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一种基于GaN eHEMT器件的快速开关集成全桥功率模块
A Fast-Switching Integrated Full-Bridge Power Module Based on GaN eHEMT Devices
Asger Bjorn Jorgensen · Szymon Beczkowski · Christian Uhrenfeldt · Niels Hogholt Petersen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月
为充分发挥宽禁带半导体器件的优势，需开发新型封装及功率模块结构。针对千瓦级功率应用，传统封装体积庞大，难以集成驱动与测量电路。本文提出了一种基于GaN eHEMT器件的快速开关集成功率模块，通过优化封装结构提升了开关性能并实现了电路的高度集成。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack系列）具有重要参考价值。GaN器件的高频特性可显著缩小磁性元件体积，提升功率密度，助力产品小型化与轻量化。建议研发团队关注该模块的集成封装工艺，以解决高频开关下的寄生参数与电磁干扰问题，从而提升阳光电源在户用储能及微型逆变器领域的...
中压滤波电感寄生电容的物理建模
Physics-Based Modeling of Parasitic Capacitance in Medium-Voltage Filter Inductors
Hongbo Zhao · Dipen Narendra Dalal · Asger Bjorn Jorgensen · Jannick Kjar Jorgensen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
本文提出了一种通用的物理建模方法，用于识别中压（MV）滤波电感的寄生电容。该方法无需经验公式，且不受电感几何结构限制，通过识别电感的基本电容单元，实现了对端子间等效电容的精确解析计算。
解读: 该研究对于阳光电源的中压组串式逆变器及PowerTitan等大功率储能系统具有重要参考价值。在兆瓦级储能PCS和大型地面光伏逆变器中，滤波电感的高频寄生参数直接影响EMI性能及开关损耗。通过该物理建模方法，研发团队可在设计阶段更精准地预测电感的高频特性，优化磁性元件设计，从而提升系统功率密度并降低电...
考虑边缘电场的铜箔中压滤波电感寄生电容建模
Parasitic Capacitance Modeling of Copper-Foiled Medium-Voltage Filter Inductors Considering Fringe Electrical Field
Hongbo Zhao · Zhizhao Huang · Dipen Narendra Dalal · Jannick Kjaer Jorgensen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文针对铜箔中压电感中的三种寄生电容进行了特性分析。研究发现，传统建模方法忽略了边缘电场效应，导致寄生电容计算不准确。为此，本文识别了由边缘电场贡献的寄生电容，并提出了改进的建模方法以提高电感高频特性的预测精度。
解读: 该研究对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的中压滤波电感设计具有重要参考价值。随着功率密度提升，高频寄生参数对电磁兼容（EMC）和效率的影响日益显著。通过引入边缘电场修正模型，研发团队可优化电感绕组结构，降低高频损耗，提升逆变器及PCS产品的功率密度和可靠性...
现代电力电子封装中数字设计与有限元分析综述
Overview of Digital Design and Finite-Element Analysis in Modern Power Electronic Packaging
Asger Bjorn Jorgensen · Stig Munk-Nielsen · Christian Uhrenfeldt · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
宽禁带（WBG）半导体要求封装具备更低的寄生电感与电容，这推动了高集成度封装技术的发展。由于高集成度增加了电压、电流及温度测量的难度，设计人员需更多依赖仿真手段来洞察原型机的运行状态。本文综述了现代电力电子封装中的数字设计方法与有限元分析技术。
解读: 该技术对于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC等宽禁带器件在光储产品中的广泛应用，高功率密度设计成为核心竞争力，但也带来了严峻的散热与寄生参数挑战。通过引入先进的有限元仿真与数字设计流程，研发团队能更精准地优化功率模块布局，降低寄生参数对开关...
利用激光位移传感器评估功率模块原位热机械应力-应变
Evaluation of in situ Thermomechanical Stress–Strain in Power Modules Using Laser Displacement Sensors
Asger Bjorn Jorgensen · Stig Munk-Nielsen · Christian Uhrenfeldt · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
随着宽禁带功率模块向高功率密度和高开关速度发展，其机械鲁棒性与可靠性成为关键挑战。本文提出利用激光位移传感器对功率模块进行原位热机械应力-应变评估，旨在解决新型功率模块结构缺乏长期实验数据的问题，为提升电力电子系统的可靠性提供实验支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率器件应用。随着公司在PowerTitan储能系统及组串式逆变器中大规模应用SiC等宽禁带半导体，高功率密度带来的热机械应力问题日益突出。该原位测试方法可优化功率模块的封装设计与热管理，提升产品在极端工况下的寿命。建议研发团队引入此类高精度位移传感技术，建立更精准的功...
单门极驱动SiC MOSFET串联堆叠的短路特性及其强抗短路能力改进研究
Short-Circuit Characteristic of Single Gate Driven SiC MOSFET Stack and Its Improvement With Strong Antishort Circuit Fault Capabilities
Rui Wang · Asger Bjorn Jorgensen · Hongbo Zhao · Stig Munk-Nielsen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文研究了单门极驱动串联功率器件堆叠的短路特性，指出其具备过流限制潜力。在此基础上，提出了一种改进的单门极驱动SiC MOSFET方案，显著增强了系统的抗短路故障能力，为高压功率变换应用提供了紧凑且低成本的解决方案。
解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统具有重要价值。随着光伏系统电压等级向1500V甚至更高迈进，SiC器件的应用日益广泛。该研究提出的单门极驱动串联堆叠技术，不仅能降低高压变换器的成本和体积，还能通过改进的短路保护策略提升系统可靠性。建议研发团队关注该拓扑在大型地面电...