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退火对超宽禁带h-BN准体单晶结晶质量及器件性能的影响
Annealing effects on crystalline quality and device performance of ultrawide bandgap h-BN quasi-bulk crystals
De Santi · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
六方氮化硼（h-BN）作为典型的超宽禁带半导体，因其独特的层状晶体结构和优异的电学与光学特性，在固态中子探测器等领域具有重要应用。实现高探测效率需要厚且高质量的晶体以增强中子相互作用与载流子收集。尽管氢化物气相外延（HVPE）法可制备厚而均匀的h-BN准体单晶，但其快速生长易引入结构缺陷，影响结晶质量。本研究系统探讨了生长后高温退火（高达1900 °C）对1 mm厚HVPE-grown h-BN晶体的影响。X射线衍射结果表明，随着退火温度升高，结晶质量显著提升，材料电阻率增加，载流子迁移率-寿命...
解读: 该h-BN超宽禁带半导体退火工艺研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的高温退火改善结晶质量、提升载流子迁移率-寿命乘积的机理，可借鉴至SiC/GaN功率器件的制造工艺优化中。在ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率模块设计中，通过优化宽禁带器件的热处理工艺，可降低缺陷密度、提升器件耐压...
用于光伏应用的热蒸发SnSe纳米结构层的研究
Investigation of thermally evaporated SnSe nano structure layer for photovoltaic use: a structural, morphological, and electrical analysis
Raja Krishnamoorthy · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用纳米结构光伏技术的太阳能组件每瓦发电成本经济实惠，是建筑集成光伏应用和大规模太阳能电站的理想选择。本研究利用热蒸镀法在玻璃和氧化铝衬底上制备了正交晶系的硒化亚锡（SnSe）纳米结构，并系统分析了其在光伏应用中的特性。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）分别对所沉积纳米结构的形貌和结构特征进行了系统分析与表征。同时，还考察了衬底温度以及衬底材料类型对氧化铝和玻璃衬底上各类纳米结构特性的影响。XRD分析表明，随着温度变化会出现混合相结构。能谱分析（EDS）显...
解读: 该SnSe纳米结构光伏材料研究对阳光电源SG系列逆变器及组件集成具有前瞻价值。热蒸发法制备的正交晶系SnSe薄膜展现出温度依赖的混合相特性,其光电转换效率优化可为新型光伏组件开发提供材料选择方向。纳米结构的形貌调控与基底温度关联性研究,可指导我司1500V高压系统中组件端的光电特性匹配优化。该低成本...
功率密度对恒定厚度溅射ZnO:Ga薄膜的影响
Power density effect on sputtered ZnO:Ga thin films of constant thickness
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
本文采用射频磁控溅射法在室温下将ZnO:Ga（GZO）薄膜沉积在玻璃基底上，研究了GZO薄膜性能随射频功率密度的变化关系。当射频功率密度从0.45增至2.4 W/cm²时，GZO薄膜的结晶性、电阻率和透光率分别从824 cps/deg.恶化至149 cps/deg.，从1.85 × 10⁻³ Ω·cm恶化至20.8 × 10⁻³ Ω·cm，以及从87.8%下降至85.7%。然而，镓含量、氧空位浓度和表面化学键合等化学键合特性并未表现出一致的变化趋势。该结果被认为是由恒定薄膜厚度条件下溅射粒子表面...
解读: 该GZO薄膜溅射工艺研究对阳光电源储能系统PCS功率器件封装及光伏逆变器散热优化具有参考价值。研究揭示恒定厚度下溅射功率密度对薄膜电阻率和透光率的影响规律,可应用于ST系列PCS中SiC/GaN器件的透明导电层优化,通过控制溅射参数降低接触电阻。同时,表面碰撞抑制机制对PowerTitan储能系统的...