找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
1.2 kV SiC MOSFET与JBS集成MOSFET高温电学特性对比研究
Comparative Study on High-Temperature Electrical Properties of 1.2 kV SiC MOSFET and JBS-Integrated MOSFET
Zhaoyuan Gu · Mingchao Yang · Yi Yang · Xihao Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
针对4H-SiC MOSFET中寄生PiN体二极管在高温下存在正向压降大、反向恢复特性差的问题，本文研究了集成肖特基势垒二极管（JBS）的MOSFET方案。该方案能有效抑制PiN二极管导通，提升高温运行下的电气性能与可靠性。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率器件选型与模块设计。随着公司组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和高温环境运行演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。集成JBS的SiC器件能显著改善体二极管特性，降低开关损耗并提升高温可靠性，这对优化逆变器...
一种实现全域ZVS的DAB变换器简化闭式优化轨迹控制
Simplified Closed-Form Optimized Trajectories Control for a Dual Active Bridge Converter With ZVS Implementation Over Whole Domain
Deliang Chen · Junjun Deng · Mingyang Li · Zhenpo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
双向全桥（DAB）变换器因其优异性能广泛应用于电动汽车充电及储能领域。尽管三相移（TPS）调制研究众多，但现有方案难以在全电压和负载范围内实现零电压开关（ZVS），尤其是在不同模式切换过程中存在局限。本文提出了一种简化的闭式优化轨迹控制策略，旨在解决全域ZVS实现难题，提升变换器效率与动态响应能力。
解读: 该研究直接针对DAB变换器的核心控制痛点，对阳光电源的充电桩产品线（如直流快充桩）及储能变流器（PCS，如PowerTitan/PowerStack系列）具有重要价值。DAB是实现高功率密度双向DC-DC变换的关键拓扑，通过实现全域ZVS，可显著降低开关损耗，提升系统在宽电压范围下的转换效率。建议研...
一种基于串联半桥WPT变换器的宽运行范围效率优化混合调制策略
A Hybrid Modulation Strategy Based on Tandem-Half-Bridge WPT Converter for Efficiency Optimization Within Wide Operation Range
Mingyang Li · Junjun Deng · Zhenyuan Zhang · Zhenpo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
无线电能传输（WPT）系统的效率高度依赖于负载电阻。为应对宽负载变化需求，传统方法多采用复杂的双侧多变量控制。本文提出一种基于串联半桥结构的混合调制策略，旨在简化控制复杂度的同时，优化WPT系统在宽负载范围下的传输效率，解决了高频同步及控制复杂性难题。
解读: 该研究聚焦于无线电能传输（WPT）的拓扑优化与高效控制，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有技术关联性。虽然目前主流充电桩以有线快充为主，但大功率无线充电是未来电动汽车充电技术的重要演进方向。该串联半桥拓扑及混合调制策略可为阳光电源在未来研发高效率、宽负载适应性的无线充电模块提供理论参考，有助于提升充...