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无底板SiC MOSFET功率模块封装方案研究
Investigation of Packaging Solutions for SiC MOSFET Baseplateless Modules
Elena Mengotti · Ivana Kovacevic-Badstuebner · Enea Bianda · Christoph Kenel 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
本文对四家供应商的1200V碳化硅（SiC）MOSFET无底板功率模块进行了功率循环能力对比研究。通过统计学分析评估了不同封装技术下的长期可靠性表现，旨在客观对比各封装方案的性能差异。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的选型与可靠性设计。随着SiC器件在光伏和储能变流器中的广泛应用，无底板封装技术能有效提升功率密度并降低系统成本。阳光电源应参考该研究的功率循环测试方法，建立针对不同供应商SiC模块的可靠性评估标准，优化模块封...
一种利用门极-阴极电压提取IGCT导通期间结温的准确方法
A Method to Extract the Accurate Junction Temperature of an IGCT During Conduction Using Gate–Cathode Voltage
Umamaheswara Reddy Vemulapati · Enea Bianda · Daniele Torresin · Martin Arnold 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月
本文提出了一种通过测量集成门极换流晶闸管（IGCT）门极-阴极电压，在器件导通状态下准确提取结温的新方法。研究表明，门极-阴极电压是阳极电流和结温的函数，该方法为实现功率器件的实时热监测提供了简便有效的技术路径。
解读: 虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC MOSFET技术，而非IGCT，但该研究提出的“基于电参数（门极电压）进行结温监测”的思路具有极高的参考价值。在阳光电源的高功率密度产品设计中，实时结温监测是提升功率模块可靠性和寿命预测的关键...