找到 6 条结果 · 电动汽车驱动

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电动汽车驱动 三电平 故障诊断 ★ 5.0

基于磁动势平衡的T型三电平逆变器供电双三相PMSM驱动开路故障诊断

Magnetomotive Force Balance-Based Open-Circuit Fault Diagnosis for T-Type Three-Level Inverter-Fed Dual Three-phase PMSM Drives

Hao Zhou · Xuewei Xiang · Hui Li · Hao Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种基于磁动势(MMF)平衡的T型三电平逆变器供电的双三相永磁同步电机驱动系统单开关开路和单相开路故障快速诊断方法。该方法通过提取abc和def两个三相子系统之间的磁动势平衡度特征,实现了分三个阶段的分层故障诊断:识别发生故障的三相子系统、定位其中确切的故障桥臂/相以及找出故障开关。首先,当检测到子系统之间出现异常的磁动势不平衡时启动诊断,并锁定故障子系统。然后,通过对故障子系统的实际磁动势与理论故障参考磁动势进行相序相似性分析,将故障范围缩小到特定的桥臂,并初步识别出可能的故障开关对...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的基于磁动势平衡的T型三电平逆变器开路故障诊断技术具有重要的工程应用价值。T型三电平拓扑因其效率高、谐波小等优势,已广泛应用于我司的光伏逆变器和储能变流器产品中,而该技术针对双三相永磁同步电机驱动系统的快速故障诊断方法,可直接迁移至我司新能源汽车驱动系统及储能系统...

电动汽车驱动 储能系统 三电平 模型预测控制MPC ★ 5.0

用于抑制谐波与共模电压的三电平逆变器供电双三相PMSM驱动容错MPC

Fault-Tolerant MPC for Three-Level Inverters Fed Dual Three-Phase PMSM Drives with Harmonic and Common Mode Voltage Suppression

Hao Zhou · Xuewei Xiang · Hui Li · Bin Yuan 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

针对T型三电平逆变器驱动的双三相永磁同步电机在单相开路故障下控制自由度降低、谐波转矩冲突及电流谐波增大的问题,提出一种抑制谐波与共模电压的容错模型预测控制策略。该方法采用降阶空间矢量解耦变换重构故障后电机模型,结合双矢量合成技术生成零谐波电压的虚拟矢量,并动态调整序列以抑制电流谐波。通过分类选取低共模电压的大矢量并交替使用,实现全速域共模电压主动抑制。设计的无权重混合代价函数协同优化开关频率与中点电压平衡。实验验证了该策略的有效性。

解读: 该容错MPC技术对阳光电源电动汽车驱动产品线具有重要应用价值。T型三电平拓扑的单相开路容错控制可直接应用于车载电机驱动系统,提升系统可靠性。其谐波抑制与共模电压抑制技术可借鉴至ST系列储能变流器,降低EMI滤波器成本并改善电网侧电能质量。双矢量合成的零谐波电压虚拟矢量技术与阳光现有MPPT算法优化思...

电动汽车驱动 多电平 ★ 5.0

基于多群体遗传算法的MMC多目标功率损耗优化控制

Multiobjective Power Losses Optimization of MMC Based on Multipopulation Genetic Algorithm for HVdc Transmission System

Jifeng Zhao · Jia Pei · Sitong Wu · Hong Fu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月

模块化多电平换流器(MMC)因效率高、易于扩展,已成为高压直流输电系统的核心部件。子模块及其内部半导体器件的功率损耗显著影响MMC的运行成本与使用寿命。基于环流控制的损耗优化方法因其硬件成本低、输出电流谐波小而备受关注。本文提出一种基于多群体遗传算法的多目标功率损耗优化控制策略(MOPLOC-MPGA),实现MMC运行成本与寿命的协同优化。通过仿真与实验验证了该方法在MMC应用中的有效性与适用性。

解读: 该MMC多目标功率损耗优化技术对阳光电源ST系列储能变流器和大型PowerTitan储能系统具有重要应用价值。文中基于多群体遗传算法的环流控制优化策略,可直接应用于阳光电源多电平拓扑产品中,通过协同优化运行成本与器件寿命,降低IGBT/SiC模块的热应力与开关损耗。该方法无需额外硬件成本且保持低谐波...

