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功率器件技术 功率模块 可靠性分析 IGBT ★ 5.0

并联芯片与并联半桥对多芯片功率模块瞬态电流分布的影响

Influence of Paralleling Dies and Paralleling Half-Bridges on Transient Current Distribution in Multichip Power Modules

Helong Li · Wei Zhou · Xiongfei Wang · Stig Munk-Nielsen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月

本文研究了多芯片半桥功率模块中的瞬态电流分布问题,对比了并联芯片与并联半桥两种不同换流机制的连接方式。研究揭示了在并联芯片结构下,高低侧器件因换流回路差异会产生相似的瞬态电流不平衡,为功率模块的并联设计提供了理论依据。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器)中功率模块的选型与设计。在追求高功率密度和高效率的过程中,多芯片并联是提升模块电流能力的关键技术。文章揭示的瞬态电流不平衡机制,对于优化模块内部布局、减小寄生参数及提升功率器件的可靠性至关重要。建议研发团队在...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 机器学习 ★ 5.0

基于人工神经网络的SiC MOSFET功率模块开关损耗预测

ANN-Assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module

Youyang Wang · Wenxiao Wang · Shilong Zhu · Hui Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

准确快速地确定开关损耗对于SiC MOSFET功率模块的能耗评估和系统散热设计至关重要。然而,传统方法难以兼顾建模复杂度和预测精度。本文提出了一种有效的开关损耗预测方法,利用人工神经网络(ANN)实现高精度与低复杂度的平衡。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益普及。该ANN辅助预测方法可直接优化逆变器及PCS的散热设计,减少过设计带来的成本浪费,并提升系统在极端工况下的热管理精度。建议研发团队将...

功率器件技术 IGBT SiC器件 功率模块 ★ 4.0

用于牵引逆变器的3.3kV Si-SiC混合功率模块特性研究

Characterization of a 3.3-kV Si-SiC Hybrid Power Module in Half-Bridge Topology for Traction Inverter Application

Daohui Li · Xiang Li · Guiqin Chang · Fang Qi 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

本文介绍了一种用于下一代轨道交通牵引逆变器的3.3kV/450A混合功率模块。该模块采用半桥拓扑,通过结合硅(Si)IGBT与碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)芯片,在同等电压等级下实现了性能优化,有效提升了功率密度与效率。

解读: 该研究涉及的高压Si-SiC混合功率模块技术对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流电压等级(如1500V及以上)演进,利用SiC SBD替代传统硅二极管以降低开关损耗和反向恢复损耗,是提升系统效率和功率密度的关键路径。建...