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锂离子电池电化学模型拟合考虑温度依赖性传输特性
Electrochemical model fitting of lithium-ion cells considering temperature-dependent transport properties
Facundo Rivoir · Álvaro Fogué Robles · Santiago Martinez-Boggio · Erika Teliz 等5人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.353
本文构建并优化了考虑温度依赖性固相/电解液扩散系数、电导率及反应动力学参数的锂离子电池电化学模型，提升宽温域下SOC/SOH估计精度。
解读: 该研究直接支撑阳光电源ST系列PCS与PowerTitan储能系统的高精度电池状态估算需求。温度耦合电化学模型可嵌入BMS算法，提升低温/高温工况下SOC/SOH预测精度，增强PowerStack多簇协同控制鲁棒性。建议将模型轻量化后集成至iSolarCloud平台，用于电站级储能寿命衰减预警，并适...
基于Watkin-Johnson拓扑的无输入电流纹波二次型变换器
Ripple-Free Input Current Quadratic Converter Based on Watkin–Johnson Topology
Brenda Lizeth Reyes-García · Pedro Martín García-Vite · Hector R. Robles-Campos · Marco Antonio Coronel-García 等6人 · IET Power Electronics · 2025年9月 · Vol.18
本文提出一种基于Watkin-Johnson拓扑的电力电子变换器，可在实现高电压增益的同时保持高质量的输入电流特性。该变换器通过在特定占空比下以反相方式从电源提取两个电感电流，实现输入电流纹波为零的技术目标。该方法有效抑制了输入电流的脉动，提升了电磁兼容性与系统效率，适用于对输入电流质量要求较高的高增益应用场景。
解读: 该无纹波输入电流二次型变换器技术对阳光电源车载OBC充电机和充电桩产品具有重要应用价值。Watkin-Johnson拓扑通过反相电感电流抵消实现零输入纹波，可直接应用于电动汽车充电系统的功率因数校正（PFC）级，有效降低对电网的谐波污染，满足IEC 61000-3-2标准要求。其高电压增益特性适合4...
电网故障下阻感性电网中最大化电压支撑的正负序控制策略
Positive and Negative Sequence Control Strategies to Maximize the Voltage Support in Resistive–Inductive Grids During Grid Faults
Antonio Camacho · Miguel Castilla · Jaume Miret · Luis Garcia de Vicuna 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月
电网故障是电力系统最严重的扰动之一，威胁电网可靠性。为缓解此问题，分布式发电逆变器可通过提供电压支撑来辅助电网。本文研究了在阻感性电网中，如何通过正负序电流控制策略，在满足电流注入限制和电网阻抗约束的前提下，最大化电压支撑能力。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——组串式及集中式光伏逆变器。在电网故障（如LVRT/HVRT）期间，逆变器的正负序电流控制能力是保障电网稳定性的关键。该策略可优化阳光电源逆变器在弱电网或复杂阻感性电网环境下的故障穿越性能，提升产品在极端工况下的并网稳定性。建议研发团队将该控制算法集成至iSola...
实现全开关转换零电压开关
ZVS）的改进型VIENNA整流器III：分析、设计与验证
Sisi Zhao · Uroš Borović · Marcelo Silva · Óscar García 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
本文提出了一种用于航空应用的3.3kW隔离式单级三相Buck型整流器。文章详细介绍了该整流器的工作原理与调制方法，重点分析了其在所有开关转换过程中实现零电压开关（ZVS）的优势，并与VIENNA整流器III进行了对比。
解读: 该研究提出的全ZVS三相整流拓扑对于提升高功率密度变换效率具有参考价值。虽然该文侧重于航空应用，但其核心的ZVS技术和三电平整流优化思路可应用于阳光电源的组串式光伏逆变器及充电桩产品线。在追求更高效率和更小体积的趋势下，该拓扑的调制策略和软开关技术可为下一代高频化、高功率密度逆变器及充电模块的研发提...