电动汽车驱动 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

温度不均匀性和栅极陷阱电荷对碳化硅MOSFET电流不平衡的影响

Influence of temperature inhomogeneity and trap charge on current imbalance of SiC MOSFETs

Chunsheng Guo · Jiapeng Li · Yamin Zhang · Hui Zhu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年6月 · Vol.226

对于碳化硅(SiC)MOSFET,无论是多芯片模块还是多个分立器件,均需并联连接以实现高电流容量。然而,并联应用中出现的电流不平衡会降低器件的可靠性。本文重点研究了温度不均匀性和栅极陷阱电荷对SiC MOSFET电流不平衡行为的影响,并对阈值电压差异对电流不均匀性的影响进行了对比研究。最后,从电压和时间维度上比较了上述三个因素对SiC MOSFET电流不均匀特性的影响。结果表明,在静态过程中,由于温度不均匀性引起的漏源电流不平衡百分比可始终保持在10%以上;在动态过程中,由于温度不均匀性引起的漏...

解读: 该研究揭示SiC MOSFET并联应用中温度不均匀性和陷阱电荷导致的电流不平衡机理,对阳光电源ST系列储能变流器、电动汽车驱动系统及充电桩产品具有重要指导意义。研究表明静态和动态过程中温度不均匀性引起的电流失配均超过10%,这为我们优化多芯片并联SiC模块的热管理设计、改进栅极驱动均流策略提供理论依...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 ★ 4.0

金基底晶体结构对宽禁带封装中银-金互扩散的影响

Influence of Au Substrate Crystal Structure on Ag–Au Interdiffusion for WBG Packaging

Bowen Zhang · Zhiheng Gao · Zhiyuan Zhao · Yi Liu 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年2月

银 - 金的快速扩散通常会导致界面结合薄弱,这对宽带隙(WBG)器件的稳定性产生显著影响。因此,原子尺度的互扩散机制对于有效抑制过度互扩散并最终实现牢固结合至关重要。在此,采用具有不同晶体结构的金基底制备了芯片贴装样品,其中样品 I 和样品 II 的剪切强度分别达到 43.5 MPa 和 34.4 MPa。后续的晶体结构分析证实,烧结后的样品 I 呈现出 47%的较高界面连接率(ICR)和小于 0.2 微米的较低银 - 金互扩散厚度,这两者均有利于高质量的键合。与样品 II(约 82.3%)相比...

解读: 从阳光电源功率半导体封装技术发展角度来看,这项关于Ag-Au界面扩散机制的研究具有重要的工程应用价值。随着我司光伏逆变器和储能变流器向更高功率密度、更高效率方向发展,SiC、GaN等宽禁带(WBG)器件的应用比例持续提升。这些器件在200°C以上的高温工作环境下,芯片贴装层的可靠性直接影响产品寿命和...

电动汽车驱动 ★ 4.0

基于快速零维集成精确三维优化模型的电动汽车动力舱热管理

Thermal management of electric vehicle power cabin based on fast zero-dimensional integrating accurate three-dimensional optimization model

Peimiao Li · Shibo Wang · Hui Wang · Yun Feng 等6人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

摘要 动力舱散热方案的设计受限于复杂的结构配置和较慢的迭代速度。鉴于数值实验所需的巨大时间和计算资源,本文提出了一种快速零维集成精确三维优化模型,用于计算电动汽车动力舱的散热性能并优化其热管理系统。在现有热等效电路模型的基础上,快速零维模型建立了各设备之间的热容与热阻网络,并通过参考精确的初始三维仿真结果对快速零维模型的输出进行修正。随后,利用零维模型搜索最优散热结构配置,并通过实验数据进行验证。结果表明,快速零维集成精确三维优化模型的优化结果得到了三维模型的良好验证。采用所提模型优化电机控制器...

解读: 该零维-三维混合热管理优化模型对阳光电源电动汽车业务具有重要价值。在OBC车载充电机、电机驱动器等功率密集产品中,可将散热方案迭代时间从576小时压缩至72小时,显著加速SiC/GaN功率器件的散热结构设计。该方法可应用于充电桩功率模块热仿真,通过快速优化翅片数量和尺寸,将芯片温度从551K降至35...