找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
基于硬件闭环控制的开尔文源极连接SiC MOSFET串扰抑制有源门极驱动器
The Active Gate Driver Based on Hardware Closed-Loop Control for Crosstalk Suppression of SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Mingkai Cui · Lei Chen · Yulong Pei · Feng Chai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文针对桥式电路中SiC MOSFET开尔文源极连接带来的串扰问题，提出了一种基于硬件闭环控制的有源门极驱动器（AGD）。通过设计简单的硬件闭环控制器，有效调节驱动信号，从而抑制电压串扰，提升功率变换器的可靠性与应用潜力。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为主流。开尔文源极连接虽能提升开关性能，但带来的串扰问题是制约系统可靠性的关键瓶颈。该有源门极驱动（AGD）方案通过硬件...
基于硬件闭环控制的有源栅极驱动器用于具有开尔文源极连接的SiC MOSFET串扰抑制
The Active Gate Driver Based on Hardware Closed-Loop Control for Crosstalk Suppression of SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Mingkai Cui · Lei Chen · Yulong Pei · Feng Chai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
基于开尔文源极连接的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在基于桥式配置电路的功率变换器中得到了广泛应用，但串扰会显著影响其可靠性并限制其应用潜力。针对这一问题，本文提出了一种基于硬件闭环控制的有源栅极驱动器（AGD）。设计了一种简单的硬件闭环控制器来调节碳化硅MOSFET的栅源电压。一方面，闭环结构可以在线降低串扰峰值电压。另一方面，由于闭环结构能够确保栅源电压收敛，因此可以采用更高的驱动电压来缩短开关时间和降低功率损耗。与传统方法相比，所提出的有源栅极驱动器能够在不增加...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于硬件闭环控制的SiC MOSFET有源栅极驱动技术具有重要的战略价值。在我们的光伏逆变器和储能变流器产品中，SiC器件已成为提升功率密度和效率的核心器件，但桥式拓扑中的串扰问题一直是制约系统可靠性和性能优化的瓶颈。 该技术的核心价值在于通过硬件闭环控制实现了串扰抑...
针对全频域扰动具有增强鲁棒性的永磁同步电机无传感器驱动静态无差位置估计
Static-Errorless Position Estimation for Sensorless PMSM Drives With Enhanced Robustness Against the Full-Frequency Domain Disturbance
Yanjun Yu · Yanzhen Shao · Feng Chai · Mingkai Cui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文针对基于反电动势（BEMF）模型的永磁同步电机（PMSM）无传感器位置估计方法，提出了静态无差位置估计策略。该方法旨在解决传统方法在全频域扰动下鲁棒性不足、导致位置估计误差的问题，显著提升了电机驱动系统在复杂工况下的控制精度与稳定性。
解读: 该技术主要应用于永磁同步电机（PMSM）的无传感器控制，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。在充电桩内部的功率模块或相关辅助电机驱动中，采用无传感器控制可降低硬件成本并提升系统可靠性。此外，该算法对全频域扰动的鲁棒性优化，有助于提升电机在复杂电网环境下的运行稳定性。建议研发团队关注该策略在提...