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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

60Co γ辐照引起的p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT漏电机制

Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs

Danmei Lin · Xuefeng Zheng · Shaozhong Yue · Xiaohu Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了60Co γ射线辐照对p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)栅极漏电特性的影响。实验结果表明,辐照后栅极漏电流显著增加,主要归因于γ光子诱导的位移损伤在p-GaN/AlGaN界面附近形成受主型缺陷,导致隧穿势垒降低和漏电路径增强。通过电容-电压与电流-电压特性分析,确认辐照诱发的缺陷能级位于禁带中下部,促进了Frenkel对的生成与载流子热发射过程。该工作揭示了p-GaN基HEMT在辐射环境下的可靠性退化机制。

解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用的可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的γ辐照导致p-GaN栅极漏电增加的机理,可指导我们在SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的防护设计。特别是对于航天级或核电站配套的特种变流设备,需要重点考虑辐照环境下GaN器件的栅极可靠性问题。建议在功率模块设计时采...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

一种具有增强功率和线性性能的AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道HEMT

An AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN graded channel HEMT with enhanced power and linearity performance

Xiang Du · Can Gong · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlN/Al_x_Ga1-_x_N/GaN梯度沟道结构的高电子迁移率晶体管(HEMT),旨在提升器件的功率与线性性能。通过在沟道层引入Al组分渐变的Al_x_Ga1-_x_N缓冲结构,并结合超薄AlN插入层,有效调控了二维电子气分布,增强了载流子输运特性,同时降低了短沟道效应。实验结果表明,该器件在保持高开关比的同时,显著提高了击穿电压、最大电流密度及跨导峰值。此外,线性跨导和栅极电容特性的改善有效提升了器件的线性度与高频稳定性。该梯度沟道设计为高性能射频与功率放大器应用提供了...

解读: 该梯度沟道GaN HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过AlN/AlGaN梯度结构提升的击穿电压和电流密度特性,可显著提高SG系列逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。改善的线性度和高频特性有助于优化车载OBC和充电桩的EMI性能。该器件在高压大功率应用场景下的优异开关特性,可支...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

材料创新与界面工程协同优化以缓解高功率氮化镓基蓝光激光二极管中的COD

Synergistic optimization of material innovation and interface engineering for COD mitigation in high-power GaN-based blue laser diodes

Qiangqiang Guo · Shuiqing Li · Heqing Deng · Zhibai Zhong 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

针对高功率GaN基蓝光激光二极管中常见的灾变性光学损伤(COD)问题,本文提出了一种材料创新与界面工程协同优化的策略。通过改进电子阻挡层设计并引入高Al组分渐变层,有效抑制了电子泄漏并提升了空穴注入效率;同时优化p型欧姆接触界面,显著降低了接触电阻与界面缺陷密度。实验结果表明,该协同优化方法大幅提高了器件的COD阈值与可靠性,为高性能激光二极管的开发提供了关键技术路径。

解读: 该研究在GaN器件COD可靠性提升方面的创新对阳光电源的高频化产品布局具有重要参考价值。通过材料与界面优化提升的GaN器件可靠性,可直接应用于新一代SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频DC/DC模块,以及车载OBC等对功率密度要求较高的产品。特别是其提出的界面工程优化方法,有助于提升阳光电源...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管

Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts

Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺,显著提升了空穴浓度与迁移率,实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性,最大漏极电流密度超过110 mA/mm,跨导达15 mS/mm,亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。

解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于:1)ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块,p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换;2)车载OBC和电机驱动系统,p沟道器件可简化...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示

Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

基于栅源电压差的并联SiC MOSFET瞬态电流均流方法

Transient Current Sharing Method for Parallel SiC MOSFETs Based on Gate-Source Voltage Difference

Hao Pan · Haichuan Zhou · Zhen Wang · Yufeng Zhao 等5人 · IET Power Electronics · 2025年4月 · Vol.18

本文建立了数学模型,用于分析和抑制并联SiC MOSFET在开关过程中的瞬态电流不平衡。通过提取与注入栅极电流以调节各器件间的栅源电压差异,所提出的控制策略显著降低了瞬态不平衡电流,有效实现了动态电流均分,提升了并联器件的电流共享性能,同时降低了设备过流风险。

