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一种具有高K/低K介质的4H-SiC MOSFET以改善频率特性
A Novel 4H-SiC MOSFET With High-K/Low-K Dielectric for Improved Frequency Characteristics
Jiaxing Chen · Juntao Li · Lin Zhang · IET Power Electronics · 2025年4月 · Vol.18
本文通过仿真分析并验证了不同场板介质对SiC MOSFET栅-漏电容及高频特性的影响。提出了一种采用高K场板介质与低K栅介质相结合的SiC MOSFET结构，有效降低了栅-漏电容，提升了高频优值，显著改善了器件的高频性能。
解读: 该高K/低K介质SiC MOSFET技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过降低栅-漏电容提升高频优值，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率模块设计，提高开关频率，减小磁性元件体积，提升系统功率密度。对电动汽车OBC充电机和电机驱动系统，该技术可降低开关损耗，提升效率和功率密...
一种考虑高频特性的单相集成式电力充电系统及其在双电机驱动电动汽车中的应用
A Single-Phase Integrated Power Charger Considering High-Frequency Behavior for Two Motor Drives Fed Electric Vehicles
Abdul Azeem · A. V. Ravi Teja · Saifullah Payami · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月
本文提出一种面向多电机电动汽车的全集成式电力充电器（IPC）系统。该系统利用多电机驱动架构固有的电机与逆变器模块实现高功率充电，无需对主电路进行任何修改或重构。研究深入分析了IPC运行过程中电机电感的高频特性变化，对理解开关频率下的绕组行为具有重要意义。通过MATLAB/Simulink仿真与实验样机在不同功率等级下验证了系统的有效性，并依据IEEE 519-2022标准评估输入功率因数与总谐波畸变率，确保良好的电能质量。该系统无需额外硬件，兼容单相230 V、50–60 Hz电源，具备高效率与...
解读: 该集成式充电技术对阳光电源车载OBC充电机和电机驱动产品线具有重要参考价值。研究提出的无需额外硬件的充电方案，可直接应用于阳光电源电动汽车动力系统集成设计，通过复用电机绕组和逆变器模块实现充电功能，显著降低系统成本和体积。文中对电机电感高频特性的深入分析，为阳光电源优化SiC/GaN器件在高开关频率...