带场板结构的GaN HEMT输入、输出及反向电容的物理分析模型
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Dejana Cucak · Miroslav Vasic · Oscar Garcia · Jesus Angel Oliver 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月
本文针对具有栅极场板结构的常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），在亚阈值区建立了输入、输出及反向电容的物理分析模型。该模型与现有的输出I-V特性模型相结合，为GaN器件的电学特性提供了完整的解析方程组。
解读: GaN作为第三代宽禁带半导体，在提升功率密度和开关频率方面具有显著优势。该模型对阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中应用GaN器件具有重要指导意义。通过精确建模器件的寄生电容，研发团队可在设计阶段更准确地评估开关损耗与EMI特性，优化驱动电路设计，从而进一步缩小产品体积并提升转换效率。建议在...
基于物理信息引导的类型化图神经网络的最优潮流计算
Optimal Power Flow With Physics-Informed Typed Graph Neural Networks
Tania B. Lopez-Garcia · José Antonio Domínguez-Navarro · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年4月
本研究介绍了一种应用类型化图神经网络解决最优潮流问题的新方法。与传统前馈神经网络模型得到的结果相比，类型化图神经网络允许用不同类型的节点表示输电系统的不同元件，从而提高了所得解决方案的准确性和可解释性。所提出的图神经网络架构无需训练数据，而是通过一个融入物理信息的损失函数进行训练，该损失函数不仅包含优化目标，还包含物理系统的运行约束。所得结果与内点法得到的结果相当，并且计算时间大幅缩短。
解读: 该物理信息引导的图神经网络技术对阳光电源的储能与光伏产品线具有重要应用价值。首先,可应用于ST系列储能变流器和PowerTitan系统的功率优化调度,提升大规模储能电站的运行效率。其次,该方法能优化SG系列光伏逆变器的MPPT控制策略,特别是在复杂拓扑的光伏电站中实现更快速的功率追踪。通过融合电网物...
基于滑模控制的孤岛交流微网复功率共享新方法
A Novel Complex Power Sharing Based on Sliding Mode Control for Islanded AC Microgrids
Carlos Alfaro · Ramon Guzman · Antonio Camacho · Ángel Borrell 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年11月
本文提出一种用于孤岛微网中构网型逆变器的新型复滑模控制策略，替代依赖下垂控制、通信式二次控制和虚拟阻抗的传统分层控制方法。通过建立基于视在功率微分方程的复相量模型，推导出线性化复数动态模型，简化了控制律设计。该策略具有三大优势：实现阻性和感性线路下的精确有功与无功功率分配，无需虚拟阻抗；对线路阻抗失配及负载变化、逆变器投切等外部扰动具备强鲁棒性；无需二次频率调节。实验结果验证了该方法的有效性。
解读: 该滑模复功率共享控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan储能系统的构网型GFM控制具有重要应用价值。核心优势在于：1）无需虚拟阻抗即可实现阻性/感性线路下的精确功率分配，可简化ST储能变流器的控制参数配置，提升多机并联系统的即插即用性；2）对线路阻抗失配和负载扰动的强鲁棒性，可增强...
关于基于Lambert W函数的纳米级MOSFET电荷控制建模的一些思考
Some considerations about Lambert _W_ function-based nanoscale MOSFET charge control modeling
Adelmo A. Ortiz Con · V.C.P.Silv · Paula Ghedini Der Agopian · Joao Antonio Martino 等5人 · Solid-State Electronics · 2025年4月 · Vol.225
摘要 假定为未掺杂的MOSFET沟道中存在的非故意低浓度掺杂对电荷控制以及基于Lambert W函数的反型电荷MOSFET模型，进而对后续的漏极电流模型均具有显著影响。我们指出，常用于描述名义上未掺杂沟道的假设本征MOSFET沟道近似，即使在由非故意掺杂导致的低掺杂浓度下，也会产生显著误差。我们证明，传统的电荷控制模型——该模型将栅电压数学上描述为反型电荷的一个线性项和一个对数项之和——仅在假设的本征情况下成立。然而，在多数载流子为主要电荷的运行区域内，该模型仍可用于名义上未掺杂但实际存在非故意...
解读: 该Lambert W函数纳米MOSFET电荷控制建模研究对阳光电源SiC/GaN功率器件应用具有重要参考价值。文章揭示的非故意掺杂对沟道电荷控制的影响机制,可优化ST系列PCS和电动汽车驱动系统中功率器件的精确建模。改进的栅压-反型电荷关系式及寄生电阻/迁移率退化修正模型,有助于提升三电平拓扑中器件...