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利用AlGaN背势垒中的二维空穴气实现GaN-on-Si HEMT衬底损耗抑制与射频性能提升
2DHG in AlGaN Back-Barrier for Substrate Loss Suppression and RF Performance Enhancement in GaN-on-Si HEMTs
Yeke Liu · Po-Yen Huang · Chun Chuang · Sih-Han Li 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月
对于射频应用的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT）而言，衬底损耗仍是一项关键挑战。在本研究中，我们通过实验验证了氮化镓/铝镓氮（GaN/AlGaN）背势垒（BB）界面处二维空穴气（2DHG）的形成，并首次证明了其在抑制射频衬底损耗方面的重要作用。我们提出了一种二维空穴气屏蔽模型，并通过技术计算机辅助设计（TCAD）仿真进行了验证。此外，我们引入了前偏置技术，可在工作偏置条件下直接观测二维空穴气。小信号建模和S参数测量显示，与无铝镓氮背势垒的器件相比，具有铝镓氮背势垒的器...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-on-Si HEMT器件的2DHG背势垒技术具有重要的战略价值。该技术通过在GaN/AlGaN界面形成二维空穴气体来抑制衬底损耗，使器件的截止频率和最大振荡频率分别提升7 GHz和15 GHz，同时改善了功率增益、功率附加效率和线性度指标。 对于阳光电源的核心...
磁场对真空电子放大器稳定性与功率的影响
Effects of Magnetic Field on Stability and Power of Vacuum Electronic Amplifiers
Vadim Jabotinski · Alexander N. Vlasov · Simon J. Cooke · Thomas M. Antonsen · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
本文阐述了磁聚焦场对基于具有一系列互作用间隙的射频结构的一大类速调管放大器的稳定性、增益和功率影响的理论及建模，此类射频结构应用于行波管、速调管和其他速调管器件中。针对不同的磁聚焦条件，计算了射频结构和电子束集总电路参数矩阵，然后从行列式方程中得出自激阈值。推导了一种新的射频结构增益公式，并将其用于已求得的自激阈值。获得了不受小振幅振荡限制的束流包络方程的解析解，并利用该解确定能提供不同束流包络半径和振荡幅度的磁聚焦条件。以 $K_a$ 波段曲折线结构为例表明，最佳磁聚焦、电子束半径以及振荡束流...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于真空电子放大器磁场效应的论文虽然聚焦于行波管、速调管等传统真空电子器件，但其核心研究方法和物理机制对我司在高频功率电子领域的技术演进具有一定的参考价值。 该研究通过建立磁聚焦场对射频放大器稳定性、增益和功率影响的理论模型，实现了对自激振荡阈值的精确预测和束流包络方...
具有厚AlN势垒的AlN/GaN基HEMT器件在低压射频前端应用中表现出优异的功率与噪声性能
Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications
Haochen Zhang · Mingshuo Zhang · Hu Wang · Xinchuan Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126
本文报道了一种基于厚AlN势垒的AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于低压射频前端电路。通过优化AlN势垒层厚度，显著提升了器件的二维电子气密度与输运特性，在低工作电压下实现了高饱和电流与优异的射频功率增益。同时，器件表现出极低的最小噪声系数，归因于增强的沟道电场均匀性与抑制的短沟道效应。该HEMT在3 V以下供电时仍保持高性能，适用于5G及物联网等低功耗无线通信系统。
解读: 该AlN/GaN HEMT技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。厚AlN势垒结构在低压条件下实现的高功率密度和低噪声特性，可应用于新一代SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的射频控制电路，提升系统EMI性能。特别是在3V以下的低压工作特性，适合优化车载OBC和充电桩等对功耗敏感的产品的通信...
高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化：电热与陷阱机制
Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms
Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
研究了在高压射频应力下，不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗，低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析，表明高阻抗下自热效应更强，但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速，加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试，识别出浅能级陷阱的激活是退化主因，并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。
解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制，可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域，可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...
串并联谐振重复频率电容器充电电源软启动的最优轨迹控制
Optimal Trajectory Control for Soft Startup of Series–Parallel Resonant Repetitive-Frequency Capacitor Charging Power Supply
Yuankun Zhang · Zhou He · Hongfa Ding · Wentao Zhou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
串并联谐振变换器（SPRC）广泛应用于高功率重复频率（RF）电容器充电电源。在RF运行模式下，充电间隔阶段会导致启动与稳态充电时谐振元件初始电压不一致，从而产生冲击电流。本文提出了一种最优轨迹控制策略，通过优化启动过程中的开关轨迹，有效抑制了启动阶段的瞬态冲击，提升了系统的可靠性与控制精度。
解读: 该研究聚焦于高频谐振变换器的软启动控制与瞬态抑制，对于阳光电源的储能变流器（PCS）及高功率DC-DC变换模块具有参考价值。虽然该文献针对的是脉冲功率充电场景，但其提出的最优轨迹控制策略可优化阳光电源PowerTitan等储能系统在直流侧预充电及启动阶段的电流冲击控制，有助于提升功率模块在频繁启停工...
