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控制与算法 PWM控制 功率模块 并网逆变器 ★ 4.0

从直流到超过开关频率一半的电力电子建模高阶广义平均法

High-Order Generalized Averaging Method for Power Electronics Modeling From DC to Above Half the Switching Frequency

Hongchang Li · Kangping Wang · Jingyang Fang · Wenjie Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

针对电力电子变换器在接近或超过开关频率一半时,因开关动作的时变性和不连续性导致的建模困难,本文提出了一种基于移动傅里叶系数特性的高阶广义平均法。该方法突破了半开关频率的限制,建立了高阶广义平均模型,为高频电力电子系统的精确分析与控制设计提供了理论支撑。

解读: 该研究提出的高阶广义平均建模方法,对于提升阳光电源组串式逆变器及储能变流器(PCS)在高频段的动态响应分析精度具有重要价值。随着功率密度提升,开关频率不断提高,该模型能更准确地预测变换器在宽频带下的稳定性,有助于优化控制算法,减少谐波干扰,提升系统并网性能。建议研发团队将其应用于高频化功率模块的仿真...

功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

一种GaN基高频DC-DC变换器寄生电感最小化的多回路方法

A Multiloop Method for Minimization of Parasitic Inductance in GaN-Based High-Frequency DC–DC Converter

Kangping Wang · Laili Wang · Xu Yang · Xiangjun Zeng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月

氮化镓(GaN)HEMT因其高开关速度和低导通电阻,在高效高密度DC-DC变换器中极具潜力。然而,其高开关速度对寄生电感高度敏感,易导致电压尖峰和驱动安全问题。本文提出一种多回路方法,旨在有效最小化GaN器件应用中的寄生电感,提升变换器性能。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。随着户用光伏逆变器及小型储能系统(如PowerStack)向更高频率、更小体积演进,GaN器件的应用成为提升效率的关键。该多回路寄生电感抑制方法可直接应用于阳光电源的功率模块设计与PCB布局优化,有助于解决高频开关下的电压过冲问题,提升系统可靠性。建议研发...

拓扑与电路 双向DC-DC 充电桩 储能变流器PCS ★ 4.0

一种用于感应电能传输效率优化的双侧桥式变换器运行模式选择方法

An Operation Mode Selection Method of Dual-Side Bridge Converters for Efficiency Optimization in Inductive Power Transfer

Shuxin Chen · Yang Chen · Hongchang Li · Nguyen Anh Dung 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

在感应电能传输系统中,阻抗匹配是实现高效率的关键。然而,由于负载阻抗在无线充电等应用中经常变化,维持阻抗匹配成为一项挑战。本文提出了一种通过控制负载侧功率变换器,使等效负载阻抗在负载变化时保持在最优值的有效解决方案。

解读: 该研究关注的双侧桥式变换器(Dual-Side Bridge)及阻抗匹配控制技术,与阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统(PCS)业务高度相关。在无线充电桩产品中,该技术可显著提升能量传输效率;在储能PCS领域,通过优化双向DC-DC变换器的运行模式,可提升系统在宽电压范围下的转换效率,降低损耗。建议...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器

1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC

Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文展示了一种基于单片集成氮化镓(GaN-on-Sapphire)二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白,验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。

解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破,对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域,随着功率密度的不断提升,传统硅基器件已接近性能瓶颈,引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该...

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