找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

通过优化屏蔽设计降低SiC半桥模块的近场磁辐射与寄生电感

Reducing Near-Field Magnetic Radiation and Parasitic Inductance in SiC Half-Bridge Modules via Optimized Shielding Design

Yi Du · Kai Lu · Boyi Zhang · Atif Iqbal 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

近场辐射和寄生电感是SiC MOSFET应用中的主要挑战。现有降低电感的方法多侧重于减小换流回路面积,但往往导致布局和制造工艺复杂化。本文基于电感由磁能积分决定的物理原理,提出了一种通过优化屏蔽设计来降低SiC半桥模块寄生电感和近场辐射的新方法,在简化工艺的同时提升了模块性能。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高开关频率和更高功率密度演进,SiC器件的应用已成为核心竞争力。该屏蔽设计方法能有效抑制高频开关下的电磁干扰(EMI)并降低寄生电感,有助于优化逆变器及PCS的功率模块封装设计,...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 有限元仿真 ★ 5.0

直接键合铜(DBC)基板底层铜层对功率模块局部放电性能的影响

Impacts of the Bottom Copper Layer of Direct-Bond Copper Substrates on the Partial Discharge Performance in Power Modules

Yuan Gao · Kai Yin · Claus Leth Bak · Asger Bjørn Jørgensen 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

本文研究了直接键合铜(DBC)基板底层铜层对功率模块局部放电(PD)性能的影响。通过建立不同布局的DBC样本有限元仿真模型,对比分析了电场分布。结果表明,通过悬浮底层铜层或施加高压的一半电压,可有效优化电场分布,提升功率模块的局部放电性能。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)中功率模块的绝缘设计与可靠性。随着产品向高功率密度和高电压等级(如1500V系统)发展,DBC基板的局部放电问题成为制约器件寿命的关键。建议研发团队在设计高压功率模块时,参考文中关于底层铜...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种具有温度相关参数的SiC MOSFET非分段PSpice模型

A Non-Segmented PSpice Model of SiC MOSFET With Temperature-Dependent Parameters

Hong Li · Xingran Zhao · Kai Sun · Zhengming Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

本文提出了一种具有温度相关参数的SiC MOSFET非分段PSpice模型,旨在提升模型收敛性及温度特性表现。文中详细介绍了非分段方程及参数提取方法,并通过仿真与实验验证了该模型的有效性。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器(如组串式逆变器)和储能系统(如PowerTitan系列)功率密度与效率的核心技术。该非分段PSpice模型通过优化收敛性和温度特性,能显著提高研发阶段对SiC功率模块在极端工况下的热行为预测精度。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台的数字孪生模...

功率器件技术 功率模块 ★ 4.0

直接键合铜基板底部铜层对功率模块局部放电性能的影响

Impacts of the Bottom Copper Layer of Direct-Bond Copper Substrates on the Partial Discharge Performance in Power Modules

Yuan Gao · Kai Yin · Claus Leth Bak · Asger Bjørn Jørgensen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文研究了直接键合铜(DBC)基板底部铜层对功率模块局部放电(PD)性能的影响。建立了不同布局的DBC样品有限元仿真模型,并对其电场分布进行了对比分析。结果表明,通过使底部铜层浮空、施加一半的高压,或者部分或完全去除底部铜层,可以显著降低DBC基板三相点处的最大电场。制作了多个DBC样品,并对其局部放电性能进行了实验测试。完全去除底部铜层可使局部放电起始电压(PDIV)提高79%以上。实验结果与仿真分析吻合良好,验证了研究结果。制作了一个采用完全去除底层铜概念的模拟功率模块,并按照IEC 602...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于DBC基板底层铜层优化以提升局部放电性能的研究具有重要的战略价值。在光伏逆变器和储能变流器向中高压、大功率方向发展的趋势下,功率模块的绝缘可靠性已成为制约产品性能提升的关键瓶颈。 该研究通过有限元仿真与实验验证相结合,系统分析了底层铜层不同布局方案对电场分布的影响...