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基于开关频率调整的构网型变流器暂态过流能力稳定性约束增强方法
Stability Constrained Transient Overcurrent Capability Enhancement of Grid Forming Converters Based on Switching Frequency Adjustment
Boxin Liu · Xin Xiang · Yonghao Li · Huan Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
短期过流能力对于电网形成(GFM)变流器在电网故障暂态期间提供支撑至关重要。尽管近年来针对电力变流器开展了基于定制化和超大容量设计的暂态过流(TOC)能力提升策略研究,但由于成本高昂且硬件结构复杂,这些解决方案仍难以推广。为解决这一问题,本文引入开关频率作为自由度,从软件层面提升GFM变流器的TOC能力。通过在TOC阶段主动降低开关频率,可有效抑制过额定电流导致的结温上升。此外,本文还定量研究了开关频率大幅降低时内电压矢量控制环的固有控制稳定性问题。在此基础上,进一步提出了多参数协同调节策略,以...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于开关频率调节的构网型变流器暂态过流能力提升技术具有重要的战略价值。当前,我司在光伏逆变器和储能变流器领域正面临从跟网型向构网型技术演进的关键阶段,该技术恰好解决了构网型设备在电网故障期间支撑能力不足的核心痛点。 该技术的最大亮点在于通过软件层面的开关频率动态调节来...
一种具有自动参数提取功能的统一物理PSPICE碳化硅MOSFET模型
A Unified Physical PSPICE Model of SiC MOSFET With Automatic Parameter Extraction
Xin Yang · Qing Li · Xiaodi Wang · Shiwei Liang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月
碳化硅功率器件的端电容显著影响其开关特性,准确表征其非线性电容特性至关重要。本文提出一种基于非线性端电容物理特性的统一PSPICE碳化硅MOSFET建模方法,考虑了平面栅器件工作过程中耗尽区变化及电容结构的影响。通过分析栅源电压Vgs和漏源电压Vds的双重依赖关系计算端电容,并提出自动参数提取方法,使模型参数与实验特性匹配。该方法精确描述了三种端电容与Vgs、Vds之间的关系,避免了获取C-V曲线的复杂过程。通过对C2M0080120D和SCT30N120两种器件的双脉冲实验验证,模型结果与测量...
解读: 该SiC MOSFET统一物理模型及自动参数提取技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中,精确的非线性电容模型可优化开关损耗计算和EMI设计,提升1500V高压系统的可靠性。自动参数提取方法可加速新型SiC器件的选型验证流程,缩短PowerTitan等大功率产品的研...
基于双轴同步电机视角的构网型与跟网型变流器互联小信号同步稳定性分析
Small Signal Synchronization Stability Analysis of Interconnected System Containing Grid-Forming and Grid-Following Converters From the Perspective of Dual-Axis Synchronous Generator
Huanhai Xin · Kehao Zhuang · Pengfei Hu · Linbin Huang 等6人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2024年11月
随着大规模可再生能源接入电网,构网型(GFM)电压源换流器(VSC)与跟网型(GFL)VSC的互联已成为电力系统的一个显著发展趋势。然而,GFM VSC和GFL VSC在同步机制上存在显著差异,导致互联系统的小信号同步稳定特性尚不明确。为填补这一空白,本文引入同步发电机同时控制dq轴内电势分量的概念以增进物理理解,构建了一种能够统一GFM - VSC和GFL - VSC的等效结构。在数学层面,建立了基于电流源的互联系统同步稳定性分析模型。此外,基于广义奈奎斯特判据,提出了互联系统小信号同步稳定裕...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇论文针对构网型(GFM)与跟网型(GFL)变流器互联系统的同步稳定性分析具有重要的工程应用价值。随着我司光伏逆变器和储能系统在大型新能源电站中的广泛部署,GFM与GFL混合组网已成为实际工程的典型场景。该研究通过双轴同步发电机的统一建模视角,为解决两类变流器同步机理差异...
我们需要多少台构网型变流器?——从小信号稳定性和电网强度角度的思考
How Many Grid-Forming Converters Do We Need? A Perspective From Small Signal Stability and Power Grid Strength
Huanhai Xin · Chenxi Liu · Xia Chen · Yuxuan Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年4月
构网型(GFM)控制因其对电网友好的动态特性,特别是交流侧的“电压源特性”,被认为是将大规模电力电子变流器接入现代电网的一种有前景的解决方案。GFM变流器的电压源特性可为电网提供电压支撑,从而增强电网(电压)强度。然而,跟网型(GFL)变流器也可通过合理调节其无功电流来实现交流电压幅值的恒定控制,这使其也可能表现出类似电压源的特性。目前,GFL和GFM变流器的电压源特性之间的本质区别是什么,以及哪种类型的电压源特性能够增强电网强度,仍不明确。本文将证明,就小信号动态特性而言,只有GFM变流器能提...
解读: 该研究为阳光电源构网型产品配置提供重要理论依据。针对ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器,可优化GFM/GFL混合配置策略:在PowerTitan大型储能系统中,无需全部单元采用GFM控制,通过小信号稳定性分析确定最优GFM渗透率,既保证弱电网支撑能力,又降低控制复杂度和成本。研究提出的电网强度量...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...
基于SPH方法的新型摆翼式波浪能转换装置功率性能与动态响应的建模与实验验证
SPH modeling and experimental validation on power performance and dynamic response of a novel swing-wing wave energy converter
Kai Liu · Ding Chen · Pan Liang · Xuehao Yao 等8人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.325
摘要 针对传统电池驱动的海洋无人航行器续航能力有限、工作半径小的问题,提出了一种摆翼式波浪能转换装置(SW-WEC)的概念,以高效地将波浪能转化为机械能,并进一步转化为电能。准确分析SW-WEC的动态响应对于预测其发电性能至关重要,但采用传统数值方法实现这一目标具有较大挑战性。本文通过结合光滑粒子流体动力学(SPH)方法与Chrono-Engine,建立了全尺寸SW-WEC的流固耦合动力学模型。研究重点在于评估SPH方法在预测SW-WEC动态响应和功率性能方面的准确性,为此开展了实验与数值模拟两...
解读: 该摆翼式波浪能转换器技术对阳光电源海洋能源与储能系统融合具有启发意义。其PTO阻尼优化与功率控制策略可借鉴至ST系列PCS的能量管理算法,特别是波动性可再生能源的最大功率点跟踪。SPH流固耦合建模方法可应用于海上漂浮式光伏电站的动态响应分析。该技术为无人海洋设备供电场景提供了新思路,可与阳光电源储能...
耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关
1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON
Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
在本文中,展示了一种在具有氮化铝(AlN)缓冲层的碳化硅(SiC)衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型(E - Mode)氮化镓 - 硅(GaN - Si(100))单片异质集成共源共栅开关(RBMHIC - 开关)。栅漏间距(LGD)小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压(VTH)为 2.64 V,正向栅极电压摆幅达 16.27 V,导通电压(VON)为 0.3 V,在 - 2000 V 时反向漏电流(IR)极低,仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数,这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合:首先,2200V级的双向阻断能力配合极低的...
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