找到 2 条结果 · 电动汽车驱动

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电动汽车驱动 ★ 5.0

人工智能与数字孪生技术在交通领域电力变换器控制中的应用

Artificial Intelligence and Digital Twin Technologies for Power Converter Control in Transportation Applications: A Review

Zhen Huang · Jiawei Gong · Xuechun Xiao · Yuan Gao 等7人 · IET Power Electronics · 2025年2月 · Vol.18

本文综述了人工智能与数字孪生技术在电力电子变换器控制中的独特优势,旨在探索并实现更高水平的控制策略数字化。通过分析各类智能算法与数字孪生架构在交通电力系统中的协同作用,文章总结了其在提升动态响应、故障诊断与系统可靠性方面的潜力,为未来智能交通能源系统的优化控制提供了技术路径与研究方向。

解读: 该综述对阳光电源新能源汽车产品线具有直接应用价值。文中AI与数字孪生技术可应用于车载OBC充电机和电机驱动控制器的智能化升级:通过数字孪生建立功率变换器实时仿真模型,结合AI算法实现动态工况下的自适应控制优化,提升电机驱动系统的动态响应速度和效率。该技术可与阳光电源iSolarCloud平台融合,构...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

鳍片倾斜角度优化以提升横向β-Ga2O3 MOSFET的电学性能

Optimization of fin-slanted angles for enhanced electrical performance in lateral _β_-Ga2O3 MOSFETs

Haiwen Xu · Jishen Zhang · Xiao Gong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本研究通过实验与Sentaurus TCAD仿真相结合,系统探讨了鳍片倾斜角度(α)对横向β-Ga2O3 MOSFET电学性能的影响。器件呈现增强型特性,开关比达约10⁷。随着α增大,漏源电流(IDS)和外在跨导(Gm)显著提升。同时,因边缘电场集中效应缓解,耐压性能明显改善,在α=15°、栅漏距(LGD)为10 μm时击穿电压(VBR)提高40%。电场分布模拟表明,α≈25°可有效抑制电场聚集,优化直流性能。

解读: 该β-Ga2O3 MOSFET鳍片优化技术对阳光电源功率器件升级具有前瞻价值。Ga2O3作为超宽禁带半导体(Eg~4.8eV),理论击穿场强达8MV/cm,远超SiC的3倍,可支撑更高电压等级应用。研究中通过α=25°鳍片角度优化实现击穿电压提升40%且抑制边缘电场集中的设计思路,可借鉴至ST系列储...