基于肖特基二极管非线性阻抗特性的超宽输入功率范围紧凑型整流器
Compact Rectifiers With Ultra-wide Input Power Range Based on Nonlinear Impedance Characteristics of Schottky Diodes
Zhongqi He · Jing Lan · Changjun Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出两种利用二极管非线性阻抗特性实现超宽输入功率范围的高效射频整流器。每个整流器包含两个分别工作在高、低功率水平的子整流器，无需功率分配器或耦合器即可实现非线性功率分配策略。
解读: 该研究聚焦于射频（RF）领域的高频整流技术，通过利用肖特基二极管的非线性特性优化功率范围。虽然阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）主要集中在工频或中高频电力电子变换领域，而非射频领域，但其提出的“无耦合器非线性功率分配”设计思路，对于提升阳光电源在充电桩功率模块或小型化户用逆变器中的...
基于射频溅射铝掺杂氧化锌的透明电化学电容器作为结构储能器件用于智能建筑中替代双层玻璃窗
RF-sputtered Al-doped ZnO-based transparent electrochemical capacitors developed as a structural energy storage to replace double-glazed window for a smart building
Febin Paul · United Kingdom · Vishnu Kalarikkal Narayanan · Prasutha Rani Markapudi · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文报道了一种采用射频溅射法制备的铝掺杂氧化锌（AZO）基透明电化学电容器，可作为结构化储能组件，用于替代智能建筑中的传统双层玻璃窗。该器件兼具高光学透过率和良好的电化学性能，能够在不影响采光的前提下实现能量存储功能。通过优化AZO薄膜的制备工艺，提升了导电性与循环稳定性，组装的透明电容器在可见光范围内平均透过率达70%以上，比电容达12.8 mF/cm²，并表现出优异的循环寿命。该研究为建筑集成储能系统提供了一种可行方案。
解读: 该透明电化学电容器技术为阳光电源建筑光储一体化方案提供创新思路。可与iSolarCloud平台结合，开发建筑集成储能系统（BESS）：将透明储能窗与SG系列光伏逆变器、ST储能变流器协同控制，实现建筑外立面的发电-储能-用电一体化管理。AZO薄膜的高透光率（>70%）与电化学性能平衡，启发Power...
基于直流和小信号射频测量的140–180 nm AlGaN/GaN HEMT温度依赖特性表征
Temperature dependent characterization of 140–180 nm AlGaN/GaN HEMTs using DC and small-signal RF measurements
Karen Nishimura · Gary Hughes · Isaac Wildeson · Puneet Srivastava 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127
本文通过直流和小信号射频测量，系统研究了140–180 nm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在不同温度下的电学特性。实验涵盖了从室温至高温范围的器件性能变化，提取了跨导、漏极电流、载流子迁移率及寄生参数等关键指标随温度的变化规律。结果表明，随着温度升高，器件的跨导和饱和电流显著下降，同时寄生电阻增大，影响高频性能。该研究为AlGaN/GaN HEMT在高温环境下的可靠性评估与电路设计提供了重要参考。
解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。温度特性表征结果可直接指导SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的GaN器件选型与散热设计。特别是对于大功率密度设计的PowerTitan储能系统，研究揭示的高温下跨导和饱和电流下降特性,有助于优化GaN器件的工作点设置和过温保护策略。同时,...
一种基于转子磁链空间矢量的改进型感应电机磁场定向控制模型参考自适应系统
An Improved Rotor Flux Space Vector Based MRAS for Field-Oriented Control of Induction Motor Drives
Abhisek Pal · Sukanta Das · Ajit K. Chattopadhyay · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月
本文提出了一种改进的基于转子磁链（RF）的模型参考自适应系统（MRAS），旨在提升感应电机（IM）磁场定向控制在低速运行时的性能。通过在参考模型中使用电压参考矢量替代实际电压信号矢量来计算转子磁链矢量，有效改善了传统MRAS估计器的性能。
解读: 该研究聚焦于电机驱动的无传感器控制算法，虽然阳光电源的核心业务侧重于光伏逆变器和储能变流器（PCS），但其风电变流器产品线涉及双馈或直驱感应电机控制。该算法对提升风电变流器在低速工况下的转速估计精度和系统稳定性具有参考价值。建议研发团队关注该改进型MRAS在复杂电网环境下的鲁棒性，评估其是否能优化风...
