Qandeel Rehman · Asif Ijaz · Amir Shehzad Gul · Aimal Daud Khan 等9人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.287

摘要 钙钛矿太阳能电池正在迅速发展，表明该光伏技术具有取代当前硅基太阳能电池板的潜力。本文探讨了采用手动丝网印刷技术制备半透明、可扩展的钙钛矿太阳能组件，且无需多次激光划线步骤。成功制备出一种基于碳材料、无空穴传输层的钙钛矿太阳能组件，其有效面积为900 cm²，能量转换效率达到11.83%。为评估这些组件是否具备市场应用准备，进行了在高湿度、强太阳辐照和极端温度条件下的加速老化测试。测试结果表明，在平均春季和夏季温度分别为35°C和44°C时，组件的平均退化率分别为0.04%和0.02%。在7...

解读: 该半透明钙钛矿组件技术对阳光电源BIPV光伏系统具有重要应用价值。900cm²大面积组件实现11.83%转换效率,在35-70°C温度范围内降解率仅0.02-0.11%,展现出色稳定性。可与SG系列组串逆变器及MPPT优化技术结合,应用于建筑一体化光伏场景。其碳基无空穴传输层设计降低成本,丝网印刷工...

Asif Khan · Lawrence Livermore National Lab · Del Re · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

AlN因其约6.1 eV的超宽带隙和高达约15 MV/cm的临界电场，在电子与光子器件中表现出优异的性能。近年来，锆（Zr）掺杂AlN（AlN:Zr）被发现是一种极具潜力的材料平台，可用于固态量子比特、高性能压电声学谐振器及光学触发的超快功率开关器件。然而，AlN:Zr外延结构的制备仍面临挑战。本研究成功实现了高Zr掺杂浓度（~2.0 at.%）且晶体质量优异的AlN:Zr外延层生长，为相关量子与高频器件的应用奠定了材料基础。

解读: 高质量Zr掺杂AlN外延层技术对阳光电源功率器件研发具有重要价值。AlN材料6.1 eV超宽带隙和15 MV/cm高临界电场特性，可应用于下一代功率开关器件开发，相比现有SiC器件具有更低导通损耗和更高耐压能力，可提升ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率密度与效率。AlN:Zr的高性能压电特性可用于...

Asif Khan · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

六方氮化硼（h-BN）的重要应用之一是固态中子探测器，这要求发展准体相h-BN晶体。为推进h-BN材料与器件的发展，表征其体相电输运性质至关重要。然而，由于h-BN具有约6.1 eV的超宽禁带，其电阻率极高（通常超过10¹² Ω·cm），导致体相输运测量极具挑战。相比之下，在光照条件下通过I-V特性可更有效地获取决定器件性能的关键参数——载流子迁移率寿命积（μτ）。本研究基于氢化物气相外延法制备的自支撑准体相h-BN晶圆，制备横向器件并研究其面内μτ乘积。结果发现，器件宽度减小时，面内μτ乘积出...

解读: 该h-BN宽禁带半导体输运特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。h-BN作为超宽禁带材料（6.1eV），其横向器件的载流子迁移率寿命积（μτ）表征方法可借鉴应用于SiC/GaN功率器件的性能评估体系。研究揭示的器件尺寸对输运特性的影响规律，对ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中功率模块...

Jiahao Chen · Parthasarathy Seshadri · Abdullah Al Mamun Mazumder · Ruixin Bai 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月

本文报道了一种采用MOCVD生长的Al₀.₆₂Ga₀.₃₈N沟道层和Al₀.₈₄Ga₀.₁₆N势垒层的高电子迁移率晶体管（HEMT）。器件实现3.7 Ω·mm的接触电阻和约3.3 kΩ/□的方阻。在栅长180 nm、源漏间距3 μm条件下，获得30.5 GHz的fT和55.3 GHz的fmax，同时表现出0.46 A/mm的高漏极电流、低栅/漏泄漏电流及高达315 V的击穿电压，Johnson品质因数达9.6 THz·V，为目前超宽禁带晶体管中的最高值。通过小信号参数提取得到内禀电子速度超过1×...

解读: 该超宽禁带AlGaN沟道HEMT技术对阳光电源高压大功率产品具有重要应用价值。其315V击穿电压和30GHz高频特性显著优于传统GaN器件，可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率开关模块，实现更高开关频率（降低磁性元件体积）和更高耐压等级（适配1500V直流系统）。9.6 THz·V的...