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功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

高性能功率模块寄生参数表征的改进方法

Improved Methodology for Parasitic Characterization of High-Performance Power Modules

Brian T. DeBoi · Andrew N. Lemmon · Blake W. Nelson · Christopher D. New 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

随着宽禁带半导体技术的商业化,对多芯片功率模块内部寄生阻抗的精确表征需求日益增长。现有测量方法在处理具有极低寄生参数的高性能模块时精度不足,难以满足测量底噪要求。本文提出了一种改进的表征方法,旨在提升高频功率模块寄生参数提取的准确性。

解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)至关重要。随着SiC和GaN等宽禁带器件在高性能功率模块中的广泛应用,寄生参数的精确表征直接决定了开关损耗、电压尖峰抑制及电磁兼容(EMC)设计的优劣。通过应用该改进方法,研发团队能更精准地优化模块封装结构,提...

可靠性与测试 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 3.0

多芯片发光二极管热耦合效应的高效测量

Efficient Measurement of Thermal Coupling Effects on Multichip Light-Emitting Diodes

Hong-Li Lu · Yi-Jun Lu · Li-Hong Zhu · Yue Lin 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月

随着多芯片模块高功率LED系统的兴起,先进热管理技术需求日益增长。本文提出了一种热耦合矩阵模型,能够计算各芯片在特定热功率下的温度分布,显著简化了测量热耦合效应的复杂性。

解读: 该研究提出的热耦合矩阵模型及温度分布计算方法,对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统中的功率模块)具有参考价值。逆变器与储能PCS内部高功率密度模块的散热设计是提升系统可靠性的关键。虽然本文针对LED,但其热耦合建模思路可迁移至IGBT/SiC功率模块的结温预测...