找到 45 条结果
基于硅衬底并采用刻槽n+-GaN帽层与局域钝化层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管以提升优值和动态特性
AlGaN/GaN-based SBDs grown on silicon substrates with trenched n+-GaN cap layer and local passivation layer to improve BFOM and dynamic properties
Zhizhong Wang1Jingting He2Fuping Huang2Xuchen Gao1Kangkai Tian2Chunshuang Chu2Yonghui Zhang1Shuting Cai2Xiaojuan Sun3Dabing Li3Xiao Wei Sun4Zi-Hui Zhang5 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46
本文设计并制备了在硅衬底上具有刻槽n+-GaN帽层的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。研究表明，n+-GaN帽层可向AlGaN/GaN沟道注入更多电子，使二维电子气密度提高一倍，比导通电阻降至约2.4 mΩ·cm²。通过干法刻蚀形成刻槽结构消除关态表面漏电，并在场板沉积前引入Si₃N₄钝化层，有效抑制刻蚀导致的表面缺陷，使漏电流降低至约8×10⁻⁵ A·cm⁻²，击穿电压达876 V，Baliga优值提升至约319 MW·cm⁻²。该Si₃N₄层还可抑制电子捕获与输运过程，显著改善动态导通电阻...
解读: 该硅基GaN肖特基二极管技术对阳光电源功率变换系统具有重要应用价值。刻槽n+-GaN帽层技术使比导通电阻降至2.4 mΩ·cm²，Baliga优值达319 MW·cm⁻²，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的同步整流电路，降低导通损耗15-20%。局域钝化层抑制动态导通电阻退化的方案...
Omni 3D：支持无处不在供电、信号与时钟的BEOL兼容三维逻辑
Omni 3D: BEOL-Compatible 3-D Logic With Omnipresent Power, Signal, and Clock
Suhyeong Choi · Carlo Gilardi · Paul Gutwin · Robert M. Radway 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本文介绍了 Omni 3D——一种由与后段制程（BEOL）兼容的晶体管自然实现的三维堆叠器件架构。Omni 3D 将金属层与三维堆叠的 n 沟道场效应晶体管（nFET）和 p 沟道场效应晶体管（pFET）交错排列。因此，信号和电源布线层能够从各个方向细粒度地访问场效应晶体管（FET）有源区，从而最大限度地提高了三维标准单元设计的灵活性。这与背面电源分配网络（BSPDN）、互补场效应晶体管（CFET）和堆叠场效应晶体管等方法形成了鲜明对比。重要的是，Omni 3D 的布线灵活性分别通过用于单元间和...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，Omni 3D三维集成芯片架构技术为我们的核心产品带来了重要的性能提升机遇。该技术通过后端工艺兼容的三维晶体管堆叠，实现了2倍能效延迟积（EDP）改进和1.5倍面积缩减，这对光伏逆变器和储能系统的功率控制芯片具有直接价值。 在光伏逆变器领域，我们的MPPT算法、并网控制和...
评估安装光伏阵列屋顶的综合节能效果及影响因素
Evaluating the comprehensive energy-saving effect of roofs equipped with photovoltaic arrays and influence factors
Kang Zhao · Yixiong Huang · Yulin Qin · Jian Ge 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.296
摘要 屋顶光伏（PV）系统应用广泛，通常以阵列形式部署。光伏阵列的安装参数会影响发电性能以及建筑的供暖与制冷负荷，其影响程度及内在机理尚待深入研究。本文通过耦合多物理场，建立了用于预测光伏阵列温度分布及其发电性能的模型。该模型整合了光伏阵列间歇性遮阳对屋面造成的动态热传导效应，从而实现了对安装光伏阵列屋面整体节能性能的精确评估。结果表明，倾斜布置的光伏组件之间温差可达约10 °C，主要归因于复杂且不均匀的流场分布。当安装高度增加至150 mm以上时，光伏组件间的温差可降至1 °C以下，最热组件的...
解读: 该研究揭示光伏阵列安装参数对发电效率和建筑热负荷的耦合影响机制,对阳光电源SG系列组串逆变器和iSolarCloud平台具有重要价值。研究发现倾斜阵列温差可达10°C,安装高度超150mm可降温8°C并提升6%发电效率,这为SG逆变器的MPPT优化算法提供温度补偿依据。建议将阵列温度场分布模型集成到...
再生长层厚度和氮浓度对垂直金刚石MOSFET低漏极电压下电流失效影响
Effects of Regrown Layer Thickness and Nitrogen Concentration on Current Rise at Low Drain Voltage in Vertical Diamond MOSFET
Kosuke Ota · Koji Amazutsumi · Runming Zhang · Yuta Nameki 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月
由于具有优异的物理特性，金刚石是一种很有前景的功率器件材料，而垂直 p 沟道场效应晶体管（FET）对于实现下一代互补逆变器至关重要。在本研究中，我们利用氢终端金刚石表面诱导的二维空穴气（2DHG）制造了一个（001）垂直金刚石 MOSFET。该器件采用了一种沟槽结构，其在硼掺杂金刚石（p +）衬底中的过刻蚀深度为 1.5 微米。然而，在低电压区域（−4 V ≤ VDS ≤ 0 V）观察到漏极电流上升受到抑制。为了探究其原因，我们对沟槽型横向器件进行了测量，在这类器件中电流不经过再生长层，且在低电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项金刚石垂直MOSFET技术研究代表了功率半导体器件领域的前沿探索，对我们的光伏逆变器和储能系统具有长远战略意义。 金刚石作为第四代半导体材料，其优异的物理特性——极高的击穿电场强度、热导率和载流子迁移率——使其在高功率密度应用中具有革命性潜力。该研究通过氢终端表面诱导...
p-GaN HEMT在关态应力后恢复过程中阈值电压不稳定性的研究
Study of Vₜₕ Instability During Recovery After Off-State Stress in p-GaN HEMT
Yi-Huang Chen · Sheng-Yao Chou · Ming-Chen Chen · Ting-Chang Chang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月
本研究对 p - GaN 栅极 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）在关态应力（OSS）下的阈值电压（<inline - formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex - math notation="LaTeX">${\mathrm{V}}_{\mathbf {\text {th}}}$ </tex - math></i...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN HEMT器件阈值电压稳定性的研究具有重要的战略意义。GaN基功率器件因其高频、高效、高功率密度特性，正成为下一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向，直接关系到我们产品的转换效率、功率密度和系统可靠性提升。 该研究揭示了p-GaN HEMT在关断应力下...
第 3 / 3 页