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考虑风电时空相关性成本控制下的配电网多场景运行优化
Distribution Network Multi-Scenario Operation Optimization Considering Spatiotemporal Correlation of Wind Power and Cost Control
许清华 · 太阳能学报 · 2025年1月 · Vol.46
结合卷积自编码器与条件生成对抗网络，提出一种考虑风电时空相关性的配电网多场景运行优化方法。利用卷积自编码器提取风电出力历史数据的时空特征，并作为条件生成对抗网络的输入以生成风电出力场景，通过K-Medoids聚类实现场景缩减，获得典型出力场景集。建立以系统经济性最优为目标的优化运行模型，求解最优潮流分布。基于IEEE 33节点系统的仿真结果表明，该方法可有效提升风电消纳能力，兼顾运行经济性与电能质量。
解读: 该研究对阳光电源的风电变流器和储能系统产品线具有重要参考价值。基于卷积自编码器的风电时空相关性分析方法，可优化ST系列储能变流器的调度策略和PowerTitan系统的容量配置。研究成果可用于提升风储联合运行效率，完善iSolarCloud平台的智能调度算法。特别是在大规模风电并网场景下，该方法有助于...
基于锗的可重构场效应晶体管中的静电门控
Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors
A. Fuchsberger · A. Verdianu · L. Wind · D. Nazzari 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
纳米级锗已被确定为一种有前途的沟道材料，可降低可重构场效应晶体管（RFET）的功耗并提高其开关速度。这种多栅晶体管可使单个器件在运行时进行n型和p型操作模式的切换。在这项工作中，通过对与电栅控相关的载流子输运进行系统的温度相关研究，探讨了双独立栅和三独立栅锗基RFET的具体特性和优势。双栅结构具有单极性和双极性两种工作模式，而三栅结构则提供与偏置无关的单极性，其栅控能力具有对称特性，并且导通态电流的通断态电流比提高了一个数量级。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于锗材料的可重构场效应晶体管（RFET）技术具有重要的战略参考价值。该技术通过静电门控实现n型和p型运行模式的动态切换，并展现出显著的低功耗和高速开关特性，这与我司光伏逆变器和储能系统对功率器件的核心需求高度契合。 在光伏逆变器领域，功率转换效率和开关损耗是制约系统...
基于载流子寿命的碳化硅光电导开关微波频率与输出功率之间的权衡
The Trade-Off Between Microwave Frequency and Output Power in SiC Photoconductive Switches Based on Carrier Lifetime
Ting He · Muyu Yi · Xinyue Niu · Jinmei Yao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月
本文基于载流子寿命，研究了垂直沟道硅离子注入（VCSI）4H-碳化硅（SiC）光电导半导体开关（PCSS）在微波频率和输出功率之间的权衡关系。制备了两种不同钒掺杂浓度的光电导半导体开关，并在0.5 - 2 GHz的频率范围内进行了测试。输出功率和调制深度比随微波频率的变化趋势表明，微波频率和输出功率之间存在权衡关系。这两种器件的输出功率分别约为40 W（@0.5 GHz）和160 W（@0.5 GHz）。利用瞬态吸收（TA）技术，测得这两种器件的载流子寿命分别为30 ps和460 ps，这揭示了...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于碳化硅（SiC）光导开关的研究具有重要的战略参考价值。该研究揭示了载流子寿命对微波频率和输出功率的权衡关系，这一机理对我们在高频功率电子器件领域的技术布局具有启发意义。 在光伏逆变器和储能变流器应用中，SiC器件已成为提升系统效率和功率密度的关键技术。本研究中光导...
一种用于电压均衡和提升部分遮阴光伏阵列性能的电荷再分配阶梯架构
A Charge Redistribution Ladder Architecture for Voltage Equalization and Enhanced Performance of Partially Shaded PV Arrays
Priya Ranjan Satpathy · Vigna Kumaran Ramachandaramurthy · Renu Sharma · Sanjeevikumar Padmanaban 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年3月
光伏（PV）阵列极易受到部分遮挡的影响，这会导致模块间出现失配和电压不平衡，进而造成功率损失和性能特性失真。本文提出了一种逐步电荷再分配电压平衡方法，以最大程度减少模块失配。该方法采用了一种改进的基于梯形结构的开关电容机制，应用于各模块，以实现高效的电荷再分配和电压平衡。该方法在一个 9×9 的光伏阵列上进行了测试，测试条件包括静态遮挡和基于时域的移动遮挡，并与现有的各种重配置、功率优化器和混合技术进行了比较。研究在 MATLAB 中进行，并在基于现场可编程门阵列（FPGA）的 OPAL - R...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于电荷再分配梯形架构的电压均衡技术为我们在光伏系统优化领域提供了重要的技术参考价值。该技术针对部分遮挡这一行业痛点，通过改进的梯形开关电容机制实现组件级电压平衡，在9×9阵列测试中实现了99%的功率转换率，相比传统方案提升29.27%，这与我们组串式逆变器和智能组件优...
大功率双面冷却模块中大面积SiC MOSFET的电热分析
Electrothermal Analysis of a Double-Side Cooling Power Module With Large-Area SiC MOSFETs
Yi Jiang · Cancan Li · Liming Che · Yizhuo Dong 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年11月
与传统的硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相比，碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的芯片面积通常较小。大面积（10×10 毫米）碳化硅 MOSFET 的性能有待研究。本文对大面积碳化硅 MOSFET 与常规尺寸（5×5 毫米）碳化硅 MOSFET 并联时的电热特性进行了分析。结果表明，与常规尺寸芯片相比，大面积芯片优化了封装参数，减轻了电流不平衡问题，并且在双面冷却（DSC）模块中具有更好的热性能。制作了采用大面积芯片的 SOT - 227 模块，并对该模块的...
解读: 从阳光电源的业务角度分析，这项关于大面积SiC MOSFET双面冷却功率模块的研究具有重要的战略价值。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器的核心部件，直接影响系统的功率密度、效率和可靠性。 该研究提出的10×10mm大面积SiC MOSFET相比传统5×5mm芯片并联方案，在多个维度展现出显...
用于金星及其他高温应用的InAlN/GaN圆形晶体管研究
Investigation of InAlN/GaN Circular Transistors for Venus and Other High-Temperature Applications
Savannah R. Eisner · Yi-Chen Liu · Jared Naphy · Ruiqi Chen 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
本研究考察了耗尽型In₀.₁₈Al₀.₈₂/GaN-on-Si圆形高电子迁移率晶体管（C - HEMT）在高温环境下的性能和长期可靠性。晶体管在空气中472 °C以及模拟金星条件（超临界二氧化碳，1348 psi）下465 °C的环境中运行了5天。加热过程中，在空气和金星表面条件下均观察到最大漏极电流（$I_{\textit {D}\text {,max}}$）减小以及阈值电压（$V_{TH}$）正向漂移。导通/关断电流比（$I_{\text {ON} }$/$I_{\text {OFF} }$...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项InAlN/GaN圆形晶体管的极端环境可靠性研究具有重要的技术参考价值。虽然研究聚焦于金星表面等极端应用场景，但其核心技术突破对我们在光伏逆变器和储能系统中面临的高温挑战具有直接启示意义。 该研究验证了InAlN/GaN HEMT器件在472°C高温下连续5天运行的可...