找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Industry Applications

排序:
电动汽车驱动 SiC器件 多电平 ★ 5.0

一种用于中压电力牵引驱动的100 kHz内并联Si+SiC混合多电平变换器的设计与验证

Design and Validation of a 100 kHz Inner-Paralleled Si+SiC Hybrid Multilevel Converter for Medium-Voltage Electric Traction Drives

Feng Guo · Fei Diao · Zhuxuan Ma · Pengyu Lai 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年8月

本文针对 3 kV 直流母线的电力牵引驱动系统,设计并开发了一种新型的带有内部并联(IP)半桥(HB)的中压(MV)混合式多电平逆变器。在该提出的混合式拓扑结构中,每相由一个有源中性点钳位(ANPC)三电平(3 - L)单元和一个 IP 单元组成,其中 ANPC 三电平单元采用工作在基频的 3.3 kV 硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT),而 IP 单元采用定制的 3.3 kV H 桥碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET),工作频率为 50 kHz。通过线...

解读: 该100kHz Si+SiC混合多电平技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在新能源汽车业务中,可直接应用于电机驱动系统,高频运行特性能显著提升功率密度,降低车载系统体积重量。对于ST系列储能变流器和SG光伏逆变器,内并联混合拓扑可优化现有三电平方案,通过Si/SiC器件协同工作实现开关损耗与成...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 多物理场耦合 ★ 4.0

SiC MOSFET中动态开关应力的解耦效应

Decoupling Effects for Dynamic Switching Stress in SiC MOSFETs

Alexis A. Gómez · Juan R. García-Meré · Alberto Rodríguez · Juan Rodríguez 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

本研究依据行业准则,对经过各种动态测试的碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压(<italic xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">V<sub>th</sub></i>)退化情况进行了对比分析。为确保对比的公平性,采用了定制的实验装置。观察到的退化结果显示,其会因是否施加高电压、驱动条件或开关事件的发生情况而有...

解读: 该SiC MOSFET动态应力解耦研究对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率器件设计具有重要指导意义。研究揭示的高频开关下热-电场耦合导致Vth退化机制,可直接应用于PowerTitan大型储能系统中SiC模块的热管理优化和开关频率设计。通过解耦分析电场应力与热应力的独立影响,可改进...