找到 2 条结果 · 功率器件技术
实现碳化硅MOSFET的零开关损耗
Achieving Zero Switching Loss in Silicon Carbide MOSFET
Xuan Li · Xu Li · Pengkun Liu · Suxuan Guo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月
由于单极性导电机制，碳化硅（SiC）MOSFET的开关损耗较硅基IGBT显著降低，使其适用于高频应用。然而，开关损耗仍是限制开关频率提升的热瓶颈。本文探讨了实现SiC MOSFET零开关损耗的技术路径，旨在进一步提升电力电子变换器的功率密度与效率。
解读: 该技术对于阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，SiC器件的广泛应用已是提升效率与功率密度的关键。通过实现零开关损耗，可进一步提高逆变器开关频率，从而减小磁性元件体积，降低整机重量与成本。建议研发团队关注该零损耗...
大功率IGCT门极驱动单元杂散阻抗测量与改进
Stray Impedance Measurement and Improvement of High-Power IGCT Gate Driver Units
Zhengyu Chen · Zhanqing Yu · Xuan Liu · Jiapeng Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
集成门极换流晶闸管（IGCT）的关断能力高度依赖于门极驱动单元（GDU）的换流性能。杂散阻抗是限制其性能的关键因素，但此前缺乏准确的获取方法。本文详细分析了基于实验测量的阻抗获取方法，涵盖了电解电容与陶瓷电容等关键组件的特性分析。
解读: IGCT作为高压大功率电力电子器件，在超大功率应用场景中具有潜力。虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）主要采用IGBT或SiC模块，但随着电网侧储能及大型风电变流器向更高电压等级和更大功率密度演进，对驱动电路的杂散参数优化至关重要。本文提出的杂散阻抗测量与改进方...