找到 3 条结果 · 功率器件技术
重复短路应力下P-GaN HEMT电参数退化研究
Understanding Electrical Parameter Degradations of P-GaN HEMT Under Repetitive Short-Circuit Stresses
Sheng Li · Siyang Liu · Chi Zhang · Le Qian 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
本文研究了P-GaN栅HEMT在重复短路应力下的静态与动态电参数退化，并首次区分了其退化机理。研究表明，短路应力会对栅极区域和接入区域造成损伤，从而导致器件性能漂移。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及高频化充电桩产品中对功率密度要求的提升，GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的P-GaN HEMT在短路应力下的退化机理，对于优化阳光电源逆变器及充电桩的驱动电路保护策略、提升系统可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频功率模块设计中，重点关注短路保护响应速度与器件...
650V p-GaN HEMT单脉冲非钳位电感开关
UIS）失效机理与分析
Siyang Liu · Sheng Li · Chi Zhang · Ningbo Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文首次揭示了肖特基栅极p-GaN HEMT在单脉冲非钳位电感开关（UIS）下的耐受物理机制与失效机理。与Si/SiC器件不同，p-GaN HEMT通过将负载电感的能量存储在输出电容中来承受浪涌电流，而非通过雪崩击穿。
解读: GaN器件凭借高开关频率和高效率，是阳光电源未来提升户用光伏逆变器及小型化充电桩功率密度的关键技术方向。本文深入分析了p-GaN HEMT在极端工况下的UIS失效机理，对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、过压保护策略及可靠性评估具有重要指导意义。建议研发团队在后续高频化产品设计中，重点关注GaN器...
一种通过门极阴极电压提取大功率压接式晶闸管准确结温的在线监测方法
An Online Monitoring Method to Extract the Accurate Junction Temperature of High Power Press-Pack Thyristor via Gate Cathode Voltage
Yadong Yu · Xian Cheng · Guowei Ge · Wen Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文提出了一种在线监测大功率压接式晶闸管结温的新方法。通过实时采集门极阴极电压（VGK），系统能够更准确地获取晶闸管的结温。文章通过数值模型理论推导了VGK作为结温敏感参数的可行性。
解读: 该技术主要针对大功率压接式晶闸管（Thyristor），虽然阳光电源目前的主流光伏逆变器和储能PCS多采用IGBT或SiC MOSFET，但在超大功率集中式逆变器或特定高压直流输电/电网侧应用中，晶闸管类器件仍有应用场景。该研究提出的基于门极电压的结温监测方法，对于提升电力电子设备在极端工况下的可靠...