一种用于自供电无线传感器、具有中间节点控制功能的190 nA偏置电流10 mV输入多级升压调节器
A 190 nA Bias Current 10 mV Input Multistage Boost Regulator With Intermediate-Node Control to Supply RF Blocks in Self-Powered Wireless Sensors
Khondker Zakir Ahmed · Saibal Mukhopadhyay · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月
自供电无线传感器需从极低输入电压获取能量，且要求极低的偏置电流。本文提出了一种多级升压调节器，能在10 mV输入电压下产生3 V输出，为无线传感器射频模块供电。通过自动偏置门控技术，有效降低了偏置功耗，提升了微功率转换效率。
解读: 该技术聚焦于极低电压输入下的微功率管理（10 mV/190 nA），主要应用于微型传感器节点。对于阳光电源而言，该技术与目前主流的光伏逆变器、储能系统（PowerTitan/Stack）及充电桩业务在功率等级上存在巨大差异。然而，该研究中涉及的“超低功耗偏置管理”和“多级升压拓扑”技术，可为阳光电源...
基于结构函数法与静态-脉冲I–V测量的射频HEMT用GaN-on-Si材料热阻优化
Thermal resistance optimization of GaN-on-Si materials for RF HEMTs based on structure function method and static-pulsed I–V measurements
Qingru Wang · Yu Zhou · Xiaozhuang Lu · Xiaoning Zhan · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
针对射频高电子迁移率晶体管（RF HEMT）应用的GaN-on-Si材料，提出一种结合结构函数法与静态-脉冲I–V测量的热阻优化方法。通过提取不同器件结构下的瞬态热响应，利用结构函数分析热阻抗分布特征，识别主要热瓶颈。结合静态与脉冲I–V特性测量，量化自热效应并评估有效热阻。据此优化外延层结构与衬底工艺，显著降低器件热阻，提升散热性能与可靠性，为高性能GaN基射频器件的设计与制造提供指导。
解读: 该研究对阳光电源GaN器件应用有重要参考价值。结构函数法与静态-脉冲I-V测量相结合的热阻优化方法，可直接应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的GaN功率模块设计。通过优化外延层结构与衬底工艺，可显著提升GaN器件散热性能，有助于实现更高功率密度的产品设计。这对提高阳光电源新一代1500...
用于5G NR移动终端射频功率放大器的CMOS包络跟踪电源转换器
A CMOS Envelope Tracking Supply Converter for RF Power Amplifiers of 5G NR Mobile Terminals
Yu-Chen Lin · Yi-Jan Emery Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
本文提出了一种用于sub-6 GHz 5G NR移动设备射频功率放大器的包络跟踪电源转换器。该混合型转换器由线性调节器、快速开关调节器和慢速开关调节器并联组成。文中提出了一种双相滞回控制策略，用于快速开关调节器，以跟踪40-MHz 5G NR信号的快速变化包络。
解读: 该文章研究的是移动终端射频领域的微型化、高频化电源转换技术，与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能系统、风电变流器）在功率等级和应用场景上存在较大差异。尽管该技术涉及的高频开关控制和混合拓扑设计在电力电子领域具有通用参考价值，但由于其主要针对消费电子的CMOS集成电路，对阳光电源现有的电力电子产品线...
用于光伏输出预测的混合机器学习模型：结合随机森林与LSTM-RNN实现鱼菜共生系统的可持续能源管理
Hybrid Machine learning models for PV output prediction: Harnessing Random Forest and LSTM-RNN for sustainable energy management in aquaponic system
Tresna Dewi · Elsa Nurul Mardiyat · Pola Risma · Yurni Oktarin · Energy Conversion and Management · 2025年4月 · Vol.330
准确预测光伏发电（PV）系统输出对于优化可持续鱼菜共生系统中的能源管理至关重要，其中太阳辐照度的波动带来了重大挑战。本研究提出了一种结合长短期记忆循环神经网络（LSTM-RNN）与随机森林（RF）的混合模型，以有效应对这些挑战。该模型融合了LSTM-RNN在建模时间依赖性方面的优势以及RF在特征选择和处理非线性数据方面的能力，从而在电压、电流、功率和辐照度等参数上展现出优越的预测精度。通过采用包括归一化和序列转换在内的先进预处理步骤，使数据集与时间模式对齐，提升了模型的学习效率。评估指标如均方根...
