找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

宽禁带器件动态测试的重点与关注点:一项基于问卷的调查

Focuses and Concerns of Dynamic Test for Wide Bandgap Device: A Questionnaire-Based Survey

Peng Sun · Mingrui Zou · Yulei Wang · Jiakun Gong 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

由于高开关速度、低导通电阻和高导热性等优势,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)器件备受关注。然而,WBG器件的高开关速度也带来了测试方面的挑战。本文通过问卷调查,总结了当前工业界和学术界在WBG器件动态测试中的核心关注点与技术难点。

解读: 宽禁带半导体是阳光电源提升产品功率密度和转换效率的核心技术路径。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该文献揭示的动态测试挑战,对阳光电源优化功率模块驱动设计、降低开关损耗及电磁干扰(EMI)具有重要指导意义。建议研发团队参考...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

采用复合终端的氧化镓肖特基势垒二极管静态与动态特性实验研究

Experimental Study on Static and Dynamic Characteristics of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Compound Termination

Yuxi Wei · Xiaorong Luo · Yuangang Wang · Juan Lu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

本文提出并实验研究了一种具有改进击穿电压的超快反向恢复β-Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)。该器件采用复合终端结构,结合了空气间隙场板和热氧化终端,有效降低了介质/Ga2O3界面的高密度界面态及电子浓度,提升了器件的耐压性能与开关特性。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)的效率与功率密度,并减小散热系统体积。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及成本演进,评估其在...

拓扑与电路 DC-DC变换器 充电桩 双向DC-DC ★ 4.0

用于车载逆变器应用的耦合电感隔离升压变换器的谐振分析与软开关设计

Resonance Analysis and Soft-Switching Design of Isolated Boost Converter With Coupled Inductors for Vehicle Inverter Application

Yuxi Wang · Wei Liu · Hao Ma · Longyu Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年3月

本文研究了带耦合电感的隔离升压变换器的谐振特性及软开关设计。通过电压倍增电容、钳位电容与耦合电感漏感的谐振,有效抑制了二次侧二极管的反向恢复问题,实现了全工作范围内的软开关,提升了变换效率。

解读: 该技术主要涉及高效率DC-DC变换拓扑,与阳光电源的电动汽车充电桩业务高度契合。通过耦合电感技术优化软开关,能显著提升充电模块的功率密度与转换效率,降低散热压力。建议研发团队关注该拓扑在车载充电机(OBC)及大功率直流快充模块中的应用,以提升产品在轻量化和高效率方面的竞争力。同时,该谐振分析方法可借...