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对称与非对称感应波形下软磁材料的能量损耗
Energy Losses in Soft Magnetic Materials Under Symmetric and Asymmetric Induction Waveforms
Hanyu Zhao · Carlo Ragusa · Carlo Appino · Olivier de la Barriere 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月
本文研究了在宽频率范围(最高1 MHz)及不同占空比(0.5至0.1)下,三角对称与非对称感应波形对软磁材料(Fe-Si、Fe-Co、纳米晶及Mn-Zn铁氧体)磁损耗的影响,并基于正弦波激励下的标准测量结果提出了损耗预测模型。
解读: 磁性元件(电感、变压器)是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器中的核心损耗源。随着高频化趋势(如SiC/GaN应用),磁芯损耗评估变得复杂。本文提出的非对称波形损耗预测模型,可直接优化阳光电源高频磁性元件的设计,提升逆变器与PCS的整机效率与功率密度...
缓冲层自由AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的自感应光电离
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
Francesco De Pieri · Mirko Fornasier · Veronica Gao Zhan · Manuel Fregolent 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月
本文研究了碳化硅衬底上无缓冲层的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)中的去俘获机制及其与外加偏压的关系。研究表明,当器件处于半导通状态偏置,或者在源极和漏极接地的情况下对栅肖特基结施加正向偏压时,去俘获时间常数会减小几个数量级。尽管在电荷输运和发光方面涉及完全不同的机制,但这两种偏置条件都会引发高能光子(能量 E > 2 电子伏特)的发射,这些光子可以使陷阱发生光电离,从而加速恢复过程。本文所展示的数据表明,只有在器件建模中考虑光学效应,才能对氮化镓器件的行为进行真实的描述。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于无缓冲层AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)陷阱自致光电离机制的研究具有重要的技术价值。GaN器件凭借其高频、高效、高功率密度特性,已成为我司新一代光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,直接影响系统效率和可靠性。 该研究揭示的陷阱去捕获机制对我司产品优...
肖特基p-GaN栅极功率HEMT的正向阈值电压漂移:对温度、偏置和栅极漏电流的依赖性
Positive VTH Shift in Schottky p-GaN Gate Power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate Leakage
Nicola Modolo · Carlo De Santi · Sebastien Sicre · Andrea Minetto 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文深入分析了增强型肖特基p-GaN栅极HEMT器件中正向阈值电压的不稳定性。通过定制的测试平台,研究了从微秒到数百秒时间跨度内,阈值电压漂移与电压、温度及栅极漏电流之间的依赖关系,为理解宽禁带器件的长期可靠性提供了关键数据支持。
解读: GaN器件作为下一代功率半导体,在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有极高的应用潜力,能显著提升功率密度和转换效率。本文研究的p-GaN栅极不稳定性是制约其大规模商业化应用的关键可靠性问题。建议阳光电源研发团队关注该漂移特性对逆变器长期运行中驱动电路设计及开关频率优化的影响,特别是在高温...
垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET关断状态偏置诱导不稳定性实验与数值分析
Experimental and Numerical Analysis of Off-State Bias Induced Instabilities in Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
Nicolò Zagni · Manuel Fregolent · Giovanni Verzellesi · Francesco Bergamin 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
本文分析了伪垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET(TMOS)在关断状态应力下的阈值电压(VT)动态不稳定性。实验表明,关断应力会导致VT逐渐升高,且仅在高温循环后才能完全恢复,在室温下表现为永久性退化。
解读: GaN作为第三代宽禁带半导体,在提升功率密度和转换效率方面具有巨大潜力。该研究揭示了垂直GaN沟槽器件在关断状态下的阈值漂移机理,这对阳光电源未来在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中引入高性能GaN器件至关重要。建议研发团队在评估GaN器件选型时,重点关注其在高温环境下的长期可靠性与阈值稳定性,并针...
