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储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 ★ 5.0

利用铜纳米线加速瞬态液相连接

Transient Liquid Phase Bond Acceleration Using Copper Nanowires

John Harris · David Huitink · Journal of Electronic Packaging · 2025年1月 · Vol.147

随着功率电子模块热流密度的增加,现有热管理技术正面临挑战,这主要源于具备优异耐压能力的宽禁带半导体器件的发展。此类器件在适当封装条件下可工作于更高的结温。瞬态液相(TLP)键合可在常规工艺温度下形成高熔点的金属间化合物(IMC)。通过引入铜纳米线,可显著加速铜与锡体系的TLP反应进程,促进均匀、致密IMC层的快速形成,从而提升连接层的热稳定性和可靠性,适用于高温功率模块的封装需求。

解读: 该铜纳米线加速TLP键合技术对阳光电源功率模块封装具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,SiC/GaN宽禁带器件的高温工作特性(结温可达175-200℃)对芯片贴装层提出严苛要求。传统焊料易产生热疲劳失效,而该技术通过铜纳米线催化可在较低工艺温度下快速形成高熔点Cu-Sn I...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

激光束功率对用于MEMS封装的微型LED激光焊点微观结构演变及界面动力学的影响

Effect of laser beam power on microstructure evolution and interface kinetics of laser-soldered mini-LEDs for MEMS packaging

Jun Ho Ku · Sri Harini Rajendran · Ashutosh Sharma · Jae Pil Jung · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

激光焊接通过局部加热和更短的加工时间,相较于微机电系统封装中的回流焊工艺,能够减少热损伤并提高微型LED的连接可靠性。本研究探讨了在激光辅助键合过程中使用第8型(2–8 µm)Sn–3.0Ag–0.5Cu焊膏所形成的微型LED焊点的微观结构、力学性能及老化特性。在激光束功率为47–57 W范围内可实现有效键合,其中Cu6Sn5金属间化合物(IMC)厚度从47 W时的2.2 ± 0.58 μm增加至57 W时的2.6 ± 0.3 μm。在125 °C下进行等温老化后,57 W焊接接头的IMC厚度在...

解读: 该激光焊接微结构优化技术对阳光电源功率器件封装具有重要借鉴价值。ST系列储能变流器和SG逆变器中大量使用Mini-LED显示及功率模块,激光焊接可替代传统回流焊,减少热损伤并提升键合可靠性。研究揭示的激光功率-IMC厚度-剪切强度关联机制,可指导SiC/GaN器件封装工艺优化,特别是在125°C高温...

电动汽车驱动 ★ 4.0

高电流密度下Sn3.5Ag微铜柱焊点界面演化及失效机制分析

Analysis of Interface Evolution and Failure Mechanism of Sn3.5Ag Micro-Copper Pillar Solder Joints under High Current Density

Changping Chen · Mengtao Xiao · Xiaokang Liu · Qiang Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年9月

目前,微电子器件面临的严峻挑战之一是封装的小型化趋势。随着微电子封装不断向高密度、小尺寸方向发展,微焊点在常见服役条件下将单独或同时承受热电、力等载荷,这会导致互连结构失效。本研究探究了高电流密度下Sn₃.₅Ag微铜柱焊点的界面演变和失效机制。实验表明,在电流密度为3×10⁴ A/cm²、温度为150°C的条件下,阴极侧的镍层迅速溶解,形成Cu₃Sn和(Cu,Ni)₆Sn₅等金属间化合物(IMCs),而抗电迁移的Ag₃Sn颗粒在焊料芯部聚集,抑制了金属间化合物的生长。柯肯达尔空洞在Cu - Cu...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文揭示的微铜柱焊点在高电流密度下的失效机理对我司功率电子产品具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能变流器向高功率密度、小型化方向发展,IGBT模块、功率半导体封装等核心部件面临的电-热-力耦合载荷日益严峻,焊点可靠性已成为制约系统寿命的关键瓶颈。 论文揭示的Sn3.5...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

Ag/Sn/Cu 瞬时液相连接过程中界面反应的研究

Study on the interfacial reactions for Ag/Sn/Cu TLP during transient liquid phase soldering process

He Diao · Jiahao Liu · Xiangxiang Zhong · Fengyi Wang 等7人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

瞬时液相(TLP)连接是一种有前景的电子封装技术,可满足由于电力电子器件功率密度不断增加而带来的高温工作需求。越来越多的功率芯片采用Ni/Ag金属化,而直接键合铜的表面金属为Cu。然而,Cu/Sn/Ag体系中的界面反应研究较少。为了探究Cu/Sn/Ag体系中焊料与基板之间的金属间化合物反应动力学,本研究考察了不同回流温度(250–350 °C)和时间(30–960 s)对三种不同TLP体系(Cu/Sn、Ag/Sn和Cu/Sn/Ag)界面微观结构演变的影响,以及两种金属间化合物(IMCs)Cu6S...

解读: 该TLP焊接技术对阳光电源储能系统ST系列PCS及PowerTitan产品具有重要应用价值。研究揭示Cu/Sn/Ag体系中IMC生长动力学,可优化功率模块封装可靠性。异质IMC界面抑制扩散、提升激活能的机制,为SiC/GaN器件高温封装提供理论指导。在大功率储能变流器中,该技术可提升IGBT/SiC...