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电沉积FeNiWMoMn高熵合金：合成、表征及退火处理
Electrodeposited FeNiWMoMn high-entropy alloys: synthesis, characterization, and annealed
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用电沉积方法在铜基体上于水溶液中制备了FeNiWMoMn高熵合金（HEA）涂层。沉积温度设定为75 °C，电流密度恒定为1 A/dm²，沉积时间分别为30 min、60 min和90 min。将沉积60 min的样品在200 °C下退火1小时，以研究其对磁性和结构性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、能量色散X射线光谱（EDS）和电化学阻抗谱（EIS）对FeNiWMoMn合金涂层进行了表征。X射线衍射分析结果表明，该合金呈现立方晶体结构。晶粒尺寸在沉积时间为...
解读: 该FeNiWMoMn高熵合金电镀技术对阳光电源功率器件散热与电磁屏蔽具有应用价值。其纳米级晶粒结构(25-27nm)和优异的耐腐蚀性能可应用于ST系列PCS和SG逆变器的铜基母排表面改性,提升高温高湿环境下的可靠性。退火工艺降低位错密度、提高极化电阻的特性,可优化储能系统PowerTitan的电气连...
用于可见光检测的Ag/Ga2O3/n-Si肖特基型光电探测器
Ag/Ga2O3/n-Si Schottky-type photodetector for visible light detection
The Williamson-Hall (WH) method is another widely used method to estimate the grain size \[ [38](https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-025-14892-y#ref-CR38 "G.L. Williamson · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
氧化镓（Ga2O3）是一种超宽禁带材料，因其在功率电子器件、紫外（UV）光电探测器和气体传感器中的潜在应用而受到越来越多的关注。在本研究中，我们采用电沉积技术在n型硅（n-Si）衬底上合成了β相Ga2O3，并研究了其在结合Si与Ga2O3实现宽带检测的光电探测器应用中的性能。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）结合能谱分析（EDX）对Ga2O3的结构和形貌特性进行了表征。采用热蒸发技术在Ga2O3/n-Si结上制备了Ag金属接触，并在n-Si背面形成了Al欧姆接触。由此制备了Ag...
解读: 该Ga2O3/Si肖特基光电探测器技术对阳光电源光伏逆变器和储能系统具有重要参考价值。其宽禁带半导体异质结构与公司SiC/GaN功率器件技术路线契合,700nm波段122.88 A/W高响应率可优化SG系列逆变器的光照监测精度,提升MPPT追踪效率。电化学沉积法制备工艺为低成本传感器集成提供思路,可...