找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

SiC MOSFET功率模块中用于电压过冲抑制与动态电流均流的分布式解耦电容设计方法

Design Method of Distributed Decoupling Capacitors for Both Voltage Overshoot Suppression and Dynamic Current Sharing in SiC MOSFET Power Module

Tongyu Zhang · Shuai Xiong · Laili Wang · Hongzhou Gong 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

碳化硅(SiC)MOSFET因其卓越性能被广泛应用,但其快速开关特性带来的电压过冲限制了工作电压,且多芯片并联时的动态电流不均问题制约了模块性能。本文提出了一种分布式解耦电容设计方法,旨在同时抑制电压过冲并优化功率模块内部的动态电流分配,提升SiC功率模块的可靠性与工作效率。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中功率模块的优化。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式解耦电容设计方法能有效解决SiC模块在高压、高频切换下的电压过冲问题,提升系统可靠性;同时,...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 ★ 5.0

功率模块快速热分析的混合数据驱动与机理建模方法

Hybrid Data-Driven and Mechanistic Modeling Approach for Power Module Rapid Thermal Analysis

Jin Zhang · Laili Wang · Shuai Xiong · Yi Liu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

功率模块的温度分布对其安全运行和寿命至关重要。为在设计阶段优化热性能,本文提出一种混合建模方法,旨在平衡计算复杂性与分析精度,以应对模块设计阶段大量布局方案的快速评估需求。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统)中功率模块的研发。在功率密度不断提升的背景下,该混合建模方法能显著缩短研发周期,提升对IGBT/SiC模块热设计的评估效率。建议研发团队将其集成至iSolarCloud或内部设计仿真平台,通过快速热分析优化模块布...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于并联SiC MOSFET动态电流平衡的有源栅极驱动器

Active Gate Driver for Dynamic Current Balancing of Parallel-Connected SiC MOSFETs

Yang He · Xun Wang · Shuai Shao · Junming Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

在高功率应用中,并联SiC MOSFET以提升电流等级是必然趋势。然而,开关瞬态过程中的动态电流不平衡会导致功率损耗和热分布不均。本文提出了一种基于新型有源栅极驱动器(AGD)的动态电流平衡方法,有效解决了并联应用中的这一挑战。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品至关重要。在PowerTitan储能系统及大型集中式光伏逆变器中,SiC MOSFET的并联应用是提升效率和功率密度的核心。动态电流平衡技术能显著降低并联器件间的应力差异,提升模块的长期可靠性,并减少因热失配导致的故障风险。建议研发团队评估该有源驱动方案在下一代高功率...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种用于碳化硅双极结型晶体管的新型比例基极驱动技术

A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor

Linyuan Liao · Jun Wang · Sai Tang · Zhikang Shuai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月

作为后硅时代极具吸引力的功率半导体器件,SiC BJT已得到广泛研究并实现商业化。然而,由于其导通状态下需要较大的恒定基极电流以确保完全导通,导致驱动损耗较高,限制了其市场普及。本文提出了一种新型比例基极驱动技术,旨在优化SiC BJT的驱动效率。

解读: SiC BJT作为宽禁带半导体器件,在提升功率密度和转换效率方面具有潜力。阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器中已广泛应用SiC MOSFET,但SiC BJT作为一种替代技术路线,其驱动电路的优化直接关系到整机的损耗与热管理。该比例驱动技术能有效降低驱动功耗,若能解决其驱动复...