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动态条件下感应电能传输的变频控制器
Variable Frequency Controller for Inductive Power Transfer in Dynamic Conditions
Eleni Gati · Georgios Kampitsis · Stefanos Manias · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年2月
本文提出了一种用于动态条件下串联-串联补偿非接触式充电器的变频控制器。该控制器能实时跟踪输出电压与负载无关的特定频率，从而在复杂动态环境中实现高效稳定的电能传输，特别适用于无人机或水下航行器等移动场景。
解读: 该研究涉及的无线电能传输（IPT）技术与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务具有技术同源性。虽然目前阳光电源充电桩以有线快充为主，但该变频控制算法在实现负载独立输出方面的研究，可为未来大功率无线充电技术储备提供参考。建议研发团队关注该控制策略在动态负载匹配中的应用，以提升未来移动充电场景下的系统效率与稳...
用于高功率密度变换器的紧凑型流体分配微通道多器件冷却技术
Efficient Microchannel Cooling of Multiple Power Devices With Compact Flow Distribution for High Power-Density Converters
Remco van Erp · Georgios Kampitsis · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
本文提出了一种针对多功率器件的高效紧凑冷却方案，通过将多个微流体冷板集成于晶体管表面实现局部热提取。利用3D打印的紧凑型流体分配歧管将冷板并联，有效降低了微通道带来的高压降，在提升功率密度的同时优化了热管理性能。
解读: 随着阳光电源PowerTitan液冷储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，散热已成为制约性能提升的关键瓶颈。该技术提出的微通道局部冷却与3D打印流体分配方案，能显著降低功率模块（如SiC/IGBT）的结温，提升系统可靠性与功率密度。建议研发团队关注该技术在下一代高密度PCS模块中的应用，通过优化...
并联SiC JFET在正向和反向导通模式下的强制电流均衡研究
Forced Current Balancing of Parallel-Connected SiC JFETs During Forward and Reverse Conduction Mode
Sotirios G. Kokosis · Ioannis E. Andreadis · Georgios E. Kampitsis · Pavlos Pachos 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年2月
本文深入研究了最新一代垂直沟槽型碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）在并联连接下的正向和反向导通特性。通过对增强型和耗尽型SiC JFET的静态与动态特性进行全面分析，探讨了电流均衡、可靠性及相关参数的影响，为高功率密度电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中对高功率密度和高效率的要求不断提升，SiC器件的应用已成为核心竞争力。本文对SiC JFET并联均流特性的研究，对于优化大功率逆变器及PCS模块的功率器件并联方案具有重要参考价值。建议研发团队关注JFET在反向导通模式下的损耗特性，这有助...
一种基于钳位电路的高频飞跨电容多电平逆变器电压测量系统
A Clamping-Circuit-Based Voltage Measurement System for High-Frequency Flying Capacitor Multilevel Inverters
Georgios Kampitsis · Efstratios I. Batzelis · Paul D. Mitcheson · Bikash C. Pal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
随着高频飞跨电容（FC）多电平逆变器在提升功率密度方面的应用日益广泛，对其电压监测系统的紧凑性、响应速度及精度提出了更高要求。本文设计并开发了一种新型FC电压测量系统，通过对逆变器开关节点的精确采样，实现了高效的电压监测。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升，多电平拓扑（如NPC或飞跨电容结构）在提高效率和减小磁性元件体积方面优势显著。该测量系统提出的高精度、紧凑型电压监测方案，有助于解决多电平拓扑中电容电压平衡控制的难点，提升逆变器在极端工况下的可...
基于硅基氮化镓肖特基势垒二极管的超紧凑高频功率集成电路
Ultra-compact, High-Frequency Power Integrated Circuits Based on GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes
Luca Nela · Remco Van Erp · Georgios Kampitsis · Halil Kerim Yildirim 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文展示了硅基氮化镓（GaN-on-Si）三阳极肖特基势垒二极管（SBDs）的规模化应用。尽管GaN晶体管已广泛应用，但GaN二极管的商业化进程滞后。研究验证了该器件在提升功率电路设计性能及实现超紧凑、高频化方面的潜力。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能产品具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向高功率密度和高频化演进，GaN器件在减小磁性元件体积、提升整机效率方面优势显著。建议研发团队关注GaN-on-Si SBD的可靠性验证，探索其在微型逆变器或高频DC-DC变换器中的应用，以进一步优化PowerStack...