基于绝缘体上硅的伪逆变器用于高灵敏度NO₂和NH₃气体检测

Pseudo-Inverter Based on Silicon-on-Insulator for Highly Sensitive NO₂ and NH₃ Gas Detection

Sherzod Khaydarov · Haihua Wang · Wei Zhang · Peng Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

本研究探讨了基于绝缘体上硅（SOI）衬底的伪反相器（Ψ - 反相器）和伪 MOS（Ψ - MOS）在 NO₂ 和 NH₃ 气体检测中的应用。实验结果表明，具有高内部增益特性的 Ψ - 反相器，在针对两种目标气体的不同沟道厚度条件下，与 Ψ - MOS 器件相比，始终表现出更优异的灵敏度。在 1 ppm 浓度下，Ψ - 反相器对 NO₂ 和 NH₃ 的灵敏度分别达到了 1248% 和 83.9%，分别是 Ψ - MOS 灵敏度的 102.5 倍和 19.7 倍。此外，Ψ - 反相器结构具有直接输出...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于SOI基板的伪逆变器气体检测技术具有重要的潜在应用价值。在光伏电站、储能系统及氢能设施的运维管理中，环境气体监测是保障设备安全和人员健康的关键环节。 该技术对NO₂和NH₃的高灵敏度检测能力（1 ppm浓度下分别达到1248%和83.9%的灵敏度）可为我司多个业务...

基于多梁结构的新型MEMS微波功率检测芯片

A Novel MEMS Microwave Power Detection Chip Based on Multibeam Structure

Haoyu Sun · Yuxiang Liang · Yuzhao Wu · Debo Wang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

为有效提高微机电系统（MEMS）微波功率检测芯片的灵敏度性能，本文提出了一种基于多梁结构的MEMS微波功率检测芯片。设计了四梁并联结构，增加了芯片的输出电容，从而提高了其灵敏度。同时，降低了单梁过长导致坍塌的风险，减少了粘连现象的发生。对该芯片的灵敏度和微波性能进行了理论研究，并完成了芯片的制备与测试。测试结果表明，在8 - 12 GHz频段内，$S_{11}$的测试结果介于 - 18.5 dB至 - 15.3 dB之间，而理论结果介于 - 26.8 dB至 - 25.2 dB之间，输入功率反射...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于多梁结构的MEMS微波功率检测芯片技术具有重要的战略参考价值。在光伏逆变器和储能系统中，精确的功率监测是保障系统效率和安全性的核心环节，该技术展现的高灵敏度特性为我们的功率管理系统升级提供了新思路。 该芯片采用四梁并联结构，灵敏度达到72.76 fF/W，较现有结...