找到 3 条结果 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

排序:
储能系统技术 储能系统 DC-DC变换器 ★ 5.0

具有用户自定义鲁棒性的升压型DC-DC变换器统一控制策略

Unified Control Strategy for Step-up DC-DC Converters with User-defined Robustness

Purnima Verma · Md Nishat Anwar · G. Lloyds Raja · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月

本文提出一种适用于多种具有非最小相位特性的升压型DC-DC变换器的统一电压控制设计方法。该方法通过设定期望参考模型,并在低频点匹配闭环传递函数,从而将PID控制器的积分与微分增益表示为比例增益的函数,并依据用户指定的鲁棒性指标(最大灵敏度)选取比例增益。该策略适用于多种升压变换器,本文以经典升压与二次升压变换器为例进行验证。实验对比了若干已发表的电流与电压控制方案,结果表明所提方法在多种工况下均具有优越性能,且能在参数不确定性及断续导通模式下有效运行。

解读: 该统一PID控制策略对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统中的DC-DC变换环节具有直接应用价值。文章提出的用户自定义鲁棒性设计方法可优化储能系统中Boost、二次Boost等升压拓扑的电压控制性能,特别是在电池SOC变化导致参数漂移及DCM/CCM模式切换工况下保持稳定运行。该方法...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

基于三直流母线的副边旋转分段电容式电力传输系统及其低输出电压波动特性

A Secondary-Side Rotating and Segmented Capacitive Power Transfer System With Low Output Voltage Fluctuations Based on Three DC Busbars

Wei Zhou · Zhiqiang Li · Qiang Zhang · Mengmeng Li 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

在机械传动设备中,动力轴是常见的结构,传统供电方式难以实现从固定电源向旋转设备供电。电容式电力传输(CPT)技术因耦合器灵活便携、涡流损耗低等优点,适用于旋转体上设备的供电需求。然而,大直径轴体若采用长接收极板易引发电磁辐射与待机损耗,且分段耦合器还可能导致电压跌落等问题。为此,本文提出一种基于三直流母线的副边旋转分段CPT系统,构建了多端口电容耦合的数学模型与等效电路,实现了相邻整流输出电压的叠加。实验结果表明,系统在整个旋转过程中输出电压基本恒定,电压由47 V降至41 V,最大变化率为12...

解读: 该三直流母线分段CPT技术对阳光电源旋转类设备供电场景具有重要参考价值。在新能源汽车产品线,可应用于电机轴端传感器、旋转编码器等设备的无接触供电,避免滑环磨损;在大型储能系统PowerTitan中,可用于旋转散热风机、转动监测装置的持续供电。该技术通过三母线叠加实现12.77%的低电压波动率,可借鉴...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

SiC低压MOSFET的温度缩放与C–V建模用于IC设计

Temperature Scaling and C–V Modeling of SiC Low-Voltage MOSFETs for IC Design

Abu Shahir Md Khalid Hasan · Md Maksudul Hossain · Md. Zahidul Islam · Muhammad Majharul Islam 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

本文提出了一种适用于高温环境的碳化硅(SiC)nMOS和pMOS器件SPICE模型及其瞬态特性。该工作在BSIM4SiC模型基础上扩展,重点研究界面陷阱对高温性能及电容-电压(C–V)特性的影响。提出了模型参数的高温缩放修正方法,并考虑了界面陷阱效应,定义了本征载流子浓度与平带电压偏移方程。针对nMOS和pMOS开发了新的C–V参数提取方法,并描述了用于C–V测量的MOSCAP与多指MOSFET测试结构。仿真结果在高温下与实验数据吻合良好,验证了模型准确性。

解读: 该SiC低压MOSFET高温建模技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。针对ST系列储能变流器和SG光伏逆变器,精确的高温C-V特性模型可优化SiC器件驱动电路设计,降低开关损耗并提升高温环境可靠性。界面陷阱效应的温度缩放方法为功率模块热设计提供仿真依据,特别适用于沙漠、热带等极端工况下的Power...