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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

一种无需电流测量的SiC MOSFET导通电阻在线估计方法

An Approach for Online Estimation of On-State Resistance in SiC MOSFETs Without Current Measurement

Furkan Karakaya · Anuj Maheshwari · Arijit Banerjee · John S. Donnal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

尽管碳化硅(SiC)MOSFET性能优越,但其可靠性限制了在高功率应用中的普及。导通电阻(Rds-on)的增加是器件早期失效的关键预兆。本文提出了一种无需电流传感器即可在线监测SiC MOSFET导通电阻的方法,旨在提升功率模块的健康状态监测与可靠性评估能力。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率模块,提升器件的可靠性评估是实现产品长寿命设计的关键。该方法无需额外电流传感器,降低了硬件成本与系统复杂度,非常适合集成至iSolarCloud平台,通过在线监测Rd...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 4.0

具有高输入扰动抑制能力的LLC谐振变换器控制架构

Control Architecture for LLC Resonant Converters With High Input Disturbance Rejection Capability Using Output Diode Current

Anuj Maheshwari · Furkan Karakaya · Arijit Banerjee · John S. Donnal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文针对LLC谐振变换器极点随工况变化导致控制设计困难的问题,提出了一种利用输出二极管电流测量的新型控制架构。该方法显著增强了变换器对输入扰动的抑制能力,有助于减小输入滤波器尺寸,提升功率密度与系统可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如PowerStack/PowerTitan中的DC-DC环节)具有重要参考价值。LLC谐振变换器是实现高效率、高功率密度的核心拓扑,通过引入输出二极管电流反馈来增强输入扰动抑制,能够有效提升系统在复杂电网环境下的稳定性,并减小无源器件体积,从而进一步优化...

可靠性与测试 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

运行中SiC MOSFET键合线脱落事件的原位检测

In Situ Detection of Bond Wire Lift-Off Events in Operational SiC MOSFETs

Furkan Karakaya · Anuj Maheshwari · Arijit Banerjee · John S. Donnal 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

键合线脱落是SiC MOSFET的主要失效机制之一。当键合线与源极间的焊接点断裂形成开路时,剩余键合线电流密度增加,产生热应力正反馈,导致器件快速失效。本文提出了一种在运行中检测该故障的方法,旨在通过早期预警提升功率模块的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)至关重要。随着SiC MOSFET在高性能功率模块中的广泛应用,键合线失效成为影响系统长期可靠性的关键瓶颈。该原位检测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台,实现对逆变器及PCS内部功...