可切换激光与超辐射模式的带间级联器件
Interband cascade devices with switchable laser and superluminescence mode
De Carlo · Close Modal · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.126
超辐射发光二极管通常难以制备且无法切换至激光工作模式。本文展示了一种可同时实现激光与超辐射发光功能的实用型器件,其工作模式通过独立电极实现电学调控。基于带间级联增益介质制备的器件最高实现了200 μW的超辐射输出功率。该电控可切换机制结合了激光器良好的光束准直性与超辐射二极管宽带、低相干性的优点,具有在集成光学与传感中的应用潜力。
解读: 该可切换激光/超辐射器件技术对阳光电源光伏逆变器和储能系统的智能传感监测具有应用价值。其宽带低相干特性可用于SG系列逆变器的光纤电流/温度传感,实现IGBT模块和母排的精密监测;激光模式的高准直性适用于PowerTitan储能系统的烟雾探测和电弧故障诊断。电学可切换机制可根据工作场景动态调整:正常运...
无缓冲层GaN-on-SiC功率晶体管中的电流崩塌:Maxwell-Wagner效应及相关模型
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
Alberto Cavaliere · Nicola Modolo · Carlo De Santi · Christian Koller 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
近年来,使用绝缘衬底已成为制造耐压超过 1 kV 的氮化镓(GaN)功率晶体管的可行方案。这类结构颇具吸引力,因为无需使用掺杂缓冲层,所以——理想情况下——有望实现较低的动态导通电阻( ${R}_{\text {DSON}}$ )。本文研究了无缓冲层的碳化硅(SiC)基氮化镓器件中,负背栅偏压引起的可恢复(且与温度相关)的电流降低现象。值得注意的是,我们证明了这种效应并非直接与电荷俘获有关,而是与麦克斯韦 - 瓦格纳效应有关,即绝缘碳化硅衬底与半绝缘氮化镓层界面处的电荷迁移。据此,我们定义并验证...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于无缓冲层GaN-on-SiC功率晶体管电流崩塌机理的研究具有重要的战略参考价值。 在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率半导体器件是决定系统效率、功率密度和可靠性的关键要素。该论文揭示的无缓冲层GaN-on-SiC结构能够实现超过1kV的耐压等级,且理论上具有...
由于栅极空穴注入与复合,p-GaN/AlGaN/GaN HEMT的栅极可靠性增强
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
Manuel Fregolent · Carlo De Santi · Mirco Boito · Michele Disarò 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月
本文深入揭示了在正向栅极应力下,具有p-GaN栅的常关型GaN HEMT器件退化机制,提出并验证了栅极空穴注入与界面复合对器件可靠性的关键作用。研究表明,空穴注入可有效中和栅介质层中的正电荷,抑制阈值电压漂移,同时降低栅极漏电流。通过优化p-GaN层掺杂与界面质量,显著提升了器件在长期应力下的稳定性。该机制为提升GaN基功率器件的栅极可靠性提供了新的理论依据和技术路径。
解读: 该p-GaN栅极可靠性增强机制对阳光电源GaN功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN HEMT可实现更高开关频率和功率密度,但栅极可靠性是制约其大规模应用的关键。研究揭示的空穴注入抑制阈值漂移机制,为优化PowerTitan储能系统中GaN器件的长期稳定性提供理论依...
硅异质结光伏组件裂纹建模:一个真实世界的案例研究
Modeling Cracks in Silicon-Heterojunction Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
Marco Nicoletto · Davide Panizzon · Alessandro Caria · Nicola Trivellin 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年7月
本研究通过分析裂纹在低电流和高电流条件下对硅异质结光伏(PV)组件的电学和热学行为的影响,探究了裂纹对硅异质结光伏组件的影响。研究针对遭受严重雹灾的光伏组件展开,此次雹灾产生的冰雹直径达16厘米,远超标准测试尺寸(IEC 61215)。研究采用电致发光(EL)和红外(IR)热成像技术,结合暗态和亮态电流 - 电压特性表征,对冰雹和人为造成的裂纹进行了检测。研究结果表明,这些裂纹属于潜在损伤,肉眼无法察觉,只能通过EL和IR检测发现。在开路电压附近,这些裂纹会导致局部温度升高;在短路条件下,则会使...
解读: 该硅异质结组件裂纹建模技术对阳光电源SG系列光伏逆变器和iSolarCloud智能运维平台具有重要应用价值。研究揭示的裂纹导致电流传输效率下降和局部热点问题,可直接应用于逆变器MPPT算法优化,通过识别异常I-V曲线特征实现裂纹组件的早期诊断。裂纹引发的热-电耦合退化模型可集成到iSolarClou...
