找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 功率模块 ★ 5.0

一种用于高频LLC-DCX的钳位互锁隔离谐振栅极驱动器

A Clamped Interlocking Isolated Resonant Gate Driver for High-Frequency LLC-DCX

Ziyan Zhou · Qiang Luo · Qinsong Qian · Tianhao Dong 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

本文提出了一种钳位互锁隔离谐振栅极驱动器(CIRGD),旨在为LLC直流变压器(LLC-DCX)提供多路隔离互补驱动信号。CIRGD通过钳位MOSFET将栅极电压钳位在0-Vg,有效降低了驱动电路中循环电流引起的导通损耗,进一步提升了系统效率。

解读: 该技术对阳光电源的高频功率变换产品具有重要价值。LLC-DCX拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器DC/DC级及PowerStack/PowerTitan储能系统的双向DC/DC变换器中。通过采用CIRGD技术,可以显著降低高频开关下的驱动损耗,提升整机效率,并有助于缩小磁性元件体积,实现产品的高功...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 三电平 ★ 4.0

用于GaN HEMT桥式电路串扰抑制的高频三电平栅极驱动器

High-Frequency Three-Level Gate Driver for GaN HEMT Bridge Crosstalk Suppression

Xiaonan Wang · Ming Tao · Jing Xiao · Deng Luo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

为抑制氮化镓(GaN)桥式电路中的串扰问题,本文提出了一种新型高频三电平栅极驱动器(HFTGD),实现了高达5MHz开关频率下的串扰抑制。该驱动器通过电容-二极管电路产生负压,有效防止了正向串扰引起的器件误导通。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为提升效率和减小体积的关键。该文章提出的高频三电平栅极驱动技术,能够有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题,对提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动架...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 4.0

横向键合与垂直集成大功率二极管模块的共模噪声及热性能对比研究

Comparison Study of Common-Mode Noise and Thermal Performance for Lateral Wire-Bonded and Vertically Integrated High Power Diode Modules

Chengcheng Yao · Zhongjing Wang · Wenwei Li · He Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月

本文研究了旨在优化共模(CM)噪声和热性能的功率模块设计。以高频全桥二极管整流器为案例,通过简化的CM等效模型和参数化研究,识别了影响CM噪声产生与抑制的关键因素。研究表明,合理的寄生参数设计与对称性对提升模块性能至关重要。

解读: 该研究关注功率模块的寄生参数优化与热管理,对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能变流器(PCS)设计具有重要指导意义。随着功率密度提升,高频下的共模噪声抑制与散热设计是提升产品效率与电磁兼容性(EMC)的核心。建议研发团队在下一代SiC功率模块封装选型中,参考文中关于垂直集成结构的分析,...