解读: 该并联SiC MOSFET瞬态电流均流技术对阳光电源的大功率产品具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的高功率密度模块设计,特别是1500V系统中的并联SiC器件应用场景。通过优化栅极驱动控制策略,有效解决了大功率产品中并联器件的动态电流分配问题,提升了系统可靠性。这...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化:电热与陷阱机制

Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下,不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗,低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析,表明高阻抗下自热效应更强,但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速,加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试,识别出浅能级陷阱的激活是退化主因,并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制,可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域,可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

光伏发电技术 ★ 5.0

通过锑掺杂提高柔性Cu2ZnSn(S,Se)4太阳能电池效率与机械稳定性的研究

Insights into enhanced efficiency and mechanical stability of flexible Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells through antimony doping

Luanhong Sun · Hao Hu · Wei Wang · Qing Lin 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.294

在保持柔性太阳能电池机械耐久性的同时确保其光伏效率,是柔性CZTSSe太阳能电池面临的一项重大挑战。本文提出了一种创新的Sb掺杂方法,用于调控缺陷,从而减轻由缺陷引起的显著开路电压损失,并提升柔性太阳能电池的机械稳定性。当SbCl3浓度为0.8 mol/L时,CZTSSe吸光层的晶体质量得到显著改善,且未改变原有的锡锌矿结构。其孔隙率和残余应力分别从8.19%显著降低至2.18%,残余应力则从−10.11 GPa减小至−3.84 GPa。因此,在此基础上制备的CZTSSe/CdS异质结表现出最优...

解读: 该柔性CZTSSe太阳能电池技术通过Sb掺杂提升光电转换效率和机械稳定性,对阳光电源SG系列光伏逆变器和分布式光伏系统具有重要应用价值。其异质结能带优化(CBO=-0.23eV)和缺陷调控机制可为我司MPPT算法优化提供理论依据,500次弯曲循环后保持90%效率的机械耐久性,适配建筑一体化BIPV场...

电动汽车驱动 DC-DC变换器 多物理场耦合 ★ 4.0

具有零输入电流纹波和扩展ZVS范围的Y源DC-DC变换器

A Y-Source DC–DC Converter With Zero Input Current Ripple and Extended ZVS Range

Enpeng Yan · Panbao Wang · Hao Wang · Wei Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

本文提出了一种具有零输入电流纹波和扩展零电压开关(ZVS)范围的Y源DC-DC变换器(YSC)。通过阻断电容隔离三端耦合电感(TTCI)中的直流电流,确保磁芯无直流偏置,同时实现开关管和二极管的电压钳位,抑制电压振荡。所有开关均工作在ZVS条件下,有效降低开关损耗与电磁干扰。新增辅助支路可消除输入电流纹波,并减小主开关导通时输入电感电流,从而拓展ZVS实现范围。文中深入分析了工作模态,建立了TTCI的等效模型以研究励磁电感对电压增益的影响,并探讨了全功率范围内实现ZVS的条件。最后,通过一台32...

解读: 该Y源DC-DC变换器的零输入电流纹波和扩展ZVS技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST储能变流器中,零输入电流纹波可显著降低电池侧电流应力,延长电池寿命,三端耦合电感的无直流偏置设计可减小磁性元件体积;在车载OBC充电机中,全功率范围ZVS实现可提升轻载效率,降低EMI,满足车规级电磁兼...

储能系统技术 储能系统 多电平 ★ 4.0

通过氧等离子体处理改善三层HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM的阻性开关特性

Improved Resistive Switching Characteristics by O2 Plasma Treatment in Tri-Layer HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM

Shyh-Jer Huang · Wei-Hsuan Hsieh · Rong-Ming Ko · Zi-Hao Wang 等5人 · IEEE Access · 2025年1月

研究采用射频溅射工艺制备HfO2/Al2O3/HfO2三层结构7/6/7纳米并进行氧等离子体处理作为RRAM有源层。与单层HfO2和未处理三层结构相比,等离子体处理器件显著提升了性能:更高的开关电流比、超过1600次的耐久性、超过10^4秒的稳定保持特性,并通过调节限流实现可靠的多电平开关行为。该工作突显了等离子体处理对改善开关均匀性和电稳定性的有效性,为高密度多电平非易失性存储器应用提供了可扩展的工业友好制造工艺。