解读: 该混合机器学习模型对阳光电源iSolarCloud智慧运维平台具有重要应用价值。LSTM-RNN与随机森林结合的预测方法可集成至SG系列光伏逆变器的MPPT优化算法,提升发电预测精度(RMSE<0.08)。模型对辐照度和温度的特征优先级分析(贡献度45%和22%)可优化ST系列储能PCS的充放电策略...
基于随机森林增强型电热老化模型的锂离子电池安全可持续快速充电策略
A Secure-Sustainable-Fast Charging Strategy for Lithium-Ion Batteries Based on a Random Forest-Enhanced Electro-Thermal-Degradation Model
Yajie Jiang · Noven Lee · Xiaojun Deng · Yun Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文提出了一种基于先进电热老化（ETD）模型的锂离子电池快速充电策略。该模型耦合了温度、荷电状态（SOC）和健康状态（SOH），结合了等效电路模型的简洁性与随机森林（RF）算法的高精度，旨在实现电池充电过程中的安全性、可持续性与高效性平衡。
解读: 该研究对于阳光电源的储能业务（如PowerTitan、PowerStack系列）具有极高价值。通过引入随机森林增强的电热老化模型，公司可进一步优化BMS（电池管理系统）的充电控制算法，在保证电池寿命和安全的前提下，显著提升储能系统的充电效率。该技术可直接应用于iSolarCloud智能运维平台，通过...
梯度提升特征选择用于串补输电线路集成故障诊断
Gradient Boosting Feature Selection for Integrated Fault Diagnosis in Series-Compensated Transmission Lines
Rab Nawaz · Abdul Wadood · Khawaja Khalid Mehmood · Syed Basit Ali Bukhari 等6人 · IEEE Access · 2025年4月
串补输电线路是现代电网的组成部分，增强系统可靠性和稳定性。然而，它们引入电压反转、谐波失真和非线性动态等挑战，使当代电力系统故障诊断复杂化。本研究引入创新方法分析故障信号波形，利用互联网和传感器技术进步提供时间序列形式的大量电压和电流数据。通过优化从特征提取到模型学习的每个数据处理阶段，所提系统有效解决故障检测、分类和定位作为多分类问题。特征提取与高效梯度提升特征选择集成确保高准确度、速度和计算效率，优于需要大量预处理的技术。该方法使用四种集成分类器实施：自适应提升AB、轻量梯度提升机LGBM、...
解读: 该故障诊断技术对阳光电源光伏储能系统智能运维具有重要价值。阳光大型地面电站和集中式储能站需要快速准确的故障检测和定位。该研究的梯度提升特征选择和多分类模型可集成到阳光iSolarCloud平台，实现电站级故障智能诊断。在输电线路并网场景下，阳光储能系统需要识别电网侧故障并快速响应。该RF和XGB算法...
基于碳化硅上镧钴氧化物的宽带宽高功率射频限幅器
Wide Bandwidth, High Power Radio Frequency Limiter Based on Lanthanum Cobalt Oxide on SiC
Rajashree Bhattacharya · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
绝缘体 - 金属相变氧化物为突破当前射频限幅器技术的限制提供了契机。在本文中，我们展示了基于溅射在碳化硅衬底上的钴酸镧（LaCoO₃，LCO）的并联功率限幅器。本文所介绍的 LCO 限幅器在基于绝缘体 - 金属相变（IMT）材料的射频开关中，实现了有报道以来最宽温度范围（从 10°C 到 225°C）内的限幅性能。在 2 GHz 频率下，该功率限幅器在高达 75°C 的温度下插入损耗小于 1 dB，可承受高达 40 dBm 的功率，泄漏功率为 20 dBm。我们在 0.1 至 50 GHz 范围...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于钴酸镧（LaCoO3）材料的射频限幅器技术具有重要的潜在应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率变换设备面临日益严峻的电磁兼容性挑战，特别是在高功率密度设计和复杂电磁环境下，射频干扰抑制成为关键技术瓶颈。 该技术的核心优势在于其宽温度工作范围（10-225°C）和...
