitsis · Szymon Piasecki · Jacek Rabkowski · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
本文介绍了采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管构建的6-kVA准Z源逆变器的设计流程。研究重点在于平衡转换器的效率与功率密度，探讨了开关频率等关键参数对系统性能的影响，旨在实现最优化的系统设计。
解读: 准Z源逆变器（qZSI）具备单级升降压能力，在户用光伏逆变器领域具有应用潜力。阳光电源在户用组串式逆变器中已广泛应用SiC器件以提升效率和功率密度，该文献关于SiC器件在特定拓扑下的参数优化设计方法，对公司进一步优化户用逆变器体积、降低散热成本及提升整机转换效率具有重要的参考价值。建议研发团队关注该...