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利用超晶格与三维GaN复合模板外延材料提升射频击穿电压
Enhancement of RF breakdown voltage using epitaxial materials of superlattice and three-dimensional GaN composite template
Hong Wang · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
本文提出了一种新颖的结构，该结构结合了超晶格AlGaN与三维（3D）GaN的复合体系，成功在Si衬底上实现了高质量无裂纹的GaN外延薄膜。超晶格结构在缓解GaN与Si之间的晶格失配方面发挥了重要作用。更重要的是，在超晶格结构基础上引入3D GaN结构延迟了岛状结构的合并过程，从而提高了GaN薄膜的质量并降低了位错密度。该复合结构显著提升了晶体质量，有效释放了GaN中的应力，并减少了位错密度。此外，该结构还为生长高阻抗缓冲层提供了可能，可用于替代Fe掺杂以提高击穿电压（B V gd）。位错密度的显...
解读: 该GaN外延技术通过超晶格AlGaN与三维GaN复合结构,显著提升击穿电压并降低位错密度,对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列PCS和SG逆变器中,高耐压GaN器件可替代传统Si/SiC方案,实现更高功率密度和开关频率。复合缓冲层结构避免Fe掺杂,提升器件可靠性,适用于三电平拓扑和高压直流...
高压变质1064 nm InGaAs多结激光能量转换器
High-voltage metamorphic 1064 nm InGaAs multi-junction laser power converters
Mingjiang Xia · Yurun Sun · Tingting Li · Shuzhen Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
基于GaAs衬底的变质InGaAs激光能量转换器（LPCs）是长距离高功率电能传输的理想候选器件。本研究采用组分渐变并包含反向与过调层的AlGaInAs变质缓冲层，在偏角（100）GaAs衬底上生长了1064 nm波长的In0.25Ga0.75As六结LPC，以缓解1.8%晶格失配。制备的3×3 mm²孔径LPC在14.05 W/cm²激光功率密度下实现了28.26%的最大转换效率、4.59 V的开路电压和81.76%的填充因子。开路电压和效率的温度系数分别为−8.46 mV/K和−0.063%...
解读: 该高压变质InGaAs多结激光能量转换器技术为阳光电源开拓无线电能传输领域提供新思路。其28.26%的光电转换效率和4.59V高压输出特性，可应用于ST储能系统的远程无线充电场景，特别是矿山、海岛等有线传输困难区域。六结串联架构实现高电压输出的设计理念，可借鉴至SG光伏逆变器的多电平拓扑优化，减少D...