通过结合微射流冷却与优化衬底的氮化镓肖特基势垒二极管热管理提升限幅器性能
Limiter Performance Improvement Through Thermal Management of GaN SBD Combined Microjet Cooling With Optimized Substrate
Rikang Zhao · Dichen Lu · Xuanwu Kang · Weike Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
在本文中，我们报道了通过改善氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）的热管理来提升射频（RF）性能，并通过限幅器的应用进行了验证。得益于微射流冷却的快速散热，我们分析了热积累对GaN SBD性能的影响，证实了GaN横向异质结器件对高导热性衬底的依赖性。我们开发了一种使用高导热性碳化硅（SiC）衬底的GaN - SBD，其导通电阻降低了8%，饱和电流提高了12%。通过将微射流冷却与优化的衬底相结合，GaN SBD的热管理能力得到了显著增强。利用无源限幅器单片微波集成电路（MMIC）对RF性能进行...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN肖特基二极管热管理优化的研究具有重要的战略参考价值。该技术通过微射流冷却与高导热SiC衬底的协同优化，显著提升了GaN器件的射频性能，这与我们在大功率逆变器和储能变流器领域面临的热管理挑战高度契合。 在光伏逆变器和储能PCS产品中，GaN功率器件正逐步替代传...
通过引入介质材料抑制微波器件中的多极效应
Suppressing the Multipactor in Microwave Devices by Introducing the Dielectric Material
Yonggui Zhai · Rui Wang · Hongguang Wang · Meng Cao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究提出了一种通过集成介电材料来抑制航天器用高功率微波器件中二次电子倍增效应的方法。利用CST微波工作室对电磁场进行数值分析，同时通过自主开发的三维粒子模拟（PIC）代码准确预测二次电子倍增阈值。系统研究了介电材料的几何参数和材料特性对二次电子倍增的影响。仿真结果表明，当介电材料的宽度与平行板或矩形波导的宽度相匹配时，增加介电材料的厚度和相对介电常数会增强射频（RF）电场的幅度，同时二次电子倍增阈值降低。相反，当介电材料的宽度小于波导宽度时，射频电场幅度降低，导致二次电子倍增阈值升高。值得注意...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文虽聚焦于航天领域微波器件的多载子倍增效应抑制，但其核心技术原理对我司高功率电力电子设备具有重要借鉴价值。多载子倍增现象本质上是高频高压环境下的电子雪崩效应，这与光伏逆变器、储能变流器等产品在大功率开关过程中面临的局部放电和绝缘击穿挑战存在物理机制上的相似性。 该研究...
用于射频功率放大器芯片散热增强的快速散热器拓扑优化
Fast Heatsink Topology Optimization for RF Power Amplifier Chip Heat Dissipation Enhancement
Huazhi Xiang · Jialong Fu · Yaocheng Shang · Daniele Inserra 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年3月
本文提出了一种基于热阻网络模型的射频功率放大器电路散热器快速拓扑优化算法方法。该方法能够在将温度控制在允许范围内的同时，实现散热器的轻量化设计。在散热器的设计区域采用了固体各向同性材料惩罚（SIMP）方法，同时通过热阻网络模型来表征射频功率放大器电路对散热的影响。该方法的主要优势在于避免了使用传统的有限元法（FEM）对整个芯片/散热结构进行热仿真，传统方法需要很长的仿真时间和大量的计算工作。相反，热阻网络计算方法提供了一种非常快速且足够准确的温度分布分析工具，在优化程序中使用时可加快散热器结构设...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对射频功率放大器芯片的快速散热器拓扑优化技术具有显著的跨领域应用价值。尽管研究对象是射频功率放大器，但其核心方法论——基于热阻网络模型的拓扑优化算法——与我司光伏逆变器和储能变流器中的功率半导体散热设计需求高度契合。 该技术的核心价值在于突破了传统有限元仿真的计算瓶...
基于高质量超薄缓冲层的高射频性能增强型GaN-on-Si HEMT器件，输出功率达5.32 W/mm
High RF Performance E-Mode GaN-on-Si HEMTs With Pₒᵤₜ of 5.32 W/mm Using High-Quality Ultrathin Buffer
Jiale Du · Bin Hou · Ling Yang · Yachao Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月
在本文中，我们报道了一种在高质量超薄缓冲层上制备的高性能增强型氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该超薄缓冲层是通过在高电阻率（HR）硅衬底上采用两步渐变（TSG）过渡结构实现的。由于TSG过渡结构能够使位错迅速湮灭，该超薄缓冲层的总位错密度（TDD）低至 ${1}.{7}\times {10} ^{{9}}$ cm $^{-{2}}$ ，这有助于改善电流和射频功率性能。因此，在该结构上制备的增强型GaN HEMT的最大漏极电流达到620 mA/mm，阈值电压（ ${V}_{\tex...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于硅基衬底的增强型GaN HEMT技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的两步梯度过渡结构实现了超薄缓冲层的高质量外延生长，将位错密度降低至1.7×10⁹ cm⁻²，这为功率器件性能的突破奠定了基础。 在光伏逆变器和储能变流器领域，该技术展现的5.32 W/mm输出...
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