找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

利用动态场重构法研究开关条件下IGBT芯片的变形波动

Investigation of Deformation Fluctuation of IGBT Chips Under Switching Conditions Using the Dynamic Field Reconstruction Method

Jiahao Wang · Libing Bai · Cong Chen · Jie Zhang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

IGBT芯片是功率电子模块的核心组件。研究电-热-机械耦合引起的IGBT芯片变形特性具有重要意义。本文开发了一种基于扫描激光位移测量的场重构技术,用于精确捕捉开关条件下的动态变形。

解读: IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能PCS及风电变流器的核心功率器件。该研究提出的动态场重构技术,能够深入揭示IGBT在极端开关工况下的热机械应力分布,对于提升阳光电源核心功率模块的寿命预测精度、优化封装散热设计及提高产品在复杂电网环境下的可靠性...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于壳温的IGBT模块热参数监测

Thermal Parameter Monitoring of IGBT Module Using Case Temperature

Jun Zhang · Xiong Du · Yu Wu · Quanming Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月

本文提出了一种利用IGBT模块壳温监测其热参数的方法。该方法在IGBT关断期间(即壳温冷却阶段)工作,通过建立Cauer型热RC参数与壳温冷却曲线时间常数之间的关系,实现对模块热特性的实时监测。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件,其热状态直接决定了系统的可靠性与寿命。通过壳温监测实现热参数在线评估,可优化阳光电源iSolarCloud平台的故障预警机制,实现从“事后维...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用转移的LPCVD生长h-BN缓解AlGaN/GaN HEMT中的自加热效应

Mitigation of self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using transferred LPCVD-grown h-BN

Cheng Chang · Kad Dokwan Kook · Chenyang Lin · Xiang Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文报道了一种通过转移低压化学气相沉积(LPCVD)生长的六方氮化硼(h-BN)来有效缓解AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中自加热效应的方法。将高质量h-BN薄膜集成于器件沟道附近,显著提升了横向热导率,改善了热量耗散。实验结果显示,器件的结温明显降低,连续工作下的温度上升减少了约40%,同时保持了良好的电学性能。该策略为提升第三代半导体器件的热管理能力提供了可行路径。

解读: 该研究提出的h-BN散热方案对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。通过LPCVD生长h-BN提升横向热导率的方法,可显著改善SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的散热性能,有助于提高功率密度。结温降低40%的效果对车载OBC等对功率密度要求高的产品尤为重要。这一散热创新为...

功率器件技术 可靠性分析 功率模块 ★ 4.0

用于工业级ESD保护的高浪涌电流双向可控硅的设计与优化

Design and Optimization of High-Failure-Current Dual-Direction SCR for Industrial-Level ESD Protection

Yang Wang · Xiangliang Jin · Yan Peng · Jun Luo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

在工业级总线中,瞬态电压抑制器(TVS)需承受浪涌电流以确保核心芯片的静电放电(ESD)可靠性。本文基于0.5μm CMOS工艺设计了四种双向可控硅(DDSCR)器件结构,并通过基础物理模型对TVS器件的ESD性能进行了预测与验证。

解读: 该研究聚焦于工业级高可靠性ESD保护器件设计,对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及充电桩等产品中,通信接口及控制板卡常面临严苛的工业电磁环境。通过优化DDSCR器件结构,可显著提升核心控制芯片在复杂电网环境下的抗浪涌能力与ESD可靠性,降低现场运维故...