找到 4 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 单相逆变器 并网逆变器 功率模块 ★ 4.0

单相并网变换器功率脉动补偿器的功耗测量

Power Dissipation Measurements at Power Pulsation Compensators for Single-Phase Grid-Connected Converters

Stefan Schönewolf · Andreas Nagel · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

为实现单相并网变换器直流侧功率恒定,需引入功率脉动补偿装置。本文研究了利用终端电流和电压测量值计算补偿器功耗的方法,指出该方法对电流测量误差高度敏感,易导致结果失真。文章探讨了提高测量精度与评估功耗的有效策略,对提升变换器效率与可靠性具有指导意义。

解读: 该研究直接关联阳光电源户用光伏逆变器及小型储能变流器(PCS)的单相拓扑设计。单相系统固有的二倍频功率脉动是影响直流侧电容寿命及系统效率的关键因素。通过优化功率脉动补偿电路的功耗测量与评估方法,阳光电源研发团队可更精准地优化电路拓扑,减少无源器件损耗,从而提升户用逆变器及储能产品的功率密度与可靠性。...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 故障诊断 ★ 4.0

城市轨道交通应用中SiC MOSFET的二维短路检测保护

The Two-Dimensional Short-Circuit Detection Protection For SiC MOSFETs in Urban Rail Transit Application

Patrick Hofstetter · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

本文研究了SiC MOSFET在城市轨道交通应用中的二维短路检测保护方法。针对轨道交通复杂工况下的高可靠性要求,该方法通过优化检测策略,有效提升了SiC器件在短路故障下的保护速度与准确性,解决了SiC器件在严苛环境下应用的关键挑战。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,短路保护的可靠性至关重要。该二维检测方法可优化逆变器及PCS的驱动电路设计,提升系统在极端故障下的生存能力。建议研发团队关注该保护策略在高...

拓扑与电路 多电平 IGBT 功率模块 ★ 4.0

采用首个闭锁方法的MMC故障电流行为

Fault Current Behavior of MMC With the First Blocking Method

Xu Jiang · Mark M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

本文研究了全桥模块化多电平变换器(MMC)及混合MMC在故障下的电流行为,重点考虑了子模块中两个半桥非同步闭锁的情况。为保护全桥子模块中的IGBT,提出了一种两端不同时闭锁的保护策略,旨在优化故障期间的电流控制与器件保护。

解读: 该研究针对MMC拓扑的故障保护机制,对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级和更复杂的拓扑演进,MMC技术在大型电网侧储能和高压直流输电领域应用潜力巨大。通过优化IGBT的闭锁时序,可有效提升系统在故障工况下的可靠性,降低...

功率器件技术 IGBT 功率模块 多电平 ★ 4.0

采用并联压接式二极管的半桥单元性能提升研究

Improved Performance for Half-Bridge Cells With a Parallel Presspack Diode

Fabian Hohmann · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文研究了一种通过并联压接式二极管来提升IGBT半桥单元效率的方法。文章详细讨论了该拓扑在模块化多电平变换器(MMC)应用中的开关性能及其损耗特性。

解读: 该研究针对高压大功率应用中的开关损耗优化,对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。在兆瓦级及以上的高压变流器设计中,通过优化二极管配置提升效率,可直接降低系统散热需求并提升功率密度。建议研发团队评估压接式二极管在模块化多电平拓扑中的集成可行性,特别是在提...