解读: 该RRAM研究对阳光电源储能系统的可靠性和寿命管理有重要参考价值。RRAM的多电平存储特性与阳光PowerTitan储能系统的电池管理算法优化需求一致,等离子体处理工艺提升的耐久性和稳定性为阳光储能BMS开发非易失性参数存储提供了技术路径。三层结构的低功耗高可靠性特点符合阳光电源在储能变流器PCS控...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

栅极开关不稳定性下1700 V平面栅SiC MOSFET的退化依赖性分析与建模

Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability

Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在各种电力电子应用中日益普及。然而,与栅极氧化物相关的重大可靠性问题阻碍了它们的广泛应用。交变栅极偏置下的阈值电压漂移,通常称为栅极开关不稳定性(GSI),对可靠性构成了重大挑战。鉴于碳化硅 MOSFET 在功率转换器中广泛使用,与传统的偏置温度不稳定性相比,研究 GSI 具有实际意义。本研究系统地探究了 1700 V 平面栅碳化硅 MOSFET 对栅极偏置、温度和开关时间等因素的依赖性,并基于物理解释给出了加速因子的形式。...

解读: 从阳光电源的业务场景来看,这项关于1700V平面栅SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)的研究具有重要的工程应用价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中,1700V级SiC MOSFET正逐步替代传统IGBT成为核心功率器件,其高频开关特性和低损耗优势能够显著提升系统效率和功率密度。...

储能系统技术 储能系统 多电平 ★ 5.0

一种适用于多种运行工况的模块化多电平换流器集成电池储能系统电磁暂态仿真模型

An Electromagnetic Transient Simulation Model of MMC-BESS for Various Operating Conditions

Shunliang Wang · Minghao Huang · Hao Tu · Rui Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年8月

现有模块化多电平换流器集成电池储能系统(MMC-BESS)的电磁暂态(EMT)仿真模型常存在计算效率低和故障行为模拟不准确的问题。为此,本文提出一种高效的EMT仿真模型。该模型改进了详细等效模型(DEM),考虑了同一桥臂中两个开关同时关断的复杂工况;通过引入辅助PSCAD开关并利用其内置插值算法模拟换流器闭锁状态,结合补充判据公式模拟电池断开过程,并提出加速计算方法以进一步提升仿真效率。在PSCAD/EMTDC环境下,针对HVDC系统进行了稳态、暂态及故障工况的仿真验证,结果表明所提模型具有较高...

解读: 该MMC-BESS电磁暂态仿真模型对阳光电源PowerTitan大型储能系统和ST系列储能变流器的研发具有重要价值。模型通过改进DEM算法和辅助开关插值技术,可精确模拟换流器闭锁、电池断开等复杂故障工况,直接支撑阳光电源多电平储能变流器的拓扑优化设计。高效仿真能力可加速产品在HVDC储能应用场景下的...

氢能与燃料电池 储能系统 ★ 4.0

基于氧化铈电解质的400 °C可工作固体氧化物燃料电池用于物联网无线传感器供电

400 °C operable SOFCs based on ceria electrolyte for powering wireless sensor in internet of things

Muhammad Akbara1 · Qi Ana1 · Yulian Ye · Lichao Wu 等11人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

摘要 固体氧化物燃料电池(SOFCs)能够提供高效且清洁的电力,但其高温运行瓶颈限制了广泛应用。如果能够开发出替代性电解质以降低工作温度,则SOFC的应用场景有望进一步拓展,例如应用于物联网(IoT)系统的电源。本文作为概念验证,开发了一种基于沉淀法制备的CeO₂电解质、可在400 °C下工作的SOFC,用于为物联网系统中的无线传感器供电。材料研究表明,CeO₂电解质样品形成一种涂层结构,其中非晶态碳酸盐薄层覆盖在CeO₂颗粒表面,从而促进快速的混合质子与氧离子传输。所制备的基于CeO₂电解质的...

