找到 2 条结果

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

串联SiC MOSFET及体二极管的电压均衡分析

Analysis of Voltage Sharing of Series-Connected SiC MOSFETs and Body-Diodes

Xiang Lin · Lakshmi Ravi · Yuhao Zhang · Rolando Burgos 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

近年来,SiC MOSFET在中压电力转换应用中备受关注。为提升阻断电压等级,串联SiC MOSFET是一种极具吸引力的方案,但常面临严重的电压不平衡问题。本文详细研究了寄生电容对电压不平衡的影响,为解决该问题提供了深入见解。

解读: 随着阳光电源在大型地面电站及储能领域向更高电压等级(如1500V及以上)迈进,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该研究针对串联SiC MOSFET的电压不平衡问题,对公司在研发高压组串式逆变器及PowerTitan系列大功率储能变流器(PCS)时,优化功率模块驱动电路设计、提升系统可靠...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种适用于宽可调脉宽范围的串联MOSFET隔离驱动方法

An Isolated Gate-Drive Method for Series MOSFETs in a Wide Adjustable Pulsewidth Range

Yanchao Zhang · Chensui Ouyang · Zhiquan Zhou · Libao Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文提出了一种新型隔离驱动方法,旨在实现高压串联MOSFET在宽脉宽调节范围下的高频重复脉冲输出。该技术在激光技术、X射线断层扫描及离子注入等领域具有重要应用价值,解决了高压开关应用中驱动同步性与脉宽灵活性的技术难题。

解读: 该技术主要针对高压串联MOSFET的驱动控制,对于阳光电源而言,其核心价值在于提升高压功率变换系统的可靠性与效率。在阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)中,若需进一步提升直流侧电压等级以降低系统成本,该串联驱动技术可为高压功率模块的设计提供参考。此外,该技术在提升开...