找到 5 条结果
基于单晶GaN衬底的p型场效应晶体管的首次实验实现
First Experimental Realization of a p-FET Based on Single Crystal GaN Substrate
Xu Liu · Shengrui Xu · Huake Su · Hongchang Tao 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月
在本研究中，我们首次报道了在单晶氮化镓（GaN）衬底上制备的 p 型沟道场效应晶体管（p-FET）。GaN 衬底上的 p-GaN/u-GaN/AlN/AlGaN 结构展现出优异的晶体质量和界面特性。由于穿线位错（TDs）的减少，氮空位显著降低，空穴补偿减少。基于 GaN 衬底的 p-FET 结构具有更高的面空穴密度。此外，陡峭的界面降低了界面粗糙度散射，保证了迁移率不会下降。基于 GaN 衬底的 p-FET 因更低的薄层电阻率而具有更高的性能。具体而言，与蓝宝石衬底上的 p-FET 相比，GaN...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于单晶GaN衬底的p型场效应晶体管技术具有重要的战略价值。该技术通过在GaN衬底上构建p-FET结构，使饱和电流提升7倍，这对我们的核心产品——光伏逆变器和储能变流器的功率器件性能提升具有突破性意义。 在应用价值层面，GaN功率器件的双向导通能力一直受限于p型沟道性...
具有AlGaN应变补偿层的InGaN激光光伏电池在450 nm激光照射下的性能提升
Performance Enhancement of InGaN Laser Photovoltaic Cell With AlGaN Strain Compensation Layer Irradiated by 450 nm Laser
Heng-Sheng Shan · Yi-Xin Wang · Cheng-Ke Li · Ning Wang 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2024年11月
通过在（0001）取向的图案化蓝宝石衬底（PSS）上生长铝镓氮（AlGaN）应变补偿层（SCL），研制出一种高效的氮化铟镓（InGaN）激光光伏电池（LPVC），其光电转换效率（η）达到了23.09%。光致发光光谱证实，插入AlGaN SCL后，峰值分裂现象减少，表明铟（In）分布更加均匀。此外，样品的半高宽变窄，这表明插入AlGaN SCL后晶体质量得到了改善。X射线衍射分析显示，AlGaN SCL能有效调节InGaN材料中的应变弛豫，与未采用AlGaN SCL的材料相比，有源区中阱与垒之间的...
解读: 该InGaN激光光伏技术对阳光电源的功率器件研发具有重要参考价值。研究中AlGaN应变补偿层降低缺陷密度的设计思路，可借鉴至SiC/GaN功率器件的异质外延优化，改善SG系列逆变器和ST储能变流器中GaN器件的晶格失配问题，提升器件可靠性。23.09%的光电转换效率验证了应变工程在III-V族半导体...
退火温度对杂化钙钛矿太阳能电池结构、形貌、光学和电学性能的影响：实验与模拟方法
Effect of annealing temperature-dependent structural, morphological, optical, and electrical properties of hybrid perovskite-based solar cells: experimental and simulation approach
Hajar Benali · Bouchaib Hartiti · Salma Smairi · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
在光伏技术领域，钙钛矿太阳能电池因其独特的性质而日益受到关注。本研究的主要内容是探讨不同退火温度（80 °C、100 °C 和 120 °C）对钙钛矿材料CH₃NH₃PbI₃生长的影响。采用溶胶-凝胶法结合浸涂工艺合成碘化铅甲铵（CH₃NH₃PbI₃）。通过X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）、能量色散X射线分析（EDS）、紫外-可见分光光度法以及四探针法对所制备的薄膜进行表征，以确定成膜的最佳温度。XRD结果表明，所有钙钛矿薄膜均呈现四方晶系结构。这些薄膜具有约1.56 e...
解读: 该钙钛矿电池退火温度优化研究对阳光电源SG系列光伏逆变器具有重要参考价值。研究通过实验与SCAPS-1D仿真结合,将电池效率提升至23.16%,其温度依赖性分析可指导逆变器MPPT算法优化,特别是在高温环境下的功率追踪策略。钙钛矿1.56eV带隙特性与我司1500V系统的宽电压窗口匹配良好,其薄膜工...
金属有机化学气相沉积反应器内的后退火：一种可扩展的提高InGaAsP太阳能电池效率的方法
Postannealing in Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Reactor: A Scalable Method for Improving InGaAsP Solar-Cell Efficiency
Depu Ma · Hassanet Sodabanlu · Meita Asami · Kentaroh Watanabe 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年9月
带隙约为1.05 eV且与InP衬底晶格匹配的InGaAsP太阳能电池，其晶体质量与能量转换效率通常低于其他III-V族化合物半导体太阳能电池。本研究在金属有机化学气相沉积系统内直接实施后续退火处理，显著提升了器件性能。退火后，开路电压和短路电流密度分别提高了38 mV和3.84 mA/cm²。电压损耗分析与时间分辨光致发光结果表明，非辐射复合缺陷减少和载流子寿命延长是性能提升的主因。X射线衍射显示退火样品峰半高宽减小，表明材料组分均匀性改善，归因于退火过程中III族原子的重新分布。低温光致发光...
解读: 该InGaAsP太阳能电池MOCVD后退火技术对阳光电源光伏逆变器产品线具有重要参考价值。研究中通过退火工艺优化III-V族化合物半导体材料质量、降低非辐射复合损耗的思路，可借鉴至SG系列逆变器中SiC/GaN功率器件的制造工艺优化。特别是退火改善材料组分均匀性、延长载流子寿命的机制，对提升GaN器...
用于光伏应用的Cu(In1-xGax)Se2薄膜的温度依赖性生长与表征
Temperature-dependent growth and characterizations of Cu(In1-xGax)Se2 thin films for photovoltaic applications
Shafiq Ahmed · Naresh Padha · Zakir Hussain · Shammi Kumar 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用多源顺序蒸发层沉积技术制备Cu/In/Ga/Se叠层前驱体，并通过热退火工艺合成了Cu(In1-xGax)Se2（CIGS）薄膜。前驱体层在约1×10–4 Pa的真空条件下利用热蒸发方法沉积而成。将沉积后的叠层在10–1 Pa的真空环境中于473 K至623 K温度范围内以50 K为间隔进行退火处理。利用X射线衍射法对所生成薄膜中的纳米晶粒结构进行了分析。在473 K和523 K退火时观察到CuSe、CIGS和单质Se的混合相，而在573 K和623 K退火时则形成了单相CIGS薄膜。CIG...
解读: 该CIGS薄膜温度依赖性生长研究对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配具有参考价值。研究表明573K退火温度下CIGS薄膜呈现1.10-1.53eV带隙和高吸收系数(2-6×10⁴cm⁻¹),其p型半导体特性(载流子浓度4.86×10¹⁴cm⁻³)适合作为吸收层。这为阳光电源优化MPPT算法、提升1...