解读: 该400°C低温固体氧化物燃料电池技术为阳光电源储能系统提供创新思路。CeO2电解质实现的快速质子-氧离子混合传输机制,可启发ST系列PCS在多能源耦合场景的控制策略优化。其0.65W/cm²功率密度及150小时稳定性,结合超级电容充电管理,与PowerTitan储能系统的能量管理单元设计理念契合。...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 构网型GFM ★ 5.0

考虑数字采样过程的构网型逆变器混合导纳模型

Hybrid Admittance Model for Grid-Forming Inverters Considering Digital Sampling Process

Shunliang Wang · Yalong Chen · Hao Tu · Junpeng Ma 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年9月

针对构网型逆变器,其数字控制中的采样过程将电流电压信号转换为离散域。忽略该过程的连续域导纳模型精度降低,可能导致错误的稳定性判断。为此,本文提出一种考虑数字采样过程的混合导纳建模方法,综合了采样物理特性、控制器的离散性及逆变器被控对象的连续性,提升了模型精度,适用于逆变器-电网系统的稳定性分析。采用零阶保持器的传递函数采样等效于其阶跃不变Z变换,避免了采样引起的无穷级数问题。相比现有模型,所提方法在奈奎斯特频率附近及更高频段仍保持高精度。仿真与硬件在环实验验证了该方法的有效性。

解读: 该混合导纳建模方法对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统的构网型GFM控制具有重要应用价值。当前ST储能系统在弱电网并网时,数字控制采样延迟导致的高频振荡问题影响系统稳定性。该方法通过零阶保持器的阶跃不变Z变换精确建模采样过程,可提升奈奎斯特频率附近的导纳模型精度,优化ST系...

储能系统技术 储能系统 LLC谐振 ★ 5.0

双向推挽正激LLC谐振变换器研究

Research on Bidirectional Push-Pull Forward LLC Resonant Converter

Qinglin Zhao · Xinao Li · Jing Yuan · Deyu Wang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

提出双向推挽正激LLC谐振变换器,应用于电动汽车、储能和可再生能源领域。变换器由低压侧推挽正激电路和高压侧带谐振腔的倍压整流器组成。为调节正向运行增益,高压侧设置辅助电感。倍压整流器二极管用MOSFET替代实现双向功率流。变换器采用脉冲频率调制(PFM),不仅抑制开关电压尖峰,还实现整流器零电流开关(ZCS)和主开关零电压开关(ZVS)。构建1kW实验样机,低压侧电压范围48-72V,高压侧380V。正向运行最高效率94.9%,反向运行最高效率95.2%。

解读: 该双向推挽正激LLC谐振变换器技术对阳光电源储能和电动汽车电源产品有重要应用价值。推挽正激与LLC谐振结合拓扑可应用于ST储能系统的双向DC-DC变换器,提高效率并降低电压应力。软开关技术对阳光电源车载OBC和储能变流器的高频化和高功率密度设计有借鉴意义。该技术对户用储能系统的宽电压范围适应和双向充...

储能系统技术 储能系统 DAB 模型预测控制MPC ★ 5.0

考虑互联电感的高变比双有源桥变换器模型预测控制

Model Predictive Control of High-Turn-Ratio Dual Active Bridge Converter

Yiren Zhu · Xinyang Hao · Tao Yang · Zhenyu Wang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月

在多电飞机(MEA)直流配电系统中,双有源桥(DAB)变换器用于管理不同直流母线间或储能设备(如电池)的功率传输。但因低压(LV)H桥电流变化率较高和电流幅值大,LV板与变压器间互联电感不可忽略,其在变压器次级侧引入明显电压降,可能导致功率控制不准确。为解决该问题,开发DAB变换器综合数学模型用于移动离散控制集模型预测控制(MDCS-MPC)方法以最小化稳态误差。该模型明确包含互联电感影响并进一步研究传输功率与LV侧电压降间关系。1000W DAB样机实验验证了模型和MDCS-MPC方法有效性,...

解读: 该考虑互联电感的DAB模型预测控制技术对阳光电源高变比变换器设计有重要参考价值。互联电感建模方法可应用于ST储能变流器的大功率DAB模块,提高功率控制精度。MDCS-MPC算法对阳光电源航空和特种电源领域的高可靠性要求有借鉴意义。该技术对PowerTitan储能系统的宽电压范围DC-DC变换和动态响...

