Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒，有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展，增强了载流子 confinement 效应，提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明，器件具有较低的开启电压和高电流密度，同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

Yiming Yin · Heyuan Li · Shiqi Gao · Yong Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

本文提出了一种用于电能无线传输（IPT）的新型集成低剖面接收器（RX）。针对现有集成方案结构复杂及介质材料插入的问题，该研究利用经典三层RX结构，通过新型激励方式实现了结构电感与电容的自谐振，简化了系统设计并降低了辐射干扰。

解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在有线光伏逆变器、储能系统及直流充电桩，但无线充电技术是电动汽车充电领域的前沿方向。该研究提出的低剖面、高集成度接收器方案，对未来阳光电源探索电动汽车无线充电桩产品线具有一定的技术储备价值。建议研发团队关注其在提升功率密度和降低...

Heyuan Li · Minfan Fu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

感应式电能传输（IPT）技术在无线充电中广泛应用，但其天线效应易产生电磁干扰（EMI）。本文深入分析了辐射EMI的产生机理，研究了电容和电感在不同频率下的特性，并提出了有效的抑制方法，旨在降低对周边环境的电磁影响。

解读: 该研究关注无线充电系统中的电磁兼容（EMC）问题，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。随着大功率、高频化充电技术的发展，辐射EMI控制是产品通过认证及提升可靠性的关键。建议研发团队借鉴文中关于无源器件高频特性的分析方法，优化充电桩内部功率模块的布局与滤波设计，以降低电磁辐射，提升产品在复杂电...

Heyuan Li · Haoyu Wang · Junrui Liang · Minfan Fu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

感应电能传输系统中的耦合器结构易产生电磁干扰（EMI）。本文提出在E类逆变器驱动的高谐振系统中应用扩频技术以抑制EMI。针对传统E类逆变器在单频优化下引入扩频会导致硬开关的问题，文章探讨了解决方案。

解读: 该技术主要针对无线充电领域，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有一定技术关联。虽然目前主流充电桩以有线为主，但随着无线充电技术在电动汽车及工业移动机器人领域的潜在应用，E类逆变器的高频高效特性及EMI抑制策略可作为前瞻性技术储备。建议研发团队关注该拓扑在小功率、高频化充电模块中的应用潜力，特别是在提升...