用于园艺的固态照明系统:LED老化对光谱和光强的影响
Solid State Lighting Systems for Horticulture: Impact of LED Degradation on Light Spectrum and Intensity
Nicola Trivellin · Matteo Buffolo · Alessandro Caria · Carlo De Santi 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年3月
本文报道了用于园艺照明应用的高功率发光二极管(LED)的退化分析。该研究基于对同一产品线、同一制造商的最先进单色商用现货LED的实验表征。在这项工作中,我们报告了红色(660纳米)和蓝色(450纳米)LED在三种环境温度下经过超过10000小时加速应力后的退化动力学。我们描述了两组LED如何以不同的时间常数发生不同的电气和光学退化机制。红色LED呈现出逐渐退化的趋势,而蓝色LED起初较为稳定,但后期会因硅胶失效而导致光功率急剧下降。然后,利用退化实验的结果来分析红/蓝园艺灯在其使用寿命期间的光谱...
解读: 从阳光电源业务视角来看,这项LED园艺照明降解研究揭示了新能源与农业交叉领域的重要技术挑战,对我司拓展综合能源解决方案具有参考价值。 该研究发现红光LED呈现渐进式衰减,而蓝光LED在初期稳定后因硅胶失效导致光功率骤降,这种差异化降解特性直接影响植物生长所需的光谱配比。对于阳光电源而言,这一发现具...
几种电网储能技术的可持续性比较评估
A comparative sustainability assessment of several grid energy storage technologies
Roque Aguado Molin · Juan JoséCartelle Barros · María del Pilarde la Cruz López · Manuel Lara Coira 等5人 · Applied Energy · 2025年10月 · Vol.396
摘要 全球能源转型向低碳经济迈进,推动了可变能源在电力市场中的日益普及。间歇性可再生能源的前所未有的部署,使电力行业的决策者面临在不同储能技术之间进行选择的挑战,这一选择必须基于可持续性标准。现有研究存在诸多不足,包括缺乏社会维度、采用违背可持续发展的权重方法,或应用易受排序逆转问题影响的方法论等。为弥补当前知识的空白,本研究提出了一种用于评估电网储能技术全球可持续性的新型概率模型。该模型基于MIVES(可持续性评估综合价值模型)–蒙特卡洛方法,结合了需求树、价值函数、层次分析法和概率模拟。模型...
解读: 该研究对阳光电源储能技术选型具有重要参考价值。研究表明钒液流电池(VRFB)、液态空气储能(LAES)和抽水蓄能在全球可持续性评估中表现最优,氢储能排名靠后。这为阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan系统的技术路线验证提供依据,建议优先聚焦电化学储能领域的VRFB技术集成,结合GFM控制和...
异质结硅光伏组件冰雹损伤调查:一个真实案例研究
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
Marco Nicoletto · Davide Panizzon · Alessandro Caria · Nicola Trivellin 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年2月
大多数光伏(PV)组件的质保期为25 - 30年。然而,恶劣的气候事件,尤其是冰雹,可能会导致组件过早损坏。本文对意大利帕多瓦的一个住宅光伏系统进行了研究,该系统经历了一场严重的风暴,冰雹直径达16厘米,这比用于组件验证的标准测试用冰雹尺寸(根据IEC 61215 - 2 - 2021标准为7.5厘米)大两倍多。研究目的如下:1)证明开展超出当前标准要求的冰雹测试的相关性;2)证明即使玻璃未破碎或性能未下降,也存在潜在损伤;3)讨论相关风险。为了尽量减少环境因素的影响,在黑暗环境中进行了正向偏置...
解读: 该冰雹损伤机理研究对阳光电源SG系列光伏逆变器及iSolarCloud智能运维平台具有重要应用价值。研究揭示的裂纹扩展与功率衰减关联机制,可优化逆变器MPPT算法对受损组件的识别能力,通过IV曲线异常特征实现早期故障预警。封装材料退化模式分析为iSolarCloud平台的智能诊断模块提供了极端气候事...