储能系统技术 ★ 5.0

新型屏蔽式主动磁悬浮轴承的自感知建模与控制

Self-Sensing Modeling and Control of a Novel Canned Active Magnetic Bearing

Rui Zhang · Ning Wang · Wei Hao · Liwei Song · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年8月

磁轴承在飞轮储能等能量转换领域的应用越来越广泛。为了拓展磁轴承的应用领域,使其能在腐蚀性液体等恶劣环境中工作,本文提出了一种新型屏蔽式主动磁轴承(CAMB)。分别在转子外表面和定子内表面焊接一层非磁性且耐腐蚀的金属屏蔽套。为了降低成本、减小体积并提高环境适应性,对转子位移估计策略进行了研究。本文提出了一种考虑气隙边缘效应、磁饱和和涡流的自传感模型,分析了边缘效应对自传感精度的影响机制,提出了一种考虑磁饱和的双绕组协同估计策略。最后,搭建了屏蔽式主动磁轴承的自传感实验平台,验证了所提出的自传感模型...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,该论文提出的罐式主动磁悬浮轴承(CAMB)技术具有重要的战略价值。磁悬浮轴承在飞轮储能系统中的应用正逐步成为高性能储能技术的关键支撑,而该技术通过在转子和定子表面焊接非磁性耐腐蚀金属罐体,显著提升了系统在恶劣环境下的适应性,这与我司储能产品面临的多样化应用场景高度契合...

风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

考虑隐变量相互辅助的电力系统高斯混合模型不确定性建模

Gaussian Mixture Model Uncertainty Modeling for Power Systems Considering Mutual Assistance of Latent Variables

Xiao Yang · Yuanzheng Li · Yong Zhao · Yang Li 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年1月

高斯混合模型(GMM)与狄利克雷过程混合模型(DPMM)常用于刻画电力系统中的不确定性,通常采用期望最大化(EM)算法求解。然而,在处理大规模不确定变量数据时,传统方法难以在较低时间消耗下准确获取模型参数。为此,本文提出一种考虑隐变量相互辅助的GMM不确定性建模方法。首先构建不确定变量的GMM,利用条件概率描述隐变量间的相互辅助关系;进而改进EM算法,在E步和M步中引入条件概率,并重新推导GMM参数的闭式解。基于澳大利亚实际风电与负荷数据的实验结果表明,所提方法在建模效率与精度方面均优于传统GM...

解读: 该研究提出的GMM不确定性建模方法对阳光电源储能和风电产品具有重要应用价值。该方法可应用于ST系列储能变流器和PowerTitan系统的功率预测与调度优化,提升系统对风电、负荷等不确定性的建模精度。特别是在大规模储能电站中,该方法可提高计算效率,为iSolarCloud平台提供更准确的发电/用电预测...

光伏发电技术 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

一种用于光伏/热系统的新型三维光-电-热耦合数值模型

A novel 3D opto-electro-thermal coupling numerical model for photovoltaic/thermal systems

Hao Wang · Weiding Wang · Yukai Liu · Yongquan Lai 等9人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.324

摘要 光伏/热(PV/T)系统通过回收废热并降低光伏电池的工作温度,为提升能量转换性能提供了有前景的解决方案。数值模拟可进一步优化这些PV/T系统的性能。然而,目前报道的PV/T模型多采用简化假设,未能充分考虑太阳能电池局部区域的电-热耦合效应,因而难以准确反映其内在的物理机制。为解决这一问题,本文建立了一种基于漂移-扩散方程的钙钛矿PV/T系统新型光-电-热耦合数值模型。该模型能够在网格单元尺度上研究光学、电学与热学能量之间的能量转换机制。基于所建立的模型,通过一种改进的加权总效率评价指标,分...

解读: 该光-电-热三维耦合模型对阳光电源SG系列光伏逆变器及光伏热电联产系统具有重要价值。研究揭示的温度-效率关联机制可优化MPPT算法,通过实时温度补偿提升发电效率;环境温度每升高40°C导致8.45%效率损失的发现,为逆变器散热设计及降额曲线优化提供理论依据。模型中光照强度与最优流量的匹配策略,可应用...

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